"ПОДПРОГРАММА СОЮЗНОГО ГОСУДАРСТВА "РАЗРАБОТКА И ОСВОЕНИЕ СЕРИЙ ЦИФРОВЫХ, ЦИФРО-АНАЛОГОВЫХ, АНАЛОГОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ ДЛЯ АППАРАТУРЫ СПЕЦИАЛЬНОГО НАЗНАЧЕНИЯ И ДВОЙНОГО ПРИМЕНЕНИЯ"(Утверждена 29.10.2003 Постановлением 20 Совета Министров Союзного государства)


Утверждена
Постановлением
Совета Министров
Союзного государства
от 29 октября 2003 г. N 20
ПОДПРОГРАММА
СОЮЗНОГО ГОСУДАРСТВА "РАЗРАБОТКА И ОСВОЕНИЕ СЕРИЙ
ЦИФРОВЫХ, ЦИФРО-АНАЛОГОВЫХ, АНАЛОГОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ
МИКРОСХЕМ ДЛЯ АППАРАТУРЫ СПЕЦИАЛЬНОГО НАЗНАЧЕНИЯ
И ДВОЙНОГО ПРИМЕНЕНИЯ"
(Уточненная редакция выполняющейся в 2000 - 2003 гг.
одноименной Подпрограммы, утвержденной Постановлением
Исполнительного Комитета Союза Беларуси и России
от 12.02.1999 г. N 2)
1. Введение
Радиоэлектронная отрасль, как совокупность проектных, научно-исследовательских организаций и базовых заводов-изготовителей высокоинтеллектуальной продукции и элементной базы, включающая обеспечение трудовыми, материальными, энергоресурсами, социально-бытовой сферой, является ведущей отраслью экономики как Республики Беларусь, так и Российской Федерации.
Электронная промышленность, являющаяся подотраслью радиоэлектронной промышленности, снабжает элементной базой не только радиоэлектронные отрасли в целом, но и другие наукоемкие отрасли промышленности и народного хозяйства - машиностроение, информатику, транспорт, связь и т.д., обеспечивая их технический уровень и конкурентоспособность на мировом рынке и рынке СНГ.
Для успешной интеграции в мировое экономическое сообщество необходимо совместно развивать электронную промышленность в России и Беларуси в духе Декларации о дальнейшем единении Беларуси и России от 25 декабря 1998 года.
Важнейшим инструментом такой политики являются научно-технические программы на основе органического сочетания научных разработок, прикладных исследований, опытного и серийного производства элементной базы и законченных изделий.
Данная Подпрограмма является составной частью Программы "Создание и серийное производство автоматизированных систем управления, бортовой радиолокационной аппаратуры, изделий бытовой радио- и электротехники", одобренной Решением Исполнительного Комитета Сообщества Беларуси и России от 4 сентября 1996 г. N 4 (п. 18 Перечня совместных межгосударственных программ), и обеспечивает разработку и организацию выпуска элементной базы нового класса, позволяющей создавать конкурентоспособные изделия и аппаратуру, расширить объемы товарных потоков, создать усовершенствованные специализированные системы для укрепления обороноспособности Республики Беларусь и Российской Федерации, увеличить объемы валютных поступлений, в значительной степени решить проблему импортозамещения.
2. Цель Подпрограммы
Целью Подпрограммы является:
- разработка и освоение серий цифровых, цифро-аналоговых, аналоговых микросхем для приоритетных отраслей промышленности, бытовой техники и аппаратуры специального назначения (планируется создание широкого спектра интегральных микросхем различного функционального назначения);
- разработка микросхем для изделий спецтехники, включая интегральные схемы (ИС) повышенной устойчивости к специальным факторам, повышенной помехозащищенности и надежности, в соответствии с реализуемыми и перспективными программами создания систем вооружений и военной техники (включая автоматизированные системы управления и специальную бортовую аппаратуру);
- разработка ряда новых технологий, предназначенных для создания электронной элементной базы, в рамках настоящей Подпрограммы.
Подпрограмма охватывает сферу проектирования и серийного освоения изделий электронной техники (ИЭТ) двойного и специального назначения, технологического обеспечения. Это позволит резко поднять качество, снизить себестоимость, уменьшить сроки разработки и освоения ИЭТ, обеспечив тем самым их конкурентоспособность и независимость от поставок по импорту, создать новые, более совершенные промышленные, бытовые и оборонные системы.
3. Основные технические показатели
В ходе реализации трех взаимосвязанных разделов Подпрограммы планируется разработка целого ряда интегральных схем и новых технологических процессов:
1. микросхемы двойного назначения:
микросхемы 8- и 16-разрядных микроконтроллеров, микросхемы для цифровой обработки сигналов, 16/32 КМОП микропроцессорный комплект, стандартные линейные микросхемы, серия контроллеров ЖКИ, ряд БМК емкостью от 10 до 100К вентилей, аналого-цифровая матрица, КМОП статическое ОЗУ емкостью 1Мбит, БиКМОП аналого-цифровых БМК, ряд операционных усилителей и др. Всего планируется разработать и освоить 39 типов новых микросхем двойного назначения с техническими характеристиками, соответствующими мировому уровню;
2. микросхемы специального назначения:
КМОП ПЗУ емкостью 1М и 2М, устойчивые к спецфакторам, серия быстродействующих КМОП логических схем типа 54АСТ. Всего по второму разделу планируется разработать и внедрить в серийное производство в РБ и РФ 42 типа микросхем;
3. новые технологические операции, конструкции и технологические процессы:
новые конструкции и технологические процессы изготовления, библиотеки параметров и элементов 8 - 16-разрядных микроконтроллеров с проектными нормами от 0,7 до 1,2 мкм, в том числе со встроенными блоками ЭСППЗУ до 16Кбит, ПЗУ - до 256Кбит, ОЗУ - до 256 байт; технологию формирования структур типа кремний на изоляторе, технологический процесс химико-механического полирования межслойных диэлектриков, технологические процессы планаризации, блока многослойной металлизации и др. По всем заданиям настоящего раздела планируется достижение технических параметров, соответствующих мировому уровню.
4. Основные этапы выполнения Подпрограммы
Подпрограмма "База" утверждена Постановлением Исполкома Союза Беларуси и России от 12 февраля 1999 г. N 2. Согласно Подпрограмме сроки ее реализации - 2000 - 2003 годы.
Плановые и фактические объемы бюджетного финансирования Подпрограммы приведены в следующей Таблице.
тыс. российских рублей (в текущих ценах)
------T------------------------T------------------------T--------------¬
¦ Год ¦ План по Подпрограмме ¦ Факт на 01.01.2003 г. ¦Дата открытия ¦
¦ ¦ (в ценах мая 1998 г.) ¦ ¦финансирования¦
¦ +-------T-------T--------+-------T-------T--------+ ¦
¦ ¦ Всего ¦Россия ¦Беларусь¦ Всего ¦Россия ¦Беларусь¦ ¦
+-----+-------+-------+--------+-------+-------+--------+--------------+
¦2000 ¦34860,0¦22260,0¦ 12600,0¦19156,6¦19156,6¦ - ¦сентябрь ¦
+-----+-------+-------+--------+-------+-------+--------+--------------+
¦2001 ¦30230,0¦20150,0¦ 10080,0¦45209,0¦30797,4¦ 14411,6¦март ¦
+-----+-------+-------+--------+-------+-------+--------+--------------+
¦2002 ¦20150,0¦13740,0¦ 6410,0¦20150,0¦11486,0¦ 8664,0¦апрель ¦
+-----+-------+-------+--------+-------+-------+--------+--------------+
¦2003 ¦ 7760,0¦ 5290,0¦ 2470,0¦ - ¦ - ¦ - ¦ ¦
+-----+-------+-------+--------+-------+-------+--------+--------------+
¦ВСЕГО¦93000,0¦61440,0¦ 31560,0¦84515,6¦61440,0¦ 23075,6¦ ¦
L-----+-------+-------+--------+-------+-------+--------+---------------
Из Таблицы следует, что на 01.01.2003 фактическое финансирование Подпрограммы составило 90,88% от номинальной суммы, предусмотренной Подпрограммой.
По состоянию на 1 января 2003 года уже выполнены следующие работы:
по приборной части Подпрограммы:
завершены этапы разработки ТЗ и плановой документации по 24 ОКР, этапы разработки эскизных проектов по 18 ОКР, этапы разработки технических проектов по 11 ОКР; в процессе этого проведена разработка архитектуры, алгоритмов функционирования, математических моделей схем электрических принципиальных, топологии разрабатываемых микросхем, верификация проектов на разработанных тестах;
по 8 ОКР изготовлены и исследованы экспериментальные образцы микросхем, в том числе:
- серия из 8 типов стабилизаторов напряжения положительной полярности с температурным диапазоном -45... +125°C,
- 8-разрядный микроконтроллер с системой команд семейства MSC-51 и встроенным драйвером ЖКИ,
- серия из 4 типов КМОП базовых матричных кристаллов с количеством вентилей 10, 30, 60 и 100 тысяч,
- драйверы матричного ЖКИ типа SED1670 и SED1606,
- серия из 3 типов БИС: нерекурсивного цифрового фильтра, приемопередатчика манчестерского кода, автокомпенсатора,
- серия из 40 типов быстродействующих КМОП логических ИС, устойчивых к спецфакторам (аналог серии 54АСТ),
- микропроцессорный комплект из 2 типов микросхем - 16/32-разрядного КМОП процессора (аналог 1801ВМ3) и 32/64-разрядного КМОП сопроцессора обработки чисел с плавающей запятой (аналог 1801ВМ4), процессор корреляционной предобработки спутниковых сигналов навигационной системы "ГЛОНАСС/НАВСТАР";
- БИС КМОП ПЗУ емкостью 2М;
по 7 ОКР разработаны рабочая документация и проекты ТУ для изготовления опытных партий;
по 3 ОКР изготовлены и испытаны опытные образцы;
2 ОКР сданы межведомственной комиссии в полном объеме и в соответствии с ТЗ;
по комплексу работ технологической части Подпрограммы:
завершены этапы разработки ТЗ и плановой документации по 11 ОКР, этапы разработки технологических маршрутов - по 8 ОКР;
изготовлены образцы пластин с тестовыми кристаллами уровня 0,5 мкм;
разработана опытная технология глобальной планаризации топологического рельефа при изготовлении СБИС с проектными нормами 0,5 мкм и менее на основе применения процесса химико-механической полировки, проведены опытные партии;
завершена и сдана межведомственной комиссии в полном объеме и в соответствии с ТЗ ОКР по разработке технологических процессов нанесения диэлектрических покрытий и планаризации поверхности пластин;
проведены технологические исследования, определена структура технологических процессов и разработаны технологические маршруты базовых технологий для выпуска:
- высоковольтных (до 40 В) ИС;
- структур типа кремний на изоляторе для расширенного класса СБИС, включая быстродействующие и высоковольтные;
- универсальных КМОП микроконтроллеров с проектной нормой 0,8 мкм;
- библиотеки элементов микроконтроллеров с RISC архитектурой;
- расширенной номенклатуры БиКМОП СБИС;
- СБИС специального и двойного применения с проектными нормами 0,5 - 0,7 мкм;
проведены технологические исследования и определены основные параметры и структура следующих технологических процессов:
- нанесения диэлектрических покрытий и планаризации поверхности пластин для базовой субмикронной технологии;
- химико-механической полировки топологического рельефа технологических структур СБИС для базового процесса уровня 0,5 мкм;
- формирования многослойной (3 - 4 слоя) металлизации с использованием планаризации жидким стеклом.
Причинами к введению изменений в Подпрограмму и продлению срока ее реализации на один год являются:
1. Изменение требований к номенклатуре и основным параметрам СБИС, произошедшее за время с момента разработки Подпрограммы.
2. Появление с 2002 года дублирующих работ, связанных с началом реализации в России Федеральной целевой программы "Национальная технологическая база".
3. Появление с 2001 года дублирующих работ, выполняемых по Государственному оборонному заказу России.
В целях учета этих изменений и координации с другими программами, ведущимися в данном направлении, был разработан и согласован с заказывающими подразделениями Министерства обороны Российской Федерации уточненный "Перечень изделий для включения в план работ совместной российско-белорусской Подпрограммы "Разработка и освоение серий цифровых, цифро-аналоговых, аналоговых интегральных микросхем для аппаратуры специального назначения и двойного применения" (шифр "База")".
В нем учтены требования разработчиков аппаратурных комплексов и систем, создаваемых по заказам Министерства обороны Российской Федерации и других министерств и ведомств, изменившиеся с момента разработки Подпрограммы.
4. Существенное изменение с момента разработки Подпрограмм цен на материалы, комплектующие, энергоносители и затрат на заработную плату в отрасли.
5. Расчет расходов на Подпрограмму исходно был произведен во II квартале 1998 года (раздел 8 Подпрограммы). Поэтому, в связи с высоким уровнем инфляции за прошедшие 4 года выполнение Подпрограммы в полном объеме при запланированном ранее объеме финансирования невозможно по причине его недостаточности.
С учетом сделанных уточнений выполнение всех заданий Подпрограммы планируется на период с III кв. 2000 г. по IV кв. 2004 г. с объемом ее финансирования из бюджета Союзного государства в 2003 году в размере 26984,0 тыс. руб. РФ, а в 2004 году - в размере 20016,0 тыс. руб. РФ, а также с привлечением собственных средств предприятий в размере 62556,0 тыс. руб. в 2003 году, а в 2004 году - в размере 92277,0 тыс. руб.
Предлагаемое изменение позволит выполнить важнейшие задания Подпрограммы с учетом исключения дублирования работ по ФЦП "Национальная технологическая база", заказа Министерства обороны России и оптимальным образом реализовать в виде законченных работ затраченные в 2000 - 2003 гг. средства на выполнение Подпрограммы.
Задания Подпрограммы выполняются в виде комплекса опытно-конструкторских работ (ОКР), результаты которых внедряются в производство на предприятиях-исполнителях Подпрограммы.
5. Исполнители Подпрограммы
Основными исполнителями Подпрограммы являются:
от Российской Федерации:
- Научно-техническая ассоциация (НТА) "Субмикро" (г. Москва) - Головной исполнитель - организационно-техническое обеспечение проведения Подпрограммы, координация работ по Подпрограмме в целом и контроль за ее исполнением;
- ОАО "Ангстрем", ОАО "НИИМЭ и Микрон" (г. Москва);
от Республики Беларусь:
- НПО "Интеграл" (г. Минск).
К реализации основных заданий и этапов Подпрограммы планируется привлечение более 20 отраслевых НИИ, КБ, заводов, академических институтов и ВУЗов.
6. Состав разрабатываемых интегральных микросхем
и технологических процессов
Общая характеристика и перечень разрабатываемых интегральных микросхем и технологических процессов представлены в разделе 9.
7. Ожидаемые результаты реализации Подпрограммы
В итоге реализации этапов и заданий Подпрограммы будут получены следующие основные результаты:
1. На заводах электронной промышленности Республики Беларусь и Российской Федерации будет организовано производство конкурентоспособной элементной базы для удовлетворения потребности народного хозяйства и обороны, наращивания экспортного потенциала, решения проблемы импортозамещения.
2. Будут сохранены и созданы новые рабочие места в радиоэлектронной, машиностроительной и других отраслях промышленности.
3. Будут разработаны, созданы опытные образцы и освоены в производстве свыше 80 современных интегральных схем специального назначения и двойного применения, разработаны и внедрены в производство новые технологические процессы, позволяющие многократно повысить степень интеграции и эксплуатационные характеристики интегральных схем.
4. Будет сохранен и получит дальнейшее развитие научно-технический потенциал электронной промышленности двух государств за счет объединения их усилий и финансовых средств.
5. Планируемый объем реализации разработанных изделий только за два года (2004 - 2005 гг.) составит более 30 млн. дол. США.
Реализация Подпрограммы позволит Республике Беларусь и Российской Федерации организовать производство ряда конкурентоспособных отечественных изделий электронной техники и обеспечить их поставки на внутренний и внешний рынки.
8. Структура расходов на Подпрограмму
Подпрограмма финансируется на 38,2% за счет средств бюджета Союза Беларуси и России и Союзного государства, а на 61,8% - за счет внебюджетных средств. Средства бюджета Союзного государства направляются на выполнение ОКР. Внебюджетные средства направляются на обеспечивающие мероприятия по выполнению ОКР и на финансирование подготовки производства на предприятиях-исполнителях Подпрограммы.
Структура расходов на Подпрограмму в тыс. российских рублей приведена в Табл. 1.
Таблица 1
------------------------------T------T-----T-----T-----T-----T------¬
¦ Объемы и распределение ¦Всего ¦2000 ¦2001 ¦2002 ¦2003 ¦ 2004 ¦
¦ расходов ¦ ¦ г. ¦ г. ¦ г. ¦ г. ¦ г. ¦
+-----------------------------+------+-----+-----+-----+-----+------+
¦Всего, ¦345700¦19157¦71150¦53560¦89540¦112293¦
¦из них: Республика Беларусь ¦142200¦ - ¦22803¦20074¦39490¦ 59833¦
¦ Российская Федерация,¦203500¦19157¦48347¦33486¦50050¦ 52460¦
¦в том числе: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
+-----------------------------+------+-----+-----+-----+-----+------+
¦Средства бюджета Союзного ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦государства ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦всего, ¦132207¦19157¦45900¦20150¦26984¦ 20016¦
¦из них: Республика Беларусь ¦ 39807¦ - ¦15103¦ 8664¦ 8484¦ 7556¦
¦ Российская Федерация ¦ 92400¦19157¦30797¦11486¦18500¦ 12460¦
+-----------------------------+------+-----+-----+-----+-----+------+
¦Внебюджетные средства ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦всего, ¦213493¦ - ¦25250¦33410¦62556¦ 92277¦
¦из них: Республика Беларусь ¦102393¦ - ¦ 7700¦11410¦31006¦ 52277¦
¦ Российская Федерация ¦111100¦ - ¦17550¦22000¦31550¦ 40000¦
L-----------------------------+------+-----+-----+-----+-----+-------
Примечание. Расчет расходов на Подпрограмму произведен во II квартале 2002 г.
9. Система программных мероприятий
и ресурсное обеспечение Подпрограммы
Таблица 2
-------------------T------------T--------T-----------------------------------------------------T------T--------------------------¬
¦Наименование ¦Организация-¦Сроки ¦Сметная стоимость работ по годам ¦Рас- ¦Основные полученные или ¦
¦работ Подпрограммы¦исполнитель ¦выполне-¦(до 2004 г. включительно), тыс. руб. ¦преде-¦ожидаемые результаты ¦
¦ ¦ ¦ния +--------T--------------------------------------------+ление ¦за 2000 - 2002 гг. ¦
¦ ¦ ¦(год, ¦Всего ¦В том числе: ¦бюдже-¦Основные ожидаемые ¦
¦ ¦ ¦квартал)¦за +-----------------------------------T--------+тного ¦результаты ¦
¦ ¦ ¦ ¦2000 - ¦бюджет Союзного государства ¦Внебюд- ¦финан-¦на 2003 - 2004 гг. ¦
¦ ¦ ¦ ¦2004 +-----T-----T----T-----T-----T------+жетные ¦сиро- ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦гг. ¦2000 ¦2002 ¦2003¦2003 ¦2004 ¦Всего ¦средства¦вания,¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦- ¦г. ¦г. ¦г. ¦г. ¦за ¦за ¦тыс. ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦2001 ¦ ¦План¦Пред-¦Пред-¦2000 -¦2000 - ¦руб., ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦гг. ¦ ¦ ¦ложе-¦ложе-¦2004 ¦2004 ¦РФ/РБ ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦Факт ¦ ¦ ¦ние ¦ние ¦гг. ¦гг. ¦ ¦ ¦
+------------------+------------+--------+--------+-----+-----+----+-----+-----+------+--------+------+--------------------------+
¦ 1. ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ ДВОЙНОГО ПРИМЕНЕНИЯ ¦
+------------------T------------T--------T--------T-----T-----T----T-----T-----T------T--------T------T--------------------------+
¦1.1. Разработка ¦НПО ¦2000 г. ¦ 52998 ¦ 8800¦ 2370¦1800¦ 4068¦ 4731¦ 19969¦ 33029 ¦13146/¦Микросхема 16-разрядного ¦
¦серии 16-ти ¦"Интеграл", ¦III кв.;¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ 6823 ¦микроконтроллера с ¦
¦разрядных ¦ОАО ¦2004 г. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦RISC-архитектурой. ¦
¦микроконтроллеров ¦"Ангстрем" ¦III кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Разработан эскизный ¦
¦для систем ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦проект. Изготовлены ¦
¦цифровой обработки¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦и исследованы ¦
¦сигналов и ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦экспериментальные образцы.¦
¦комплекта ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Будет разработана рабочая ¦
¦программно - ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦КД, ТД, проект ТУ. ¦
¦аппаратных ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Будут изготовлены и ¦
¦средств, в том ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦испытаны опытные образцы. ¦
¦числе для системы ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Микросхемы ¦
¦"ГЛОНАСС", включая¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦приемопередатчика ¦
¦1806ВМ3 и 1806ВМ4.¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦манчестерского кода, ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦автокомпенсатора, ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦нерекурсивного цифрового ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦фильтра. ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Изготовлены и исследованы ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦экспериментальные образцы.¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Начата разработка рабочей ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦КД и ТД. ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Микросхемы 6-канального ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦цифрового коррелятора ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦обработки ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦радионавигационных ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦сигналов ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦"ГЛОНАСС/НАВСТАР", ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦КМОП 16-разрядного ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦процессора обработки чисел¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦с фиксированной запятой, ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦32-разрядного сопроцессора¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦обработки чисел с ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦плавающей запятой. ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Изготовлены и исследованы ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦экспериментальные образцы.¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Разработаны рабочая КД, ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ТД, проект ТУ. ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Будут изготовлены и ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦испытаны опытные образцы. ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Все разработанные изделия ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦будут поставлены на ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦серийное производство. ¦
+------------------+------------+--------+--------+-----+-----+----+-----+-----+------+--------+------+--------------------------+
¦1.2. Разработка ¦НПО ¦2000 г. ¦ 34277 ¦ 4990¦ 2800¦2827¦ 1960¦ 1570¦ 11320¦ 22957 ¦ 3245/¦Серия стандартных линейных¦
¦серии стандартных ¦"Интеграл", ¦III кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ 8075 ¦интегральных микросхем ¦
¦линейных микросхем¦ОАО "НИИМЭ ¦2004 г. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦(аналоги LM117, LM158, ¦
¦(ан. LM117, LM158,¦и Микрон" ¦II кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦LM193, LM124, LM139, ¦
¦LM193 и др.). ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦MC78XX, MC79XX). ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Изготовлены и исследованы ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦экспериментальные образцы.¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Разработаны рабочая КД и ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ТД, проект ТУ. ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Будут изготовлены и ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦испытаны опытные образцы. ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Изделия будут поставлены ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦на серийное производство. ¦
+------------------+------------+--------+--------+-----+-----+----+-----+-----+------+--------+------+--------------------------+
¦1.3. Разработка ¦НПО ¦2000 г. ¦ 23991 ¦ 4509¦ 950¦ -¦ 911¦ 1870¦ 8240¦ 15751 ¦ 1773/¦Микросхема 8-разрядного ¦
¦контроллеров ЖКИ ¦"Интеграл" ¦III кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ 6467 ¦микроконтроллера ¦
¦для устройств ¦ ¦2004 г. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦с системой команд ¦
¦отображения ¦ ¦III кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦семейства MSC-51 и ¦
¦информации средней¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦встроенным драйвером ЖКИ. ¦
¦и большой ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Изготовлены и исследованы ¦
¦информативности. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦экспериментальные образцы.¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Разработаны рабочая КД и ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ТД, проект ТУ. ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Будут изготовлены и ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦испытаны опытные образцы. ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Микросхемы драйверов ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ 2 ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦сегментных ЖКИ с I C ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦интерфейсом (аналоги ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦PCF8576, PCF8577). ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Разработан технический ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦проект. Изготовлены и ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦исследованы ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦экспериментальные образцы.¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Будут разработаны рабочая ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦КД и ТД, проект ТУ. ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Будут изготовлены и ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦испытаны опытные образцы. ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Все разработанные изделия ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦будут поставлены на ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦серийное производство. ¦
+------------------+------------+--------+--------+-----+-----+----+-----+-----+------+--------+------+--------------------------+
¦1.4. Разработка ¦ОАО ¦2000 г. ¦ 14123 ¦ 2520¦ 3200¦ -¦ -¦ -¦ 5720¦ 8403 ¦ 5720/¦Контроллеры ЖКИ для ¦
¦контроллеров ЖКИ ¦"Ангстрем" ¦III кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ -¦устройств отображения ¦
¦для устройств ¦ ¦2002 г. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦информации с техническими ¦
¦отображения ¦ ¦IV кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦характеристиками, ¦
¦информации с ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦соответствующими аналогам ¦
¦техническими ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦SED1670, 1606. ¦
¦характеристиками, ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Разработаны и исследованы ¦
¦соответствующими ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦экспериментальные образцы.¦
¦аналогам SED1670, ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Разработаны рабочая КД и ¦
¦1606. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ТД, проект ТУ. ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Изготовлены опытные ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦образцы. Изделия ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦поставлены на серийное ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦производство. ¦
+------------------+------------+--------+--------+-----+-----+----+-----+-----+------+--------+------+--------------------------+
¦1.5. Разработка ¦ОАО ¦2000 г. ¦ 15664 ¦ 2860¦ 520¦ -¦ 2964¦ -¦ 6344¦ 9320 ¦ 6344/¦Серия микросхем КМОП БМК ¦
¦серии микросхем ¦"Ангстрем" ¦III кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ -¦с количеством вентилей 10,¦
¦КМОП БМК с ¦ ¦2003 г. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦30, 60 и 100 тысяч. ¦
¦количеством ¦ ¦IV кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Разработаны и исследованы ¦
¦вентилей 10, 30, ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦экспериментальные образцы.¦
¦60 и 100 тысяч. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Разработаны рабочая КД и ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ТД, проект ТУ. ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Будут изготовлены и ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦испытаны опытные образцы. ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Изделие будет поставлено ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦на серийное производство. ¦
+------------------+------------+--------+--------+-----+-----+----+-----+-----+------+--------+------+--------------------------+
¦1.6. Разработка ¦ОАО ¦2000 г. ¦ 18328 ¦ 1115¦ -¦ -¦ 1800¦ 4508¦ 7423¦ 10905 ¦ 7423/¦Микросхемы аналого - ¦
¦микросхем ¦"Ангстрем" ¦I кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ -¦цифровых БиКМОП БМК. ¦
¦аналого-цифровых ¦ ¦2004 г. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Начата разработка ¦
¦БиКМОП БМК. ¦ ¦IV кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦технического проекта. ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Будут разработаны и ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦исследованы ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦экспериментальные ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦образцы. Будут разработаны¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦рабочая КД и ТД, проект ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ТУ. Будут изготовлены и ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦испытаны опытные образцы. ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Изделие будет поставлено ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦на серийное производство. ¦
+------------------+------------+--------+--------+-----+-----+----+-----+-----+------+--------+------+--------------------------+
¦1.7. Разработка ¦ОАО ¦2000 г. ¦ 11983 ¦ 2570¦ 976¦ -¦ 500¦ 807¦ 4853¦ 7130 ¦ 4853/¦БИС СОЗУ емкостью 1М ¦
¦КМОП статических ¦"Ангстрем", ¦III кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ -¦(128Кх8). ¦
¦ОЗУ емкостью ¦ОАО "НИИМЭ ¦2004 г. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Разработан технический ¦
¦1Мбит. ¦и Микрон" ¦II кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦проект. Разработаны ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦рабочая КД и ТД, ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦проект ТУ. ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Будут изготовлены и ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦испытаны опытные образцы. ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Изделие будет поставлено ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦на серийное производство. ¦
+------------------+------------+--------+--------+-----+-----+----+-----+-----+------+--------+------+--------------------------+
¦1.8. Разработка ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦серии стандартных ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦аналоговых ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦микросхем, в том ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦числе: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
+------------------+------------+--------+--------+-----+-----+----+-----+-----+------+--------+------+--------------------------+
¦1.8.1. Разработка ¦ОАО "НИИМЭ ¦2000 г. ¦ 3901 ¦ 1580¦ -¦ -¦ -¦ -¦ 1580¦ 2321 ¦ 1580/¦Разработана архитектура ¦
¦КМОП АЦП и ¦и Микрон" ¦III кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ -¦КМОП АЦП и ¦
¦быстродействующих ¦ ¦2001 г. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦быстродействующих 10 и ¦
¦10 и 12-разрядных ¦ ¦IV кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦12-разрядных АЦП ¦
¦АЦП конвейерного ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦конвейерного типа. ¦
¦типа. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. Работы ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦прекращены по причине ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦дублирования с ОКР, ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦выполняемыми в рамках ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦государственного ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦оборонного заказа. ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Полученные результаты ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦используются при ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦выполнении ОКР "Ириска" ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦и др. ¦
+------------------+------------+--------+--------+-----+-----+----+-----+-----+------+--------+------+--------------------------+
¦1.8.2. Разработка ¦ОАО "НИИМЭ ¦2000 г. ¦ 815 ¦ 330¦ -¦ -¦ -¦ -¦ 330¦ 485 ¦ 330/¦Разработаны архитектура и ¦
¦ряда КМОП ¦и Микрон" ¦III кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ -¦эскизные электрические ¦
¦малошумящих ¦ ¦2001 г. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦схемы КМОП малошумящих ¦
¦быстродействующих ¦ ¦IV кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦быстродействующих ¦
¦операционных ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦операционных усилителей, ¦
¦усилителей. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦проведено предварительное ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦моделирование. ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. Работа ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦прекращена по причине ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦недостаточности ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦финансирования и будет ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦продолжена с 2004 года ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦в рамках новой программы ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Союзного государства ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦"База-2". ¦
+------------------+------------+--------+--------+-----+-----+----+-----+-----+------+--------+------+--------------------------+
¦ 2. ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ СПЕЦИАЛЬНОГО НАЗНАЧЕНИЯ ¦
+------------------T------------T--------T--------T-----T-----T----T-----T-----T------T--------T------T--------------------------+
¦2.1. Разработка ¦ОАО ¦2000 г. ¦ -¦ -¦ -¦ -¦ -¦ -¦ -¦ -¦ -¦Работа не выполнялась ¦
¦комплекта ¦"Ангстрем" ¦III кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦из-за потери актуальности ¦
¦32-разрядных ¦ ¦2000 г. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦на этапе разработки ТЗ. ¦
¦процессоров и ¦ ¦III кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦периферийных схем ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦с RISC - ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦архитектурой с ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦характеристиками, ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦соответствующими ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦аналогам R3000 ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦(R3010) ф. IDT и ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦80860 ф. INTEL. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
+------------------+------------+--------+--------+-----+-----+----+-----+-----+------+--------+------+--------------------------+
¦2.2. Разработка и ¦НПО ¦2000 г. ¦ 15952 ¦ 4380¦ 1000¦1920¦ 1920¦- ¦ 7300¦ 8652 ¦ 2808/¦Быстродействующие КМОП ¦
¦освоение ¦"Интеграл" ¦III кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ 4492 ¦логические ИС, устойчивые ¦
¦быстродействующих ¦ ¦2003 г. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦к спецфакторам (аналоги ¦
¦КМОП логических ¦ ¦III кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦серии 54АСТ, 40 типов). ¦
¦ИС, устойчивых к ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Разработаны рабочая КД и ¦
¦спецфакторам ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ТД, проект ТУ. ¦
¦(аналоги серии ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Изготовлены и испытаны ¦
¦54АСТ, 40 типов). ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦опытные образцы. ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Будет проведена ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦корректировка КД, ТД, ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦проекта ТУ. Изделие будет ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦поставлено на серийное ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦производство. ¦
+------------------+------------+--------+--------+-----+-----+----+-----+-----+------+--------+------+--------------------------+
¦2.3. Разработка ¦НПО ¦2000 г. ¦ -¦ -¦ -¦ -¦ -¦ -¦ -¦ -¦ -¦Работа не выполнялась ¦
¦низковольтных КМОП¦"Интеграл" ¦III кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦из-за потери актуальности ¦
¦логических ИС, ¦ ¦2000 г. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦на этапе разработки ТЗ. ¦
¦устойчивых к ¦ ¦III кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦спецфакторам ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦(аналоги серии ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦54/LVXXX). ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
+------------------+------------+--------+--------+-----+-----+----+-----+-----+------+--------+------+--------------------------+
¦2.4. Разработка ¦НПО ¦2000 г. ¦ -¦ -¦ -¦ -¦ -¦ -¦ -¦ -¦ -¦Работа не выполнялась ¦
¦КМОП логических ¦"Интеграл" ¦III кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦из-за потери актуальности ¦
¦ИС, устойчивых к ¦ ¦2000 г. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦на этапе разработки ТЗ. ¦
¦спецфакторам ¦ ¦III кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦(аналоги серии ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦54HCXXX). ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
+------------------+------------+--------+--------+-----+-----+----+-----+-----+------+--------+------+--------------------------+
¦2.5. Разработка ¦НПО ¦2000 г. ¦ -¦ -¦ -¦ -¦ -¦ -¦ -¦ -¦ -¦Работа не выполнялась ¦
¦элементной базы ¦"Интеграл" ¦III кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦из-за потери актуальности ¦
¦КМОП логических ¦ ¦2000 г. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦на этапе разработки ТЗ. ¦
¦ИС, устойчивых к ¦ ¦III кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦спецфакторам ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦(аналоги серии ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦4000В). ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
+------------------+------------+--------+--------+-----+-----+----+-----+-----+------+--------+------+--------------------------+
¦2.6. Разработка ¦ОАО ¦2000 г. ¦ 17789 ¦ 950¦ 630¦ -¦ 3156¦ 2469¦ 7205¦ 10584 ¦ 7205/¦БИС КМОП ПЗУ емкостью 2М. ¦
¦БИС КМОП ПЗУ ¦"Ангстрем" ¦III кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ -¦Разработан технический ¦
¦емкостью 2М. ¦ ¦2004 г. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦проект. Разработаны ¦
¦ ¦ ¦IV кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦рабочая КД и ТД, ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦проект ТУ. ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Будут изготовлены и ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦испытаны опытные образцы. ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Изделие будет поставлено ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦на серийное производство. ¦
+------------------+------------+--------+--------+-----+-----+----+-----+-----+------+--------+------+--------------------------+
¦2.7. Разработка ¦НПО ¦2000 г. ¦ 10336,4¦ 1260¦ 900¦ -¦ 967¦ 900¦ 4027¦ 6309,4¦ 995/¦КМОП СБИС постоянного ¦
¦КМОП СБИС ¦"Интеграл" ¦I кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ 3032 ¦масочного запоминающего ¦
¦постоянного ¦ ¦2004 г. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦устройства емкостью 1М, ¦
¦масочного ¦ ¦II кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦устойчивого к ¦
¦запоминающего ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦спецфакторам. ¦
¦устройства ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Разработан технический ¦
¦емкостью 1М, ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦проект. Разработаны ¦
¦устойчивого к ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦рабочая КД и ТД, ¦
¦спецфакторам. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦проект ТУ. ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Будут изготовлены и ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦испытаны опытные образцы. ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Изделие будет поставлено ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦на серийное производство. ¦
+------------------+------------+--------+--------+-----+-----+----+-----+-----+------+--------+------+--------------------------+
¦2.8. Разработка ¦НПО ¦2000 г. ¦ 2840 ¦ 1150¦ -¦ -¦ -¦ -¦ 1150¦ 1690 ¦ 550/¦Разработан функциональный ¦
¦библиотеки ¦"Интеграл", ¦III кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ 600 ¦состав и схемы ¦
¦элементов ¦ОАО "НИИМЭ ¦2001 г. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦электрические библиотечных¦
¦специализированных¦и Микрон" ¦IV кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦элементов. ¦
¦заказных БИС. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. Выполнение ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦задания прекращено в связи¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦с началом работ по ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦направлениям 16, 42 ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦раздела II российской ФЦП ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦"Национальная ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦технологическая база". ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Полученные при выполнения ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦задания результаты ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦используются при ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦проведении этих работ и ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦соответствующих НИОКР ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦по белорусской ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦национальной программе ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦"Белэлектроника". ¦
+------------------+------------+--------+--------+-----+-----+----+-----+-----+------+--------+------+--------------------------+
¦ 3. ТЕХНОЛОГИИ ДЛЯ СОЗДАНИЯ ИНТЕГРАЛЬНОЙ ЭЛЕМЕНТНОЙ БАЗЫ ¦
+------------------T------------T--------T--------T-----T-----T----T-----T-----T------T--------T------T--------------------------+
¦3.1. Разработка ¦НПО ¦2000 г. ¦ 17271 ¦ 290¦ 950¦ -¦ 820¦ 2000¦ 4060¦ 13211 ¦ 522/¦Разработан технологический¦
¦технологии и ¦"Интеграл" ¦III кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ 3538 ¦маршрут. Проведены ¦
¦конструкции ¦ ¦2004 г. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦технологические ¦
¦элементной базы ¦ ¦III кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦исследования и определена ¦
¦для изготовления ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦структура технологических ¦
¦КМОП универсальных¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦процессов. ¦
¦микроконтроллеров ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Будет разработана опытная ¦
¦с 0,8 мкм ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦технология. Будут ¦
¦проектной нормой. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦проведены опытные партии. ¦
+------------------+------------+--------+--------+-----+-----+----+-----+-----+------+--------+------+--------------------------+
¦3.2. Разработка ¦НПО ¦2000 г. ¦ 13975 ¦ 3450¦ 964¦1246¦ 1246¦ -¦ 5660¦ 8315 ¦ 2033/¦Проведены технологические ¦
¦технологии и ¦"Интеграл" ¦III кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ 3627 ¦исследования и определена ¦
¦библиотеки ¦ ¦2003 г. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦структура технологических ¦
¦проектирования ¦ ¦IV кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦процессов. ¦
¦микроконтроллеров ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Разработана опытная ¦
¦с RISC - ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦технология. ¦
¦архитектурой с ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Будут проведены опытные ¦
¦0,8 мкм проектными¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦партии. ¦
¦нормами. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
+------------------+------------+--------+--------+-----+-----+----+-----+-----+------+--------+------+--------------------------+
¦3.3. Разработка ¦НПО ¦2000 г. ¦ 2765 ¦ 1120¦ -¦ -¦ -¦ -¦ 1120¦ 1645 ¦ 170/¦Разработан технологический¦
¦конструкции и ¦"Интеграл" ¦III кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ 950 ¦маршрут изготовления ¦
¦технологии ¦ ¦2001 г. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦тестового кристалла. ¦
¦изготовления ¦ ¦IV кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Разработаны типовая ¦
¦элементной базы ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦структура и правила ¦
¦БиКМОП СБИС с ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦проектирования тестового ¦
¦0,8 - 1,0 мкм ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦БиКМОП кристалла. ¦
¦проектными ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. Выполнение ¦
¦нормами. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦задания прекращено в связи¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦с началом работ по ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦направлению 15 раздела II ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦российской ФЦП ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦"Национальная ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦технологическая база". ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Полученные при выполнения ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦задания результаты ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦используются при ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦проведении этих работ и ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦соответствующих НИОКР ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦по белорусской ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦национальной программе ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦"Белэлектроника". ¦
+------------------+------------+--------+--------+-----+-----+----+-----+-----+------+--------+------+--------------------------+
¦3.4. Разработка ¦НПО ¦2000 г. ¦ 25242 ¦10223¦ -¦ -¦ -¦ -¦ 10223¦ 15019 ¦ 9920/¦Разработан проект базового¦
¦технологии ¦"Интеграл", ¦III кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ 303 ¦технологического маршрута ¦
¦структур СБИС с ¦ОАО ¦2001 г. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦изготовления тестового ¦
¦топологическими ¦"Ангстрем", ¦IV кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦кристалла уровня 0,5 мкм, ¦
¦нормами до ¦ОАО ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦осуществлено ¦
¦0,5 мкм. ¦"НИИМЭ и ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦проектирование тестового ¦
¦ ¦Микрон" ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦кристалла, изготовлены ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦

<СТАТУС РЕШЕНИЯ О ФИНАНСОВОМ ОБЕСПЕЧЕНИИ ДЕЯТЕЛЬНОСТИ КООРДИНАЦИОННОГО СОВЕТА ГЕНЕРАЛЬНЫХ ПРОКУРОРОВ ГОСУДАРСТВ-УЧАСТНИКОВ СОДРУЖЕСТВА НЕЗАВИСИМЫХ ГОСУДАРСТВ НА 2003 ГОД ОТ 18 СЕНТЯБРЯ 2003 ГОДА>(по состоянию на 01.10.2005)  »
Международное законодательство »
Читайте также