НАПРАВЛЕНИЕ 550700 - ЭЛЕКТРОНИКА И МИКРОЭЛЕКТРОНИКА. СТЕПЕНЬ (КВАЛИФИКАЦИЯ) - МАГИСТР ТЕХНИКИ И ТЕХНОЛОГИИ (утв. Минобразованием РФ 10.03.2000)
Утверждаю
Заместитель
Министра
образования
Российской Федерации
В.Д.ШАДРИКОВ
10 марта 2000 года
Регистрационный номер
22 тех/маг
Вводится
с момента утверждения
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ОБРАЗОВАТЕЛЬНЫЙ
СТАНДАРТ
ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО
ОБРАЗОВАНИЯ
НАПРАВЛЕНИЕ 550700 -
ЭЛЕКТРОНИКА И МИКРОЭЛЕКТРОНИКА
СТЕПЕНЬ
(КВАЛИФИКАЦИЯ) - МАГИСТР ТЕХНИКИ И
ТЕХНОЛОГИИ
1. Общая характеристика
направления "Электроника
и
микроэлектроника"
1.1. Направление
утверждено Приказом Министра образования
Российской Федерации от 02.03.2000 N 686.
1.2.
Степень (квалификация) выпускника - магистр
техники и технологии.
Нормативный срок
освоения основной образовательной
программы подготовки магистра по
направлению "Электроника и
микроэлектроника" при очной форме обучения
- 6 лет. Основная образовательная программа
подготовки магистра состоит из программы
подготовки бакалавра по соответствующему
направлению (4 года) и специализированной
подготовки магистра (2 года).
1.3.
Квалификационная характеристика
выпускника.
Магистр по направлению
подготовки "Электроника и
микроэлектроника" в соответствии с
требованиями "Квалификационного
справочника должностей руководителей
специалистов и других служащих",
утвержденного Постановлением Минтруда
России от 21.08.98 N 37, может занимать следующие
должности: инженер-электроник,
инженер-технолог, инженер-конструктор,
инженер-лаборант, младший научный
сотрудник, ассистент и прочие.
1.3.1.
Область профессиональной деятельности.
Область профессиональной деятельности
выпускника включает в себя совокупность
средств, способов и методов человеческой
деятельности, направленной на
исследование, моделирование, разработку,
производство и эксплуатацию материалов,
компонентов, приборов и устройств
различного назначения вакуумной,
плазменной, твердотельной, микро- и
наноэлектроники.
1.3.2. Объекты
профессиональной деятельности.
Объектами профессиональной деятельности
выпускника в зависимости от содержания
образовательной программы подготовки
(магистерской специализации) являются
материалы, структуры, элементы, компоненты,
приборы и устройства электронной техники,
технологические процессы их изготовления,
методы исследования, проектирование и
конструирование, диагностическое и
технологическое оборудование,
математические модели процессов и объектов
электроники и микроэлектроники, алгоритмы
решения типовых задач, относящихся к
профессиональной сфере.
1.3.3. Виды
профессиональной деятельности.
Магистр подготовлен к деятельности,
требующей углубленной фундаментальной и
профессиональной подготовки, в том числе к
научно-исследовательской работе; при
условиии освоения соответствующей
образовательно-профессиональной программы
педагогического профиля - к педагогической
деятельности.
1.3.4. Обобщенные задачи
профессиональной деятельности.
Магистр по направлению подготовки
"Электроника и микроэлектроника" должен
быть подготовлен к решению следующих
типовых задач:
- анализ состояния
научно-технической проблемы,
формулирование технического задания,
постановка цели и задач исследования
объекта на основе подбора и изучения
литературных и патентных источников;
-
анализ, систематизация и обобщение
научно-технической информации по теме
исследований;
- библиографический
поиск с использованием современных
информационных технологий;
- выбор
оптимального метода и программы
исследований, модификация существующих и
разработка новых методик, исходя из задач
конкретного исследования;
- измерение
или экспериментальное исследование
объектов электроники с целью их
модернизации или создания новых
материалов, компонентов, приборов или их
технологий;
- математическое
моделирование разрабатываемых структур,
приборов или технологических процессов с
целью оптимизации их параметров;
-
использование типовых и разработка новых
программных продуктов, ориентированных на
решение научных, проектных и
технологических задач электроники;
-
организация модельных и натурных
экспериментов по оптимизации структуры и
конструкции исследуемых приборов и
устройств, оценка их качества и надежности
на стадиях проектирования и эксплуатации;
- анализ научной и практической
значимости проводимых исследований, а
также оценка технико-экономической
эффективности разработки;
- подготовка
результатов исследований для
опубликования в научной печати, а также
составление обзоров, рефератов, отчетов и
докладов.
1.3.5. Квалификационные
требования.
Для решения
профессиональных задач магистр:
-
формулирует и решает задачи, возникающие в
ходе научно-исследовательской и
педагогической деятельности, и требующие
углубленных профессиональных знаний;
-
осуществляет сбор, обработку, анализ и
систематизацию научно-технической
информации по теме исследований;
-
изучает специальную литературу и другую
научно-техническую информацию, достижения
отечественной и зарубежной науки и техники
в своей профессиональной сфере;
-
выбирает необходимые методы исследования,
модифицирует существующие и разрабатывает
новые методы, исходя из задач конкретного
исследования;
- проводит
экспериментальные исследования объектов
электроники с целью их модернизации или
создания новых материалов, приборов или их
технологий;
- разрабатывает физические
и математические модели процессов и
явлений, относящихся к исследуемому
объекту;
- участвует в проектировании,
конструировании и модернизации объектов
электронной техники;
- составляет
описания проводимых исследований,
обрабатывает и анализирует полученные
результаты, представляет итоги проделанной
работы в виде отчетов, обзоров, докладов,
рефератов и статей;
- принимает участие
в составлении патентных и лицензионных
паспортов заявок на изобретения;
-
участвует во внедрении разработанных
технических решений и проектов, в оказании
технической помощи и осуществлении
авторского надзора при изготовлении,
испытаниях и сдаче в эксплуатацию
проектируемых изделий и объектов
электронной техники;
- подготавливает
рецензии, отзывы и заключения на
научно-технические разработки и
техническую документацию.
Магистр
должен знать:
- постановления,
распоряжения, приказы, методические и
нормативные материалы по своей
профессиональной деятельности;
-
специальную научно-техническую и патентную
литературу по тематике исследований и
разработок;
- информационные
технологии в научных исследованиях и
программные продукты, относящиеся к
профессиональной сфере;
- методы
исследования и проведение
экспериментальных работ;
- методы
анализа и обработки экспериментальных
данных;
- физические и математические
модели основных процессов и явлений,
относящихся к исследуемым объектам;
-
современные средства вычислительной
техники, коммуникации и связи;
-
технические характеристики и
экономические показатели отечественных и
зарубежных разработок в области
электронного материаловедения, элементной
базы электронной техники и электронного
приборостроения;
- порядок и методы
проведения патентных исследований;
-
методики оценки технико-экономической
эффективности научных и технических
разработок;
- основы экономики,
организации труда и управления
коллективом;
- основы трудового
законодательства;
- действующие
стандарты и технические условия, положения
и инструкции по эксплуатации
исследовательского оборудования,
программам испытаний, оформлению
технической документации;
- формы
организации образовательной и научной
деятельности в высших учебных заведениях.
1.4. Возможности продолжения
образования.
Магистр подготовлен к
обучению в аспирантуре преимущественно по
научным специальностям:
05.27.01
Твердотельная электроника,
радиоэлектронные компоненты, микро- и
наноэлектроника на квантовых эффектах;
05.27.02 Вакууммная и плазменная электроника;
05.27.03 Квантовая электроника;
05.27.06
Технология и оборудование для производства
полупроводников, материалов и приборов
электронной техники;
01.04.02
Теоретическая физика;
01.04.03
Радиофизика;
01.04.04 Физическая
электроника;
01.04.07 Физика
конденсированного состояния;
01.04.10
Физика полупроводников;
01.04.21 Лазерная
физика.
1.5. Перечень аннотированных
магистерских программ (проблемное поле
направления подготовки):
550701 -
Вакуумная и плазменная электроника.
Электронная и ионная эмиссия. Движение
заряженных частиц в статических
электрическом и магнитном полях в условиях
вакуума и разреженного газа. Формирование
потоков заряженных частиц и управление ими.
Ускорение заряженных частиц.
Взаимодействие заряженных частиц с твердым
телом. Физика вакуума. Физика плазмы.
Низкотемпературная плазма.
Электронно-лучевая и ионно-плазменная
технология. Вакуумные и плазменные приборы
и устройства. Моделирование процессов в
приборах и устройствах вакуумной и
плазменной электроники, методы их расчета и
проектирования.
550702 - Микроволновая
электроника.
Электромагнитные поля в
волноведущих и колебательных структурах
микроволнового и оптического диапазонов.
Микроволновые цепи. Потоки заряженных
частиц в вакууме, плазме и твердом теле.
Взаимодействие потоков заряженных частиц с
электромагнитным полем. Микро- и
наноструктуры в микроволновой электронике.
Релятивистская микроволновая электроника.
Микроволновые вакуумные, плазменные и
твердотельные приборы. Динамические
процессы в микроволновых приборах и
устройствах. Взаимодействие
микроволнового излучения с веществом.
Оптические методы обработки и передачи
информации. Микроволновые и оптические
телекоммуникационные и технологические
системы.
550703 - Твердотельная
электроника.
Классификация
интегральных микросхем (ИМС) по элементной
базе, технологии изготовления и
схемотопологическим решениям. Активные и
пассивные элементы ИМС. ИМС на основе
элементов транзисторно-транзисторной
логики (ТТЛ). Инжекционные интегральные
логические схемы. ИМС на основе структур
металл-оксид-полупроводник (МОП).
Комплементарные ИМС. ИМС на основе
арсенид-галлиевых транзисторов Шоттки.
Технологические схемы производства и
ограничения на топологию схем на
биполярных транзисторах и транзисторных
структурах
металл-диэлектрик-полупроводник (МДП).
Тенденции совершенствования ИМС и переход
на субмикронные размеры. Схемотехника
аналоговых ИМС. Особенности схемотехники
гибридных интегральных схем (ИС).
550704 -
Микро- и наноэлектроника.
Современная
микроэлектроника: достижения и прогнозы.
Технологические ограничения минимальных
размеров элементов ИМС. Ограничения,
связанные с процессами легирования
полупроводников. Физические ограничения
топологических размеров, степени и
плотности интеграции, быстродействия и
параметров элементов ИМС. Особенности
процессов электропереноса в
квантово-размерных приборах.
Баллистические приборы. Приборы на
резонансном туннелировании.
Функциональная электроника как один из
путей дальнейшего развития
микроэлектроники. Интеграция физических
явлений, принципов, функций и материалов с
целью перехода от цифровой
последовательной обработки информации к
аналоговой в реальном масштабе времени.
Акустоэлектроника. Магнитоэлектроника.
Молекулярная электроника. Проблемы
создания элементной базы, материаловедение
и схемотехника. Хранение и передача
информации на молекулярном уровне.
Принципы функционирования и архитектура
молекулярных схем. Молекулярная
электроника, как направление
функциональной электроники.
550705 -
Квантовая и оптическая электроника.
Взаимодействие электромагнитного
излучения с квантовыми системами. Усиление
и генерация электромагнитного излучения.
Свойства, распространение и преобразование
лазерных пучков. Оптические явления в
твердых телах. Оптические и
фотоэлектрические явления в неоднородных
структурах и на границах раздела.
Нелинейные оптические эффекты. Приборы
квантовой и оптической электроники. Мазеры.
Газовые лазеры. Твердотельные и жидкостные
лазеры. Полупроводниковые лазеры и
светодиоды. Приборы управления оптическим
излучением. Фотоприемники. Оптроны и
оптические датчики. Волоконно-оптические
элементы и устройства. Полупроводниковая
оптоэлектроника. Интегральная оптика.
Оптические методы передачи и обработки
информации. Голография. Применение
приборов и устройств оптической и
квантовой электроники.
550706 - Физическая
электроника.
Физические процессы,
лежащие в основе функционирования
электронных устройств и современных
технологий их изготовления. Физика эмиссии
частиц и излучения, их транспортировка в
различных полях и взаимодействие со средой.
Активные среды вакуумной, плазменной и
твердотельной электроники. Физика
формирования материалов и изделий с
заданными свойствами и управления ими на
атомном уровне.
550707 - Материалы и
компоненты твердотельной электроники.
Процессы получения и модификации
кристаллических и некристаллических
объемных и пленочных материалов
твердотельной электроники. Моделирование
процессов получения материалов и
гетерокомпозиций. Физико-химические основы
технологии полупроводниковых,
диэлектрических, металлических, магнитных
материалов и структур на их основе.
Физические явления и процессы в
компонентах, приборах и устройствах
электронной аппаратуры. Диагностика
материалов, элементов и компонентов
твердотельной электроники. Применение
материалов и компонентов для создания
электронных устройств.
550708 - Физика
полупроводников и диэлектриков.
Элементы теоретической физики. Симметрия и
свойства кристаллов. Динамика решетки.
Электронные состояния. Зонная структура
идеальных кристаллов. Примеси и дефекты.
Твердые растворы и неупорядоченные
системы. Явления переноса. Коллективные
возбуждения и квазичастицы в кристаллах.
Физика поверхности и контактные явления в
полупроводниках. Гетероструктуры. Эффекты
размерного квантования. Системы низкой
размерности. Оптические и
фотоэлектрические явления в
полупроводниках. Физико-химические основы
технологии. Полупроводниковые материалы и
структуры. Диэлектрики. Металлы. Магнитные
материалы. Диагностика и контроль свойств
материалов и структур. Применение
полупроводников и диэлектриков.
550709 -
Полупроводниковые приборы.
Полупроводниковые диоды с p-n-переходом:
выпрямительные, высокочастотные,
импульсные, стабилитроны, p-i-n-диоды,
варикапы, варакторы. Туннельные диоды.
Обращенные диоды. Системы параметров.
Биполярные транзисторы. Системы
параметров, характеристики. Предельные
режимы. Конструкции. Особенности силовых
высоковольтных транзисторов.
МДП-транзисторы. Параметры и
характеристики.
Конструктивно-технологические варианты.
Специфика мощных МДП-транзисторов. Полевые
транзисторы с управляющим p-n-переходом и
барьером Шоттки. Транзисторы