НАПРАВЛЕНИЕ 550700 - ЭЛЕКТРОНИКА И МИКРОЭЛЕКТРОНИКА. СТЕПЕНЬ (КВАЛИФИКАЦИЯ) - МАГИСТР ТЕХНИКИ И ТЕХНОЛОГИИ (утв. Минобразованием РФ 10.03.2000)

Утверждаю
Заместитель
Министра образования
Российской Федерации
В.Д.ШАДРИКОВ
10 марта 2000 года
Регистрационный номер
22 тех/маг
Вводится
с момента утверждения
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ОБРАЗОВАТЕЛЬНЫЙ СТАНДАРТ
ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ
НАПРАВЛЕНИЕ 550700 - ЭЛЕКТРОНИКА И МИКРОЭЛЕКТРОНИКА
СТЕПЕНЬ (КВАЛИФИКАЦИЯ) - МАГИСТР ТЕХНИКИ И ТЕХНОЛОГИИ
1. Общая характеристика направления "Электроника
и микроэлектроника"
1.1. Направление утверждено Приказом Министра образования Российской Федерации от 02.03.2000 N 686.
1.2. Степень (квалификация) выпускника - магистр техники и технологии.
Нормативный срок освоения основной образовательной программы подготовки магистра по направлению "Электроника и микроэлектроника" при очной форме обучения - 6 лет. Основная образовательная программа подготовки магистра состоит из программы подготовки бакалавра по соответствующему направлению (4 года) и специализированной подготовки магистра (2 года).
1.3. Квалификационная характеристика выпускника.
Магистр по направлению подготовки "Электроника и микроэлектроника" в соответствии с требованиями "Квалификационного справочника должностей руководителей специалистов и других служащих", утвержденного Постановлением Минтруда России от 21.08.98 N 37, может занимать следующие должности: инженер-электроник, инженер-технолог, инженер-конструктор, инженер-лаборант, младший научный сотрудник, ассистент и прочие.
1.3.1. Область профессиональной деятельности.
Область профессиональной деятельности выпускника включает в себя совокупность средств, способов и методов человеческой деятельности, направленной на исследование, моделирование, разработку, производство и эксплуатацию материалов, компонентов, приборов и устройств различного назначения вакуумной, плазменной, твердотельной, микро- и наноэлектроники.
1.3.2. Объекты профессиональной деятельности.
Объектами профессиональной деятельности выпускника в зависимости от содержания образовательной программы подготовки (магистерской специализации) являются материалы, структуры, элементы, компоненты, приборы и устройства электронной техники, технологические процессы их изготовления, методы исследования, проектирование и конструирование, диагностическое и технологическое оборудование, математические модели процессов и объектов электроники и микроэлектроники, алгоритмы решения типовых задач, относящихся к профессиональной сфере.
1.3.3. Виды профессиональной деятельности.
Магистр подготовлен к деятельности, требующей углубленной фундаментальной и профессиональной подготовки, в том числе к научно-исследовательской работе; при условиии освоения соответствующей образовательно-профессиональной программы педагогического профиля - к педагогической деятельности.
1.3.4. Обобщенные задачи профессиональной деятельности.
Магистр по направлению подготовки "Электроника и микроэлектроника" должен быть подготовлен к решению следующих типовых задач:
- анализ состояния научно-технической проблемы, формулирование технического задания, постановка цели и задач исследования объекта на основе подбора и изучения литературных и патентных источников;
- анализ, систематизация и обобщение научно-технической информации по теме исследований;
- библиографический поиск с использованием современных информационных технологий;
- выбор оптимального метода и программы исследований, модификация существующих и разработка новых методик, исходя из задач конкретного исследования;
- измерение или экспериментальное исследование объектов электроники с целью их модернизации или создания новых материалов, компонентов, приборов или их технологий;
- математическое моделирование разрабатываемых структур, приборов или технологических процессов с целью оптимизации их параметров;
- использование типовых и разработка новых программных продуктов, ориентированных на решение научных, проектных и технологических задач электроники;
- организация модельных и натурных экспериментов по оптимизации структуры и конструкции исследуемых приборов и устройств, оценка их качества и надежности на стадиях проектирования и эксплуатации;
- анализ научной и практической значимости проводимых исследований, а также оценка технико-экономической эффективности разработки;
- подготовка результатов исследований для опубликования в научной печати, а также составление обзоров, рефератов, отчетов и докладов.
1.3.5. Квалификационные требования.
Для решения профессиональных задач магистр:
- формулирует и решает задачи, возникающие в ходе научно-исследовательской и педагогической деятельности, и требующие углубленных профессиональных знаний;
- осуществляет сбор, обработку, анализ и систематизацию научно-технической информации по теме исследований;
- изучает специальную литературу и другую научно-техническую информацию, достижения отечественной и зарубежной науки и техники в своей профессиональной сфере;
- выбирает необходимые методы исследования, модифицирует существующие и разрабатывает новые методы, исходя из задач конкретного исследования;
- проводит экспериментальные исследования объектов электроники с целью их модернизации или создания новых материалов, приборов или их технологий;
- разрабатывает физические и математические модели процессов и явлений, относящихся к исследуемому объекту;
- участвует в проектировании, конструировании и модернизации объектов электронной техники;
- составляет описания проводимых исследований, обрабатывает и анализирует полученные результаты, представляет итоги проделанной работы в виде отчетов, обзоров, докладов, рефератов и статей;
- принимает участие в составлении патентных и лицензионных паспортов заявок на изобретения;
- участвует во внедрении разработанных технических решений и проектов, в оказании технической помощи и осуществлении авторского надзора при изготовлении, испытаниях и сдаче в эксплуатацию проектируемых изделий и объектов электронной техники;
- подготавливает рецензии, отзывы и заключения на научно-технические разработки и техническую документацию.
Магистр должен знать:
- постановления, распоряжения, приказы, методические и нормативные материалы по своей профессиональной деятельности;
- специальную научно-техническую и патентную литературу по тематике исследований и разработок;
- информационные технологии в научных исследованиях и программные продукты, относящиеся к профессиональной сфере;
- методы исследования и проведение экспериментальных работ;
- методы анализа и обработки экспериментальных данных;
- физические и математические модели основных процессов и явлений, относящихся к исследуемым объектам;
- современные средства вычислительной техники, коммуникации и связи;
- технические характеристики и экономические показатели отечественных и зарубежных разработок в области электронного материаловедения, элементной базы электронной техники и электронного приборостроения;
- порядок и методы проведения патентных исследований;
- методики оценки технико-экономической эффективности научных и технических разработок;
- основы экономики, организации труда и управления коллективом;
- основы трудового законодательства;
- действующие стандарты и технические условия, положения и инструкции по эксплуатации исследовательского оборудования, программам испытаний, оформлению технической документации;
- формы организации образовательной и научной деятельности в высших учебных заведениях.
1.4. Возможности продолжения образования.
Магистр подготовлен к обучению в аспирантуре преимущественно по научным специальностям:
05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника на квантовых эффектах;
05.27.02 Вакууммная и плазменная электроника;
05.27.03 Квантовая электроника;
05.27.06 Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники;
01.04.02 Теоретическая физика;
01.04.03 Радиофизика;
01.04.04 Физическая электроника;
01.04.07 Физика конденсированного состояния;
01.04.10 Физика полупроводников;
01.04.21 Лазерная физика.
1.5. Перечень аннотированных магистерских программ (проблемное поле направления подготовки):
550701 - Вакуумная и плазменная электроника.
Электронная и ионная эмиссия. Движение заряженных частиц в статических электрическом и магнитном полях в условиях вакуума и разреженного газа. Формирование потоков заряженных частиц и управление ими. Ускорение заряженных частиц. Взаимодействие заряженных частиц с твердым телом. Физика вакуума. Физика плазмы. Низкотемпературная плазма. Электронно-лучевая и ионно-плазменная технология. Вакуумные и плазменные приборы и устройства. Моделирование процессов в приборах и устройствах вакуумной и плазменной электроники, методы их расчета и проектирования.
550702 - Микроволновая электроника.
Электромагнитные поля в волноведущих и колебательных структурах микроволнового и оптического диапазонов. Микроволновые цепи. Потоки заряженных частиц в вакууме, плазме и твердом теле. Взаимодействие потоков заряженных частиц с электромагнитным полем. Микро- и наноструктуры в микроволновой электронике. Релятивистская микроволновая электроника. Микроволновые вакуумные, плазменные и твердотельные приборы. Динамические процессы в микроволновых приборах и устройствах. Взаимодействие микроволнового излучения с веществом. Оптические методы обработки и передачи информации. Микроволновые и оптические телекоммуникационные и технологические системы.
550703 - Твердотельная электроника.
Классификация интегральных микросхем (ИМС) по элементной базе, технологии изготовления и схемотопологическим решениям. Активные и пассивные элементы ИМС. ИМС на основе элементов транзисторно-транзисторной логики (ТТЛ). Инжекционные интегральные логические схемы. ИМС на основе структур металл-оксид-полупроводник (МОП). Комплементарные ИМС. ИМС на основе арсенид-галлиевых транзисторов Шоттки. Технологические схемы производства и ограничения на топологию схем на биполярных транзисторах и транзисторных структурах металл-диэлектрик-полупроводник (МДП). Тенденции совершенствования ИМС и переход на субмикронные размеры. Схемотехника аналоговых ИМС. Особенности схемотехники гибридных интегральных схем (ИС).
550704 - Микро- и наноэлектроника.
Современная микроэлектроника: достижения и прогнозы. Технологические ограничения минимальных размеров элементов ИМС. Ограничения, связанные с процессами легирования полупроводников. Физические ограничения топологических размеров, степени и плотности интеграции, быстродействия и параметров элементов ИМС. Особенности процессов электропереноса в квантово-размерных приборах. Баллистические приборы. Приборы на резонансном туннелировании. Функциональная электроника как один из путей дальнейшего развития микроэлектроники. Интеграция физических явлений, принципов, функций и материалов с целью перехода от цифровой последовательной обработки информации к аналоговой в реальном масштабе времени. Акустоэлектроника. Магнитоэлектроника. Молекулярная электроника. Проблемы создания элементной базы, материаловедение и схемотехника. Хранение и передача информации на молекулярном уровне. Принципы функционирования и архитектура молекулярных схем. Молекулярная электроника, как направление функциональной электроники.
550705 - Квантовая и оптическая электроника.
Взаимодействие электромагнитного излучения с квантовыми системами. Усиление и генерация электромагнитного излучения. Свойства, распространение и преобразование лазерных пучков. Оптические явления в твердых телах. Оптические и фотоэлектрические явления в неоднородных структурах и на границах раздела. Нелинейные оптические эффекты. Приборы квантовой и оптической электроники. Мазеры. Газовые лазеры. Твердотельные и жидкостные лазеры. Полупроводниковые лазеры и светодиоды. Приборы управления оптическим излучением. Фотоприемники. Оптроны и оптические датчики. Волоконно-оптические элементы и устройства. Полупроводниковая оптоэлектроника. Интегральная оптика. Оптические методы передачи и обработки информации. Голография. Применение приборов и устройств оптической и квантовой электроники.
550706 - Физическая электроника.
Физические процессы, лежащие в основе функционирования электронных устройств и современных технологий их изготовления. Физика эмиссии частиц и излучения, их транспортировка в различных полях и взаимодействие со средой. Активные среды вакуумной, плазменной и твердотельной электроники. Физика формирования материалов и изделий с заданными свойствами и управления ими на атомном уровне.
550707 - Материалы и компоненты твердотельной электроники.
Процессы получения и модификации кристаллических и некристаллических объемных и пленочных материалов твердотельной электроники. Моделирование процессов получения материалов и гетерокомпозиций. Физико-химические основы технологии полупроводниковых, диэлектрических, металлических, магнитных материалов и структур на их основе. Физические явления и процессы в компонентах, приборах и устройствах электронной аппаратуры. Диагностика материалов, элементов и компонентов твердотельной электроники. Применение материалов и компонентов для создания электронных устройств.
550708 - Физика полупроводников и диэлектриков.
Элементы теоретической физики. Симметрия и свойства кристаллов. Динамика решетки. Электронные состояния. Зонная структура идеальных кристаллов. Примеси и дефекты. Твердые растворы и неупорядоченные системы. Явления переноса. Коллективные возбуждения и квазичастицы в кристаллах. Физика поверхности и контактные явления в полупроводниках. Гетероструктуры. Эффекты размерного квантования. Системы низкой размерности. Оптические и фотоэлектрические явления в полупроводниках. Физико-химические основы технологии. Полупроводниковые материалы и структуры. Диэлектрики. Металлы. Магнитные материалы. Диагностика и контроль свойств материалов и структур. Применение полупроводников и диэлектриков.
550709 - Полупроводниковые приборы.
Полупроводниковые диоды с p-n-переходом: выпрямительные, высокочастотные, импульсные, стабилитроны, p-i-n-диоды, варикапы, варакторы. Туннельные диоды. Обращенные диоды. Системы параметров. Биполярные транзисторы. Системы параметров, характеристики. Предельные режимы. Конструкции. Особенности силовых высоковольтных транзисторов. МДП-транзисторы. Параметры и характеристики. Конструктивно-технологические варианты. Специфика мощных МДП-транзисторов. Полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом и барьером Шоттки. Транзисторы