ПОСТАНОВЛЕНИЕ n 49 Совета Министров Союзного государства"О ХОДЕ И РЕЗУЛЬТАТАХ ВЫПОЛНЕНИЯ В 1996 - 2002 ГОДАХ ПРОГРАММЫ И ПОДПРОГРАММЫ СОЮЗНОГО ГОСУДАРСТВА ПО СОЗДАНИЮ ОПТИКО-МЕХАНИЧЕСКОГО, ФОТОЛИТОГРАФИЧЕСКОГО, КОНТРОЛЬНОГО И СБОРОЧНОГО ОБОРУДОВАНИЯ ДЛЯ ПРОИЗВОДСТВА СВЕРХБОЛЬШИХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ И О ПРЕДЛОЖЕНИЯХ ПО РАЗРАБОТКЕ НОВОЙ ПРОГРАММЫ СОЮЗНОГО ГОСУДАРСТВА В ДАННОЙ ОБЛАСТИ НА 2003 - 2006 ГОДЫ"(Вместе с <ПРЕДЛОЖЕНИЕМ МИНИСТЕРСТВ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ И РЕСПУБЛИКИ БЕЛАРУСЬ>)(Принято 30.12.2002)

СОВЕТ МИНИСТРОВ СОЮЗНОГО ГОСУДАРСТВА
ПОСТАНОВЛЕНИЕ N 49
О ХОДЕ И РЕЗУЛЬТАТАХ ВЫПОЛНЕНИЯ
В 1996 - 2002 ГОДАХ ПРОГРАММЫ И ПОДПРОГРАММЫ
СОЮЗНОГО ГОСУДАРСТВА ПО СОЗДАНИЮ ОПТИКО-МЕХАНИЧЕСКОГО,
ФОТОЛИТОГРАФИЧЕСКОГО, КОНТРОЛЬНОГО И СБОРОЧНОГО ОБОРУДОВАНИЯ
ДЛЯ ПРОИЗВОДСТВА СВЕРХБОЛЬШИХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ
И О ПРЕДЛОЖЕНИЯХ ПО РАЗРАБОТКЕ НОВОЙ ПРОГРАММЫ
СОЮЗНОГО ГОСУДАРСТВА В ДАННОЙ ОБЛАСТИ
НА 2003 - 2006 ГОДЫ
(30 декабря 2002 года)
Совет Министров Союзного государства постановляет:
1. Считать Программу и Подпрограмму Союзного государства по созданию оптико-механического, фотолитографического, контрольного и сборочного оборудования для производства сверхбольших интегральных схем, реализуемые в 1996 - 2002 годах, в основном, выполненными.
2. Согласиться с Предложением Министерства промышленности, науки и технологий Российской Федерации и Министерства промышленности Республики Беларусь о разработке Программы Союзного государства "Разработка и организация производства специального технологического оборудования для изготовления сверхбольших интегральных схем уровня 0,5 - 0,25 мкм" на 2003 - 2006 годы.
3. Осуществлять финансирование работ по реализации мероприятий Программы из бюджета Союзного государства.
4. Определить государственным заказчиком-координатором указанной Программы Министерство промышленности, науки и технологий Российской Федерации, государственным заказчиком Программы - Министерство промышленности Республики Беларусь.
Государственному заказчику-координатору Программы совместно с государственным заказчиком Программы разработать проект Программы и внести его в установленном порядке в Совет Министров Союзного государства.
5. Настоящее Постановление вступает в силу со дня его подписания.
Председатель
Совета Министров
Союзного государства
М.КАСЬЯНОВ



Одобрено
Постановлением
Совета Министров
Союзного государства
от 30 декабря 2002 г. N 49
ПРЕДЛОЖЕНИЕ
МИНИСТЕРСТВА ПРОМЫШЛЕННОСТИ, НАУКИ И ТЕХНОЛОГИЙ
РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ И МИНИСТЕРСТВА ПРОМЫШЛЕННОСТИ
РЕСПУБЛИКИ БЕЛАРУСЬ О РАЗРАБОТКЕ НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКОЙ
ПРОГРАММЫ СОЮЗНОГО ГОСУДАРСТВА "РАЗРАБОТКА И ОРГАНИЗАЦИЯ
ПРОИЗВОДСТВА СПЕЦИАЛЬНОГО ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО ОБОРУДОВАНИЯ
ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СВЕРХБОЛЬШИХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ
УРОВНЯ 0,5 - 0,25 МКМ" НА 2003 - 2006 ГОДЫ
1. Наименование проблемы и анализ причин ее возникновения
Развитие микроэлектроники рассматривается в настоящее время не только как главный фактор подъема промышленности, топливно-энергетического комплекса и транспорта, совершенствования военной техники, обеспечения социальной сферы, образования, здравоохранения, экологии и т.д., но и как главный показатель, определяющий место государства в мировом сообществе.
Изделия электронной техники являются основой аппаратуры и систем сверхвысокого быстродействия и сверхскоростной обработки информации, "умного" и высокоточного оружия, мозгом, глазами и ушами интеллектуальных систем вооружений и военной техники различных видов практически для всех родов войск, ключевыми функциональными элементами систем управления и жизнеобеспечения.
Особо следует отметить, что практика функционирования электронных компонентов в реальных условиях военных действий в локальных конфликтах, "горячих" точках показала полную бесперспективность и опасность использования зарубежной электронной компонентной базы (ЭКБ) по целому комплексу обстоятельств.
Поэтому в "Основах политики Российской Федерации в области развития электронной компонентной базы на период до 2010 года и дальнейшую перспективу" ставится задача на среднесрочный период (до 2006 года) по достижению технологической независимости от иностранных государств в разработке, производстве и применении ЭКБ, используемой в электронных системах, имеющих стратегическое значение для национальной безопасности Российской Федерации (стратегически значимые системы). При этом выделена группа стратегически значимых систем 1-го уровня, в которых использование иностранной ЭКБ не допускается. Группа стратегически значимых систем 2-го уровня допускает использование электронной компонентной базы, спроектированной в России и изготовленной на зарубежных технологических линиях по отечественным фотошаблонам.
На период до 2010 года ставится задача перехода к сквозному технологическому циклу отечественной разработки и производства отечественной ЭКБ на топологическом уровне не хуже 0,1 микрометра (мкм).
Решение поставленной в Основах задачи по достижению технологической независимости от иностранных государств в разработке и производстве стратегически значимой ЭКБ возможно только на базе отечественного специального технологического оборудования соответствующего класса.
Реальный уровень технологической базы российской и белорусской микроэлектроники на конец 1998 г. позволял осуществлять разработку и производство приборов с проектными нормами не менее 1,2 мкм. В России в конце 1998 г. на базе оборудования концерна "Планар", разработанного в рамках совместной российско-белорусской Программы "Победа", началось освоение технологии уровня 0,8 мкм. В настоящее время ведущие микроэлектронные предприятия Союзного государства - ОАО "Ангстрем", АООТ "НИИМЭ и завод "Микрон" (Россия), НПО "Интеграл" (Беларусь) на базе закупленного зарубежного литографического оборудования (second hand - бывшего в употреблении, но восстановленного) осваивают разработку и производство СБИС уровня 0,5 мкм. Диаметр используемых кремниевых пластин - 100 - 150 мм.
Таким образом, отставание микроэлектроники в Союзном государстве от мирового уровня за последние годы достигло 8 - 10 лет. В то же время, ведущие зарубежные страны вкладывают в развитие электроники и перспективных технологий колоссальные средства. В США только на развитие военной электроники ежегодно расходуется от 35 до 40 млрд. долл. При этом, приоритет отдается развитию не только изделий микроэлектроники, но и соответствующих технологических процессов и ключевого оборудования.
В Союзном государстве реализуются две крупные национальные технологические программы - Российская Федеральная целевая Программа "Национальная технологическая база" на 2002 - 2006 годы и белорусская Программа "Белэлектроника". Однако бюджетные средства, заложенные в ФЦП "Национальная технологическая база" на разработку базовых технологий производства новых поколений сверхбольших и сверхскоростных интегральных схем (СБИС и ССИС) с минимальными размерами элементов 0,1 - 0,25 мкм, в том числе базовой технологии производства спецстойких СБИС с минимальными размерами элементов 0,5 - 0,8 мкм (раздел II, п. 15), составляют всего лишь около 9,5 млн. долл. на 2002 - 2006 годы (1,9 млн. долл. в год) и не предусматривают работы по созданию отечественного спецтехнологического оборудования соответствующего класса. Капитальные вложения в объеме около 5 млн. долл. бюджетных средств (раздел II, п. 25) направляются на расширение производства СБИС уровня 0,5 - 0,35 мкм в ОАО "Ангстрем". В белорусской Программе "Белэлектроника" планируется на первом этапе (2001 - 2005 гг.) создание силами концерна "Планар" комплекта оборудования для производства СБИС только уровня до 0,35 мкм.
Таким образом, из задач, поставленных в "Основах политики Российской Федерации в области развития электронной компонентной базы на период до 2010 года и дальнейшую перспективу" и в ФЦП "Национальная технологическая база" по достижению технологической независимости от иностранных государств в разработке и производстве ЭКБ для стратегически значимых систем, неизбежно вытекает проблема создания до 2006 года отечественного специального технологического оборудования для изготовления СБИС уровня 0,25 мкм, а до 2010 года - уровня 0,1 мкм.
2. Обоснование актуальности разработки союзной Программы,
ее экономической эффективности для Беларуси и России
В производстве изделий микроэлектроники и, в первую очередь, СБИС в широком ряду технологических операций, определяющих достижимый технический уровень изделий, важнейшими являются процессы литографии. Поэтому уровень литографического оборудования, устойчивость и прецизионность технологии генерирования и переноса изображений топологического рисунка в основном определяют возможности создания и производства новых поколений интегральных схем.
В США, Европе и Японии при реализации технологических программ по освоению новых уровней технологии СБИС в качестве первичной и основополагающей задачи ставится создание новых классов литографического оборудования и обеспечение соответствующего уровня прецизионности и контроля параметров.
Производство специального технологического оборудования для микроэлектроники требует наличия развитой инфраструктуры и соответствующего научно-технического потенциала. К числу зарубежных стран, располагающих такими возможностями, относятся США, Япония, отдельные страны ЕЭС.
В число этих стран входит и Республика Беларусь, где государственный научно-производственный концерн точного машиностроения "Планар" разрабатывает и производит фотолитографическое, контрольное и сборочное оборудование для производства изделий микроэлектроники. Отдельные виды оборудования для обработки фоторезистовых слоев на пластинах, обработки шаблонов, травления и осаждения слоев и других технологических операций разрабатывают и производят российские предприятия электронного машиностроения - ОАО "НИИ полупроводникового машиностроения", АООТ "НИИ точного машиностроения", ОАО "Нижегородский институт технологии и организации производства".
Предлагаемая Программа Союзного государства по созданию специального технологического оборудования для производства СБИС на 2003 - 2006 годы (далее - Программа) направлена на обеспечение технологической независимости России и Беларуси в разработке и производстве электронной компонентной базы для стратегически значимых систем.
Она является развитием российско-белорусской Программы "Разработка и создание оптико-механического и контрольного оборудования для производства сверхбольших интегральных схем с топологическими элементами 0,8 - 0,5 мкм" (шифр "Победа"), Подпрограммы "Разработка и организация производства фотолитографического, контрольного и сборочного оборудования для изготовления сверхбольших интегральных схем" (шифр "Победа-2000") и основана на использовании накопленного в Республике Беларусь и в Российской Федерации научно-технического потенциала в области высоких технологий электронного машиностроения с целью дальнейшего развития промышленности государств-участников Союзного государства.
Предлагаемое к разработке оборудование необходимо также для обеспечения изделиями микроэлектроники таких базовых направлений развития Союзного государства, как создание средств связи, телевидения и радиовещания, информационно-телекоммуникационных систем, систем управления, других компьютерных и информационных программ топливно-энергетического комплекса, систем транспорта и путей сообщения и т.д.
2.1. Результаты реализации Программы "Победа"
и Подпрограммы "Победа-2000"
Основные итоги реализации Программы "Победа" и Подпрограммы "Победа-2000":
- благодаря созданию комплекта литографического и контрольно-измерительного оборудования отечественная микроэлектроника освоила в серийном производстве производство СБИС технологического уровня 0,8 мкм;
- создан научно-технический и технологический задел, позволяющий до 2004 - 2005 гг. осуществить разработку спецтехнологического оборудования нового поколения для освоения субмикронных технологий в диапазоне размеров 0,5 - 0,25 мкм.
Программа "Победа"
Программа "Победа" "Разработка и создание оптико-механического и контрольного оборудования для производства сверхбольших интегральных схем с топологическими элементами 0,8 - 0,5 мкм" принята к исполнению в соответствии с межправительственным Соглашением Республики Беларусь и Российской Федерации от 13 июня 1996 г., Перечнем межгосударственных совместных программ, одобренным Решением Исполкома Сообщества Беларуси и России от 4 сентября 1996 г., а также планом реализации на 1998 - 2000 гг., утвержденным Постановлением Исполкома Союза Беларуси и России от 9 декабря 1998 г. N 10.
Это первая совместная научно-техническая Программа, принятая к реализации Исполкомом Союза Беларуси и России. Решением Исполкома (Протокол заседания от 18 июня 1996 г. N 3, раздел VII, пункт 1) она была признана приоритетной.
Целью Программы "Победа" ставилась разработка и организация производства оптико-механического и контрольного оборудования для производства СБИС технологических уровней 0,8 - 0,5 мкм с отработкой на его базе технологических процессов микроэлектронного производства и создание научно-технического задела для дальнейшего освоения технологии уровня 0,35 мкм.
Источник финансирования Программы - государственные бюджеты России и Беларуси. При этом Российская Сторона финансировала разработку, изготовление и поставку для российских предприятий микроэлектроники опытных образцов оборудования, а Белорусская - работы по подготовке производства к серийному выпуску оборудования. Со 2 кв. 1998 г. Программа финансировалась из бюджета Союза Беларуси и России.
Объемы финансирования в ценах мая 1995 г., когда разрабатывалась Программа, были определены в размере 24 млн. руб. РФ с каждой Стороны с учетом деноминации.
Однако финансирование Программы "Победа" было начато только в январе 1997 года и в 1998 году было продолжено. Номинальные объемы финансирования были в 2 и более раз ниже предусмотренных Программой. Реальные же объемы финансирования по причине инфляции, включая известные события августа 1998 года в российской экономике, а затем и в белорусской, оказались еще ниже, что не позволило выполнить первоначально запланированные объемы работ. Поэтому, Постановлением Исполнительного Комитета Союза Беларуси и России от 9 декабря 1998 года N 10 был утвержден план реализации Программы "Победа" на 1998 - 2000 годы, в том числе и план финансирования из бюджета Союза (в ценах мая 1998 года с учетом деноминации с разбивкой - Беларусь/Россия) по годам:
1998 - 17,5 (10,0/7,5) млн. рос. руб.;
1999 - 35,5 (20,0/15,5) млн. рос. руб.;
2000 - 18,79 (8,663/10,127) млн. рос. руб.
На конец 2000 г. в сопоставимых ценах мая 1995 г. Программа была профинансирована только на 63,3%.
За время выполнения Программы получены следующие результаты:
разработана конструкторская документация на все 13 позиций Программы;
изготовлены, испытаны, приняты межведомственной комиссией и сданы в опытно-промышленную эксплуатацию на предприятиях-пользователях ОАО "Ангстрем" и АООТ "НИИМЭ и завод "Микрон" (Россия, г. Москва, Зеленоград) 9 единиц прецизионного оборудования, в том числе:
- две установки

ПОСТАНОВЛЕНИЕ n 48 Совета Министров Союзного государства"О ПРОГРАММЕ СОЮЗНОГО ГОСУДАРСТВА "БОРЬБА С ПРЕСТУПНОСТЬЮ НА ТЕРРИТОРИИ ГОСУДАРСТВ-УЧАСТНИКОВ СОЮЗНОГО ГОСУДАРСТВА НА ПЕРИОД 2003 - 2005 ГОДЫ"(Принято 30.12.2002)  »

Международное законодательство »