|
Расширенный поиск
Постановление Правительства Российской Федерации от 26.11.2007 № 809
Документ имеет не последнюю редакцию.
гетероэпитаксиальных структур техники связи, радиолокации (2009 год) 4. Разработка базовой технологии 770 136 337 297 создание технологии производства на и библиотеки элементов для --- --- --- --- основе нитридных проектирования и производства 512 90 225 197 гетероэпитаксиальных структур мощных монолитных интегральных схем сверхвысокочастотных монолитных сверхвысокочастотного интегральных схем с рабочими диапазона на основе нитридных частотами до 20 ГГц для техники гетероэпитаксиальных структур связи, радиолокации (2011 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии 5. Разработка базовой технологии 237 166 71 создание базовой технологии производства --- --- -- производства компонентов для сверхвысокочастотных 151 111 40 сверхвысокочастотных интегральных компонентов и схем диапазона 2-12 ГГц с высокой сложнофункциональных блоков степенью интеграции для аппаратуры для сверхвысокочастотных радиолокации и связи бортового и интегральных схем высокой наземного применения, а также степени интеграции на основе бытовой и автомобильной электроники гетероструктур "кремний - (2009 год), разработка комплектов германий" документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии 6. Разработка базовой технологии 532 100 246 186 создание базовой технологии производства --- --- --- --- производства сверхвысокочастотных сверхвысокочастотных 352 64 164 124 интегральных схем диапазона 2-12 ГГц интегральных схем высокой с высокой степенью интеграции для степени интеграции на основе аппаратуры радиолокации и связи гетероструктур "кремний - бортового и наземного применения, а германий" также бытовой и автомобильной электроники (2011 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии 7. Разработка аттестованных 111 76 35 разработка аттестованных библиотек библиотек сложнофункциональных --- -- -- сложнофункциональных блоков для блоков для проектирования 81 51 30 проектирования широкого спектра сверхвысокочастотных и сверхвысокочастотных интегральных радиочастотных интегральных схем на SiGe с рабочими частотами до схем на основе гетероструктур 150 ГГц, разработка комплектов "кремний - германий" документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии 8. Разработка базовых технологий 207 40 100 67 создание базовых технологий проектирования --- -- --- -- проектирования на основе библиотеки кремний-германиевых 142 30 67 45 сложнофункциональных блоков широкого сверхвысокочастотных и спектра сверхвысокочастотных радиочастотных интегральных интегральных схем на SiGe с рабочими схем на основе аттестованной частотами до 150 ГГц (2011 год), библиотеки разработка комплектов документации в сложнофункциональных блоков стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии 9. Разработка базовых технологий 120 60 60 создание базовых технологий производства элементной базы --- -- -- производства элементной базы для для ряда силовых герметичных 80 40 40 высокоплотных источников вторичного модулей высокоплотных электропитания сверхвысокочастотных источников вторичного приборов и узлов аппаратуры (2009 электропитания вакуумных и год), разработка комплектов твердотельных документации в стандартах единой сверхвысокочастотных приборов системы конструкторской, и узлов аппаратуры технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии 10. Разработка базовых технологий 153 89 64 создание базовых конструкций и производства ряда силовых --- -- -- технологии производства герметичных модулей 102 60 42 высокоэффективных, высокоплотных высокоплотных источников источников вторичного электропитания вторичного электропитания сверхвысокочастотных приборов и вакуумных и твердотельных узлов аппаратуры на основе сверхвысокочастотных приборов гибридно-пленочной технологии с и узлов аппаратуры применением бескорпусной элементной базы (2011 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии 11. Разработка базовых конструкций 124 74 50 создание технологии массового и технологии производства --- -- -- производства ряда корпусов мощных корпусов мощных 85 52 33 сверхвысокочастотных приборов для сверхвысокочастотных "бессвинцовой" сборки (2009 год), транзисторов X-, C-, S-, L- и разработка комплектов документации в P-диапазонов из малотоксичных стандартах единой системы материалов с высокой конструкторской, технологической и теплопроводностью производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии 12. Разработка базовых конструкций 150 45 60 45 создание базовых конструктивных теплоотводящих элементов --- -- -- -- рядов элементов систем охлаждения систем охлаждения 97 30 40 27 аппаратуры Х- и С-диапазонов сверхвысокочастотных приборов наземных, корабельных и Х- и С-диапазонов на основе воздушно-космических комплексов новых материалов 13. Разработка базовой технологии 93 60 33 создание технологии массового производства теплоотводящих -- -- -- производства конструктивного ряда элементов систем охлаждения 62 32 30 элементов систем охлаждения сверхвысокочастотных приборов аппаратуры Х- и С-диапазонов Х- и С-диапазонов на основе наземных, корабельных и новых материалов воздушно-космических комплексов (2011 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии 14. Разработка базовых технологий 96 53 43 создание технологии массового производства суперлинейных -- -- -- производства конструктивного ряда кремниевых 62 35 27 сверхвысокочастотных транзисторов S- сверхвысокочастотных и L-диапазонов для техники связи, транзисторов S- и L-диапазонов локации и контрольной аппаратуры (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии 15. Разработка 170 95 75 создание конструктивно-параметрического --- -- -- конструктивно-параметрического ряда ряда суперлинейных кремниевых 116 70 46 сверхвысокочастотных транзисторов S- сверхвысокочастотных и L-диапазонов для техники связи, транзисторов S- и L-диапазонов локации и контрольной аппаратуры, разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии 16. Разработка технологии 87 45 42 разработка метрологической измерений и базовых -- -- -- аппаратуры нового поколения для конструкций установок 57 27 30 исследования и контроля параметров автоматизированного измерения полупроводниковых структур, активных параметров нелинейных моделей элементов и сверхвысокочастотных сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем в полупроводниковых структур, производстве и при их использовании мощных транзисторов и сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем X-, C-, S-, L- и P-диапазонов для их массового производства 17. Исследование и разработка 104 54 50 создание технологии унифицированных базовых технологий для --- -- -- сверхширокополосных приборов создания нового поколения 69 36 33 среднего и большого уровня мощности мощных вакуумно-твердотельных сантиметрового диапазона длин волн и сверхвысокочастотных приборов сверхвысокочастотных и гибридных малогабаритных магнитоэлектрических приборов для сверхвысокочастотных модулей с перспективных радиоэлектронных улучшенными массогабаритными систем и аппаратуры связи характеристиками, космического базирования (2009 год), магнитоэлектрических приборов разработка комплектов документации в сверхвысокочастотного стандартах единой системы диапазона, в том числе конструкторской, технологической и циркуляторов и фазовращателей, производственной документации, ввод вентилей, высокодобротных в эксплуатацию производственной резонаторов, перестраиваемых линии фильтров, микроволновых приборов со спиновым управлением для перспективных радиоэлектронных систем двойного назначения 18. Разработка базовых конструкций 141 89 52 разработка конструктивных рядов и и технологии производства --- -- -- базовых технологий производства нового поколения мощных 95 60 35 сверхширокополосных приборов вакуумно-твердотельных среднего и большого уровня мощности сверхвысокочастотных приборов сантиметрового диапазона длин волн и и гибридных малогабаритных сверхвысокочастотных сверхвысокочастотных модулей с магнитоэлектрических приборов для улучшенными массогабаритными перспективных радиоэлектронных характеристиками, систем и аппаратуры связи магнитоэлектрических приборов космического базирования (2011 год), сверхвысокочастотного разработка комплектов документации в диапазона, в том числе стандартах единой системы циркуляторов и фазовращателей, конструкторской, технологической и вентилей, высокодобротных производственной документации, ввод резонаторов, перестраиваемых в эксплуатацию производственной фильтров, микроволновых линии приборов со спиновым управлением для перспективных радиоэлектронных систем двойного назначения 19. Исследование и разработка 85 45 40 создание технологических процессов процессов и базовых технологий -- -- -- производства нанопленочных нанопленочных малогабаритных 57 30 27 малогабаритных сверхвысокочастотных сверхвысокочастотных резисторно-индуктивно-емкостных резисторно-индуктивно- матриц многофункционального емкостных матриц назначения для печатного монтажа многофункционального (2008 год), создание базовой назначения для печатного технологии получения монтажа и сверхбыстродействующих (до 150 ГГц) сверхбыстродействующих (до 150 приборов на наногетероструктурах с ГГц) приборов на квантовыми эффектами (2009 год), наногетероструктурах с разработка комплектов документации в квантовыми дефектами стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии 20. Разработка базовых конструкций 85 45 40 создание конструктивных рядов и и технологии производства -- -- -- базовых технологий производства нанопленочных малогабаритных 57 30 27 нанопленочных малогабаритных сверхвысокочастотных сверхвысокочастотных резисторно-индуктивно- резисторно-индуктивно-емкостных емкостных матриц матриц многофункционального многофункционального назначения для печатного монтажа назначения для печатного (2011 год), разработка комплектов монтажа документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии 21. Разработка базовой технологии 156 86 70 создание базовой технологии сверхвысокочастотных p-i-n --- -- -- производства элементов и специальных диодов, матриц, узлов 104 57 47 элементов и блоков портативной управления и портативных аппаратуры миллиметрового диапазона фазированных блоков аппаратуры длин волн для нового поколения миллиметрового диапазона длин средств связи, радиолокационных волн на основе станций, радионавигации, магнитоэлектронных измерительной техники, автомобильных твердотельных и радаров, охранных и сигнальных высокоскоростных цифровых устройств (2009 год), разработка приборов и устройств с комплектов документации в стандартах функциями адаптации и единой системы конструкторской, цифрового диаграммообразования технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии 22. Разработка базовых технологий 2670 375 420 450 525 900 создание конструктивных рядов и создания мощных вакуумных ---- --- --- --- --- --- базовых технологий проектирования и сверхвысокочастотных устройств 1780 250 280 300 350 600 производства мощных и сверхмощных вакуумных сверхвысокочастотных приборов для аппаратуры широкого назначения нового поколения (2009 год, 2011 год), включая разработку: конструкций многолучевых электронно-оптических систем, включая автоэмиссионные катоды повышенной мощности и долговечности (2012 год); мощных широкополосных ламп бегущей волны импульсного и непрерывного действия, магнетронов, тетродов миллиметрового диапазона (2013 год); малогабаритных ускорителей электронов с энергией до 10 МЭВ для терапевтических и технических приложений (2014 год) 23. Разработка базовых технологий 1785 150 300 300 135 900 создание базовых конструкций и создания мощных твердотельных ---- --- --- --- --- --- технологий изготовления сверхвысокочастотных устройств 1190 100 200 200 90 600 сверхвысокочастотных мощных приборов на базе нитрида галлия на структурах с использованием нитрида галлия (2008 год, 2010 год), включая: создание гетеропереходных полевых транзисторов с диодом Шоттки с удельной мощностью до 30-40 Вт/мм и рабочими напряжениями до 100 В; исследования и разработку технологий получения гетероструктур на основе слоев нитрида галлия на изоляторе и высокоомных подложках (2013 год); разработка технологии получения интегральных схем, работающих в экстремальных условиях (2015 год) 24. Исследование перспективных 1080 1080 исследование технологических типов сверхвысокочастотных ---- ---- принципов формирования перспективных приборов и структур, 720 720 сверхвысокочастотных приборов и разработка технологических структур, включая создание принципов их изготовления наногетероструктур, использование комбинированных (электронных и оптических методов передачи и преобразования сигналов), определение перспективных методов формирования приборных структур, работающих в частотных диапазонах до 200 ГГц 25. Разработка перспективных 1050 1050 создание полного состава прикладных методов проектирования и ---- ---- программ проектирования и моделирования 700 700 оптимизации сверхвысокочастотной сложнофункциональной электронной компонентной базы, сверхвысокочастотной включая проектирование активных электронной компонентной базы приборов, полосковых линий передачи, согласующих компонентов, формируемых в едином технологическом процессе Всего по направлению 1 10791 1545 1722 1930,5 1603,5 3930 ----- ---- ---- ------ ------ ---- 7194 1030 1148 1327 1069 2620 Направление 2. Радиационно стойкая электронная компонентная база 26. Разработка базовой технологии 151 71 80 создание технологии изготовления радиационно стойких ----- ---- ---- микросхем с размерами элементов 0,5 сверхбольших интегральных схем 100,8 47,4 53,4 мкм на структурах "кремний на уровня 0,5 мкм на структурах сапфире" диаметром 150 мм (2009 "кремний на сапфире" диаметром год), разработка правил 150 мм проектирования базовых библиотек элементов и блоков цифровых и аналоговых сверхбольших интегральных схем расширенной номенклатуры для организации производства радиационно стойкой элементной базы, обеспечивающей выпуск специальной аппаратуры и систем, работающих в экстремальных условиях (атомная энергетика, космос, военная техника) 27. Разработка базовой технологии 315,4 59,4 256 создание технологии изготовления радиационно стойких ----- ---- ----- микросхем с размерами элементов 0,35 сверхбольших интегральных схем 210,3 39,6 170,7 мкм на структурах "кремний на уровня 0,35 мкм на структурах сапфире" диаметром 150 мм (2011 "кремний на сапфире" диаметром год), разработка правил 150 мм проектирования базовых библиотек элементов и блоков цифровых и аналоговых сверхбольших интегральных схем, обеспечивающих создание расширенной номенклатуры быстродействующей и высокоинтегрированной радиационностойкой элементной базы 28. Разработка технологии 155 71 84 создание технологического базиса проектирования и ----- ---- -- (технология проектирования, базовые конструктивно-технологических 103,4 47,4 56 технологии), позволяющего решений библиотеки логических разрабатывать радиационно стойкие и аналоговых элементов, сверхбольшие интегральные схемы на оперативных запоминающих структурах "кремний на изоляторе" с устройств, постоянных проектной нормой до 0,25 мкм (2009 запоминающих устройств, год) сложнофункциональных радиационно стойких блоков контроллеров по технологии "кремний на изоляторе" с проектными нормами до 0,25 мкм 29. Разработка технологии 360,1 81,5 278,6 создание технологического базиса проектирования и ----- ---- ----- (технология проектирования, базовые конструктивно-технологических 240 54,3 185,7 технологии), позволяющего решений библиотеки логических разрабатывать радиационно стойкие и аналоговых элементов, сверхбольшие интегральные схемы на оперативных запоминающих структурах "кремний на изоляторе" с устройств, постоянных проектной нормой до 0,18 мкм запоминающих устройств, сложнофункциональных радиационно стойких блоков контроллеров по технологии "кремний на изоляторе" с проектными нормами до 0,18 мкм 30. Разработка базовых 174 98 76 создание технологического процесса технологических процессов --- ---- ---- изготовления сверхбольших изготовления радиационно 116 65,3 50,7 интегральных схем энергонезависимой, стойкой элементной базы для радиационно стойкой сверхбольших интегральных схем сегнетоэлектрической памяти уровня энергозависимой 0,35 мкм и базовой технологии пьезоэлектрической и создания, изготовления и аттестации магниторезистивной памяти с радиационно стойкой пассивной проектными нормами 0,35 мкм и электронной компонентной базы (2009 пассивной радиационно стойкой год) элементной базы 31. Разработка базовых 261 56 205 создание технологического процесса технологических процессов ----- ---- ----- изготовления сверхбольших изготовления радиационно 174,2 37,3 136,9 интегральных схем энергонезависимой стойкой элементной базы для радиационно стойкой сверхбольших интегральных схем сегнетоэлектрической памяти уровня энергозависимой 0,18 мкм (2010 год) и создания, пьезоэлектрической и изготовления и аттестации магниторезистивной памяти с радиационно стойкой пассивной проектными нормами 0,18 мкм и электронной компонентной базы (2011 пассивной радиационно стойкой год) элементной базы 32. Разработка технологии "кремний 140,8 83,2 57,6 разработка расширенного ряда на сапфире" изготовления ряда ----- ---- ---- цифровых процессоров, лицензионно-независимых 93,9 55,4 38,5 микроконтроллеров, оперативных радиационно стойких запоминающих программируемых и комплементарных полевых перепрограммируемых устройств, полупроводниковых сверхбольших аналого-цифровых преобразователей в интегральных схем цифровых радиационно стойком исполнении для процессоров обработки создания специальной аппаратуры сигналов, микроконтроллеров и нового поколения схем интерфейса 33. Разработка технологии структур 374 74,5 299,5 создание технологии проектирования и с ультратонким слоем кремния ----- ---- ----- изготовления микросхем и на сапфире 249,5 49,8 199,7 сложнофункциональных блоков на основе ультратонких слоев на структуре "кремний на сапфире", позволяющей разрабатывать радиационно стойкие сверхбольшие интегральные схемы с высоким уровнем радиационной стойкости (2011 год) 34. Разработка базовой технологии 152,6 80,6 72 разработка конструкции и модели и приборно-технологического ----- ---- -- интегральных элементов и базиса производства 98,4 50,4 48 технологического маршрута радиационно стойких изготовления радиационно стойких сверхбольших интегральных схем сверхбольших интегральных схем типа "система на кристалле", "система на кристалле" с расширенным радиационно стойкой силовой температурным диапазоном, силовых электроники для аппаратуры транзисторов и модулей для бортовых питания и управления и промышленных систем управления с пробивными напряжениями до 75 В и рабочими токами коммутации до 10 А (2009 год) 35. Разработка элементной базы 81,2 33,2 48 создание ряда микронанотриодов и радиационно стойких ---- ---- -- микронанодиодов с наивысшей интегральных схем на основе 57,5 25,5 32 радиационной стойкостью для полевых эмиссионных долговечной аппаратуры космического микронанотриодов базирования 36. Создание информационной базы 251 61,1 189,9 разработка комплекса моделей расчета радиационно стойкой ----- ---- ----- радиационной стойкости электронной электронной компонентной базы, 167,3 40,7 126,6 компонентной базы для определения содержащей модели интегральных технически обоснованных норм компонентов, функционирующих в испытаний условиях радиационных воздействий, создание математических моделей стойкости электронной компонентной базы, создание методик испытаний и аттестации электронной компонентной базы 37. Разработка библиотек 975 975 создание технологии проектирования и стандартных элементов и --- --- изготовления микросхем и сложнофункциональных блоков 650 650 сложнофункциональных блоков на для создания радиационно основе ультратонких слоев на стойких сверхбольших структуре "кремний на сапфире", интегральных схем позволяющей разрабатывать радиационно стойкие сверхбольшие интегральные схемы с высоким уровнем радиационной стойкости (2012 год, 2015 год) 38. Разработка расширенного ряда 975 975 разработка расширенного ряда радиационно стойких --- --- цифровых процессоров, сверхбольших интегральных схем 600 600 микроконтроллеров, оперативных для специальной аппаратуры запоминающих программируемых и связи, обработки и передачи перепрограммируемых устройств, информации, систем управления аналого-цифровых преобразователей в радиационно стойком исполнении для создания специальной аппаратуры нового поколения, разработка конструкции и модели интегральных элементов и технологического маршрута изготовления радиационно стойких сверхбольших интегральных схем типа "система на кристалле" с расширенным температурным диапазоном, силовых транзисторов и модулей для бортовых и промышленных систем управления с пробивными напряжениями до 75 В и рабочими токами коммутации до 10 А, создание ряда микронанотриодов и микронанотриодов с наивысшей радиационной стойкостью для долговечной аппаратуры космического базирования 39. Разработка и совершенствование 951 951 разработка комплекса моделей расчета методов моделирования и --- --- радиационной стойкости электронной проектирования радиационно 634 634 компонентной базы для определения стойкой элементной базы технически обоснованных норм испытаний 40. Разработка и совершенствование 975 975 создание технологического базиса базовых технологий и --- --- (технология проектирования, базовые конструкций радиационно 650 650 технологии), позволяющего стойких сверхбольших разрабатывать радиационно стойкие интегральных схем на сверхбольшие интегральные схемы на структурах "кремний на структурах "кремний на изоляторе" с сапфире" и "кремний на проектной нормой не менее 0,18 мкм изоляторе" с топологическими (2014 год), создание нормами не менее 0,18 мкм технологического базиса (технология проектирования, базовые технологии), позволяющего разрабатывать радиационно стойкие сверхбольшие интегральные схемы на структурах "кремний на изоляторе" с проектной нормой не менее 0,18 мкм (2015 год) Всего 6293 437,1 417,6 332,5 1229,4 3876 по направлению 2 ------ ----- ----- ----- ------ ---- 4195,3 291,4 278,6 221,7 819,6 2584 Направление 3. Микросистемная техника 41. Разработка базовых технологий 209 112 97 создание базовых технологий (2009 микроэлектромеханических --- --- -- год) и комплектов технологической систем 105 75 30 документации на изготовление микроэлектромеханических систем контроля давления, микроакселерометров с чувствительностью по двум и трем осям, микромеханических датчиков угловых скоростей, микроактюаторов 42. Разработка базовых конструкций 424 - 75 228 121 разработка базовых конструкций и микроэлектромеханических --- -- --- --- комплектов необходимой систем 277 60 141 76 конструкторской документации на изготовление чувствительных элементов и микросистем контроля давления, микроакселерометров, микромеханических датчиков угловых скоростей, микроактюаторов с напряжением управления, предназначенных для использования в транспортных средствах, оборудовании топливно-энергетического комплекса, машиностроении, медицинской технике, робототехнике, бытовой технике 43. Разработка базовых технологий 155 110 45 создание базовых технологий (2009 микроакусто- --- --- -- год) и комплектов необходимой электромеханических систем 100 70 30 технологической документации на изготовление микроакустоэлектромеханических систем, основанных на использовании поверхностных акустических волн (диапазон частот до 2 ГГц) и объемно-акустических волн (диапазон частот до 8 ГГц), пьезокерамических элементов, совместимых с интегральной технологией микроэлектроники 44. Разработка базовых конструкций 418 71 225 122 разработка базовых конструкций и микроакустоэлектромеханических --- -- --- --- комплектов необходимой систем 280 60 143 77 конструкторской документации на изготовление пассивных датчиков физических величин - микроакселерометров, микрогироскопов на поверхностных акустических волнах, датчиков давления и температуры, датчиков деформации, крутящего момента и микроперемещений, резонаторов 45. Разработка базовых технологий 55 55 создание базовых технологий микроаналитических систем -- -- изготовления элементов 38 38 микроаналитических систем, чувствительных к газовым, химическим и биологическим компонентам внешней среды, предназначенных для использования в аппаратуре жилищно-коммунального хозяйства, в медицинской и биомедицинской технике для обнаружения токсичных, горючих и взрывчатых материалов 46. Разработка базовых конструкций 224 64 102 58 создание базовых конструкций микроаналитических систем --- -- --- -- микроаналитических систем, 164 30 86 48 предназначенных для аппаратуры жилищно-коммунального хозяйства, медицинской и биомедицинской техники; разработка датчиков и аналитических систем миниатюрных размеров с высокой чувствительностью к сверхмалым концентрациям химических веществ для осуществления мониторинга окружающей среды, контроля качества пищевых продуктов и контроля утечек опасных и вредных веществ в технологических процессах 47. Разработка базовых технологий 94 59 35 создание базовых технологий выпуска микрооптоэлектромеханических -- -- -- трехмерных оптических и систем 71 41 30 акустооптических функциональных элементов, микрооптоэлектромеханических систем для коммутации и модуляции оптического излучения, акустооптических перестраиваемых фильтров, двухмерных управляемых матриц микрозеркал микропереключателей и фазовращателей (2009 год) 48. Разработка базовых конструкций 208 35 112 61 разработка базовых конструкций и микрооптоэлектромеханических --- -- --- -- комплектов, конструкторской систем 145 30 75 40 документации на изготовление микрооптоэлектромеханических систем коммутации и модуляции оптического излучения 49. Разработка базовых технологий 55 55 создание базовых технологий микросистем анализа магнитных -- -- изготовления микросистем анализа полей 38 38 магнитных полей на основе анизотропного и гигантского магниторезистивного эффектов, квазимонолитных и монолитных гетеромагнитных пленочных структур (2008 год) 50. Разработка базовых конструкций 214 54 104 56 разработка базовых конструкций и микросистем анализа магнитных --- -- --- -- комплектов конструкторской полей 137 30 69 38 документации на магниточувствительные микросистемы для применения в электронных системах управления приводами, в датчиках положения и потребления, бесконтактных переключателях 51. Разработка базовых технологий 77 45 32 разработка и освоение в производстве радиочастотных микроэлектро- -- -- -- базовых технологий изготовления механических систем 61 31 30 радиочастотных микроэлектромеханических систем и компонентов, включающих микрореле, коммутаторы, микропереключатели (2009 год) 52. Разработка базовых конструкций 166 32 87 47 разработка базовых конструкций и радиочастотных --- -- -- -- комплектов конструкторской микроэлектромеханических 119 30 58 31 документации на изготовление систем радиочастотных микроэлектромеханических систем - компонентов, позволяющих получить резкое улучшение массогабаритных характеристик, повышение технологичности и снижение стоимости изделий 53. Разработка методов и средств 40 40 создание методов и средств контроля обеспечения создания и -- -- и измерения параметров и производства изделий 24 24 характеристик изделий микросистемной техники микросистемотехники, разработка комплектов стандартов и нормативных документов по безопасности и экологии 54. Разработка перспективных 1155 1155 создание базовых технологий выпуска технологий и конструкций ---- ---- трехмерных оптических и микрооптоэлектромеханических 770 770 акустооптических функциональных систем для оптической элементов, аппаратуры, систем отображения микрооптоэлектромеханических систем изображений, научных для коммутации и модуляции исследований и специальной оптического излучения (2012 год), техники акустооптических перестраиваемых фильтров (2012 год), двухмерных управляемых матриц микрозеркал микропереключателей и фазовращателей (2013 год), разработка базовых технологий, конструкций и комплектов, конструкторской документации на изготовление микрооптоэлектромеханических систем коммутации и модуляции оптического излучения (2015 год) 55. Разработка и совершенствование 1155 1155 создание методов и средств контроля методов и средств контроля, ---- ---- и измерения параметров и испытаний и аттестации изделий 770 770 характеристик изделий микросистемотехники микросистемотехники, разработка комплектов стандартов и нормативных документов по безопасности и экологии 56. Разработка перспективных 1170 1170 создание перспективных технологий технологий и конструкций ---- ---- изготовления элементов микроаналитических систем для 780 780 микроаналитических систем, аппаратуры контроля и чувствительных к газовым, химическим обнаружения токсичных, и биологическим компонентам внешней горючих, взрывчатых и среды, предназначенных для наркотических веществ использования в аппаратуре жилищно-коммунального хозяйства (2012 год, 2013 год, 2014 год) Всего по направлению 3 5818,5 475,5 540 858 465 3480 ------ ----- --- --- --- ---- 3879 317 360 572 310 2320 Направление 4. Микроэлектроника 57. Разработка технологии и 270 148,9 121,1 разработка комплекта развитие методологии ----- ----- ----- нормативно-технической документации проектирования изделий 125,6 76,6 49 по проектированию изделий микроэлектроники: микроэлектроники, создание разработка и освоение отраслевой базы данных с каталогами современной технологии библиотечных элементов и проектирования универсальных сложнофункциональных блоков с микропроцессоров, процессоров каталогизированными результатами обработки сигналов, аттестации на физическом уровне, микроконтроллеров и "системы разработка комплекта на кристалле" на основе нормативно-технической и каталогизированных технологической документации по сложнофункциональных блоков и взаимодействию центров библиотечных элементов, в том проектирования в сетевом режиме числе создание отраслевой базы данных и технологических файлов для автоматизированных систем проектирования; освоение и развитие технологии проектирования для обеспечения технологичности производства и стабильного выхода годных с целью размещения заказов на современной базе контрактного производства с технологическим уровнем до 0,13 мкм 58. Разработка и освоение базовой 34 22 12 разработка комплекта технологической технологии производства ---- ---- -- документации и фотошаблонов с технологическим 22,7 14,7 8 организационно-распорядительной уровнем до 0,13 мкм с целью документации по взаимодействию обеспечения информационной центров проектирования и центра защиты проектов изделий изготовления фотошаблонов микроэлектроники при использовании контрактного производства (отечественного и зарубежного) 59. Разработка семейств и серий 766,9 336,7 430,2 разработка комплектов документации в изделий микроэлектроники: ----- ----- ----- стандартах единой системы универсальных микропроцессоров 466,8 180 286,8 конструкторской, технологической и для встроенных применений; производственной документации, универсальных микропроцессоров изготовление опытных образцов для серверов и рабочих изделий и организация серийного станций; производства цифровых процессоров обработки сигналов; сверхбольших интегральных схем, программируемых логических интегральных схем; сверхбольших интегральных схем быстродействующей динамической и статической памяти; микроконтроллеров со встроенной энергонезависимой электрически программируемой памятью; схем интерфейса дискретного ввода/вывода; схем аналогового интерфейса; цифроаналоговых и аналого-цифровых преобразователей на частотах выше 100 МГц с разрядностью более 8-12 бит; схем приемопередатчиков шинных интерфейсов; изделий интеллектуальной силовой микроэлектроники для применения в аппаратуре промышленного и бытового назначения; встроенных интегральных источников питания 60. Разработка базовых серийных 1801,6 799,8 1001,8 разработка комплектов документации в технологий изделий ------ ------ ------ стандартах единой системы микроэлектроники: 1200,9 533,1 667,8 конструкторской, технологической и цифроаналоговых и производственной документации, аналого-цифровых изготовление опытных образцов преобразователей на частотах изделий и организация серийного выше 100 МГц с разрядностью производства более 14-16 бит; микроэлектронных устройств различных типов, включая сенсоры с применением наноструктур и биосенсоров; сенсоров на основе магнито-электрических и пьезоматериалов; встроенных интегральных антенных элементов для диапазонов частот 5 ГГц, 10-12 ГГц; систем на кристалле, в том числе в гетероинтеграции сенсорных и исполнительных элементов методом беспроводной сборки с применением технологии матричных жестких выводов 61. Разработка технологии и 462,4 252,4 210 разработка комплектов документации в освоение производства изделий ----- ----- ----- стандартах единой системы микроэлектроники с 308,3 168,3 140 конструкторской, технологической технологическим уровнем 0,13 документации и ввод в эксплуатацию мкм производственной линии 62. Разработка базовой технологии 894,8 146,3 748,5 разработка комплектов документации в формирования многослойной ----- ----- ----- стандартах единой системы разводки (7-8 уровней) 596,2 97,3 498,9 конструкторской, технологической и сверхбольших интегральных схем производственной документации, ввод на основе Al и Cu в эксплуатацию производственной линии 63. Разработка технологии и 494,2 211,1 166,4 116,7 разработка комплектов документации в организация производства ----- ----- ----- ----- стандартах единой системы многокристальных 294,2 105,6 110,9 77,7 конструкторской, технологической и микроэлектронных модулей для производственной документации, ввод мобильных применений с в эксплуатацию производственной использованием полимерных и линии металлополимерных микроплат и носителей 64. Разработка новых методов 173 68 105 разработка технологической и технологических испытаний --- -- --- производственной документации, ввод изделий микроэлектроники, 173 68 105 в эксплуатацию специализированных гарантирующих их повышенную участков надежность в процессе долговременной (более 100 000 часов) эксплуатации, на основе использования типовых оценочных схем и тестовых кристаллов 65. Разработка современных методов 227 132 95 разработка комплектов документации, анализа отказов изделий --- --- -- включая утвержденные отраслевые микроэлектроники с применением 227 132 95 методики, ввод в эксплуатацию ультраразрешающих методов модернизированных участков и (ультразвуковая гигагерцовая лабораторий анализа отказов микроскопия, сканирование синхротронным излучением, атомная и туннельная силовая микроскопия, электронно- и ионно-лучевое зондирование и другие) 66. Разработка базовых 1200 1200 разработка и освоение базовой субмикронных технологий ---- ---- технологии производства фотошаблонов уровней 0,065 - 0,045 мкм 800 800 с технологическим уровнем до 0,045 мкм с целью обеспечения информационной защиты проектов изделий микроэлектроники при использовании контрактного производства (отечественного и зарубежного) (2014 год). Создание отраслевой базы данных и технологических файлов для автоматизированных систем проектирования сверхбольших интегральных схем; создание базовой технологии формирования многослойной разводки (7-8 уровней) сверхбольших интегральных схем на основе Al и Cu (2015 год), освоение и развитие технологии проектирования и изготовления для обеспечения технологичности производства и стабильного выхода годных изделий, а также с целью размещения заказов на современной базе контрактного производства с технологическим уровнем до 0,045 мкм, разработка комплекта технологической документации и организационно-распорядительной документации по взаимодействию центров 67. Исследование технологических 1425 1425 создание технологии сверхбольших процессов и структур для ---- ---- интегральных схем технологических субмикронных технологий 950 950 уровней 65-32 нм, организация уровней 0,032 мкм опытного производства (2015 год) 68. Разработка перспективных 1425 1425 создание технологий и конструкций технологий и конструкций ---- ---- перспективных изделий изделий интеллектуальной 950 950 интеллектуальной силовой силовой электроники для микроэлектроники для применения в применения в аппаратуре аппаратуре промышленного и бытового бытового и промышленного назначения; применения, на транспорте, в создание встроенных интегральных топливно-энергетическом источников питания (2013-2015 годы) комплексе и в специальных системах 69. Разработка перспективных 1650 1650 разработка перспективной технологии технологий сборки сверхбольших ---- ---- многокристальных микроэлектронных интегральных схем в 1100 1100 модулей для мобильных применений с многовыводные корпуса, в том использованием полимерных и числе корпуса с матричным металлополимерных микроплат и расположением выводов и носителей (2015 год) технологий многокристальной сборки, включая создание "систем в корпусе" Всего по направлению 4 11222 993,4 1236,4 1151 1913,6 5927,5 ------ ----- ------ ----- ------ ------ 7214,7 639,6 789,4 741,3 1244,4 3800 Направление 5. Электронные материалы и структуры 70. Разработка технологии 78 51 27 внедрение новых диэлектрических производства новых -- -- -- материалов на основе ромбоэдрической диэлектрических материалов на 49 32 17 модификации нитрида бора и подложек основе ромбоэдрической из поликристаллического алмаза с модификации нитрида бора и повышенной теплопроводностью и подложек из электропроводностью для создания поликристаллического алмаза нового поколения высокоэффективных и надежных сверхвысокочастотных приборов 71. Разработка технологии 131 77 54 создание технологии производства производства --- -- -- гетероэпитаксиальных структур и гетероэпитаксиальных структур 87 51 36 структур гетеробиполярных и структур гетеробиполярных транзисторов на основе нитридных транзисторов на основе соединений А В для обеспечения нитридных соединений А В для 3 5 3 5 разработок и изготовления мощных полупроводниковых сверхвысокочастотных монолитных приборов и интегральных схем и мощных сверхвысокочастотных транзисторов (2011 год) монолитных интегральных схем 72. Разработка базовой технологии 77 50 27 создание базовой технологии производства метаморфных -- -- -- производства гетероструктур и структур на основе GaAs и 50 32 18 псевдоморфных структур на подложках псевдоморфных структур на InP для перспективных подложках InP для приборов полупроводниковых приборов и сверхвысокочастотной сверхвысокочастотных монолитных электроники диапазона 60-90 интегральных схем диапазона 60-90 ГГц ГГц (2009 год) 73. Разработка технологии 133 79 54 создание спинэлектронных магнитных производства спинэлектронных --- -- -- материалов и микроволновых структур магнитных материалов, 88 52 36 со спиновым управлением для создания радиопоглощающих и перспективных микроволновых мелкодисперсных ферритовых сверхвысокочастотных приборов материалов для повышенного быстродействия и низкого сверхвысокочастотных приборов энергопотребления 74. Разработка технологии 77 50 27 создание технологии массового производства высокочистых -- -- -- производства высокочистых химических химических материалов 49 31 18 материалов (аммиака, арсина, (аммиака, арсина, фосфина, фосфина, тетрахлорида кремния) для тетрахлорида кремния) для выпуска полупроводниковых подложек обеспечения производства нитрида галлия, арсенида галлия, полупроводниковых подложек фосфида индия, кремния и нитрида галлия, арсенида гетероэпитаксиальных структур на их галлия, фосфида индия, кремния основе (2009 год) и гетероэпитаксиальных структур на их основе 75. Разработка технологии 134 79 55 создание технологии производства производства --- -- -- поликристаллических алмазов и его поликристаллических алмазов и 88 52 36 пленок для мощных их пленок для теплопроводных сверхвысокочастотных приборов (2011 конструкций мощных выходных год) транзисторов и сверхвысокочастотных приборов 76. Исследование путей и 57 36 21 создание технологии изготовления разработка технологии -- -- -- новых микроволокон на основе изготовления новых 38 24 14 двухмерных диэлектрических и микроволокон на основе металлодиэлектрических микро- и двухмерных диэлектрических и наноструктур для новых классов металлодиэлектрических микро- микроструктурных приборов, и наноструктур, а также магниторезисторов, осцилляторов, полупроводниковых нитей с устройств оптоэлектроники (2009 год) наноразмерами при вытяжке стеклянного капилляра, заполненного жидкой фазой полупроводника 77. Разработка технологии 106 25 44 37 создание базовой пленочной выращивания слоев --- -- -- -- технологии пьезокерамических пьезокерамики на кремниевых 69 17 28 24 элементов, совместимой с подложках для формирования комплементарной металлооксидной комплексированных устройств полупроводниковой технологией для микросистемной техники разработки нового класса активных пьезокерамических устройств, интегрированных с микросистемами (2011 год) 78. Разработка методологии и 57 36 21 создание технологии травления и базовых технологий создания -- -- -- изготовления кремниевых трехмерных многослойных кремниевых 38 24 14 базовых элементов структур с использованием микроэлектромеханических систем с "жертвенных" и "стопорных" использованием "жертвенных" и диффузионных и диэлектрических "стопорных" слоев для серийного слоев для производства силовых производства элементов приборов и элементов микроэлектромеханических систем микроэлектромеханических (2009 год) кремниевых структур с систем использованием силикатных стекол, моно-, поликристаллического и пористого кремния и диоксида кремния 79. Разработка базовых технологий 105 61 44 создание технологии получения получения алмазных --- -- -- алмазных полупроводниковых полупроводниковых наноструктур 70 41 29 наноструктур и наноразмерных и наноразмерных органических органических покрытий, алмазных покрытий с широким диапазоном полупроводящих пленок для функциональных свойств конкурентоспособных высокотемпературных и радиационно стойких устройств и приборов двойного назначения (2011 год) 80. Исследование и разработка 141 57 84 создание технологии изготовления технологии роста --- -- -- гетероструктур и эпитаксиальных эпитаксиальных слоев карбида 93 38 55 структур на основе нитридов для кремния, структур на основе создания радиационно стойких нитридов, а также формирования сверхвысокочастотных и силовых изолирующих и коммутирующих приборов нового поколения (2009 год) слоев в приборах экстремальной электроники 81. Разработка технологии 160 52 108 создание технологии производства производства радиационно --- -- --- структур "кремний на сапфире" стойких сверхбольших 90 35 55 диаметром до 150 мм с толщиной интегральных схем на приборного слоя до 0,1 мкм и ультратонких топологическими нормами до 0,18 мкм гетероэпитаксиальных для производства электронной структурах кремния на компонентной базы специального и сапфировой подложке для двойного назначения (2009 год) производства электронной компонентной базы специального и двойного назначения 82. Разработка технологии 146 54 92 создание технологии производства производства высокоомного --- -- -- радиационно облученного кремния и радиационно облученного 96 36 60 пластин кремния до 150 мм для кремния, слитков и пластин выпуска мощных транзисторов и кремния диаметром до 150 мм сильноточных тиристоров нового для производства силовых поколения (2009 год) полупроводниковых приборов 83. Разработка технологии 92 36 56 разработка и промышленное освоение производства кремниевых -- -- -- получения высококачественных подложек и структур для 63 24 39 подложек и структур для силовых полупроводниковых использования в производстве силовых приборов с глубокими полупроводниковых приборов, с высоколегированными слоями р- глубокими высоколегированными слоями и n-типов проводимости и и скрытыми слоями носителей с скрытыми слоями носителей с повышенной рекомбинацией (2009 год) повышенной рекомбинацией 84. Разработка технологии 216 72 144 создание технологии производства производства электронного --- -- --- пластин кремния диаметром до 200 мм кремния, кремниевых пластин 162 48 114 и эпитаксиальных структур уровня диаметром до 200 мм и 0,25 - 0,18 мкм (2009 год) кремниевых эпитаксиальных структур уровня технологии 0,25 - 0,18 мкм 85. Разработка методологии, 232 109 123 разработка технологии корпусирования конструктивно-технических --- --- --- интегральных схем и решений и перспективной 161 78 83 полупроводниковых приборов на основе базовой технологии использования многослойных корпусирования интегральных кремниевых структур со сквозными схем и полупроводниковых токопроводящими каналами, приборов на основе обеспечивающей сокращение состава использования многослойных сборочных операций и формирование кремниевых структур со трехмерных структур (2010 год, 2011 сквозными токопроводящими год) каналами 86. Разработка технологии 220 85 135 создание базовой технологии производства гетероструктур --- -- --- производства гетероструктур SiGe для SiGe для разработки 143 53 90 выпуска быстродействующих сверхбольших интегральных схем сверхбольших интегральных схем с с топологическими нормами топологическими нормами 0,25 - 0,18 0,25 - 0,18 мкм мкм (2010 год, 2011 год) 87. Разработка технологии 46 28 18 создание технологии выращивания и выращивания и обработки, в том -- -- -- обработки пьезоэлектрических числе плазмохимической, новых 34 22 12 материалов акустоэлектроники и пьезоэлектрических материалов акустооптики для обеспечения для акустоэлектроники и производства широкой номенклатуры акустооптики акустоэлектронных устройств нового поколения (2009 год) 88. Разработка технологий 87 32 55 создание технологии массового производства соединений А В и -- -- -- производства исходных материалов и 3 5 58 22 36 структур для перспективных приборов тройных структур для: лазерной и оптоэлектронной техники, производства сверхмощных в том числе: лазерных диодов; производства сверхмощных лазерных высокоэффективных светодиодов диодов (2010 год); белого, зеленого, синего и высокоэффективных светодиодов ультрафиолетового диапазонов; белого, зеленого, синего и фотоприемников среднего ультрафиолетового диапазонов (2011 инфракрасного диапазона год); фотоприемников среднего инфракрасного диапазона (2011 год) 89. Исследование и разработка 48 30 18 создание технологии производства технологии получения -- -- -- принципиально новых материалов гетероструктур с вертикальными 33 33 33 полупроводниковой электроники на оптическими резонаторами на основе сложных композиций для основе квантовых ям и перспективных приборов лазерной и квантовых точек для оптоэлектронной техники (2009 год) производства вертикально излучающих лазеров для устройств передачи информации и матриц для оптоэлектронных переключателей нового поколения 90. Разработка технологии 86 32 54 создание технологии производства производства современных -- -- -- компонентов для специализированных компонентов для 57 22 35 электронно-лучевых (2010 год), специализированных электронно-оптических и отклоняющих фотоэлектронных приборов, в систем (2010 год), стеклооболочек и том числе: деталей из электровакуумного стекла катодов и газопоглотителей; различных марок (2011 год) электронно-оптических и отклоняющих систем; стеклооболочек и деталей из электровакуумного стекла различных марок 91. Разработка технологии 47 30 17 создание технологии производства производства особо тонких -- -- -- особо тонких гетерированных гетерированных нанопримесями 32 20 12 нанопримесями полупроводниковых полупроводниковых структур для структур для изготовления высокоэффективных фотокатодов, высокоэффективных фотокатодов электронно-оптических электронно-оптических преобразователей и преобразователей и фотоэлектронных фотоэлектронных умножителей, умножителей, приемников приемников инфракрасного инфракрасного диапазона, солнечных диапазона и солнечных элементов и других приложений (2009 элементов с высокими год) значениями коэффициента полезного действия 92. Разработка базовой технологии 85 32 53 создание технологии монокристаллов производства монокристаллов -- -- -- AlN для изготовления изолирующих и AlN для изготовления 58 22 36 проводящих подложек для создания изолирующих и проводящих полупроводниковых подложек для гетероструктур высокотемпературных и мощных сверхвысокочастотных приборов нового поколения (2011 год) 93. Разработка базовой технологии 47 30 17 создание базовой технологии производства -- -- -- вакуумно-плотной спецстойкой наноструктурированных оксидов 32 20 12 керамики из нанокристаллических металлов (корунда и т. п.) для порошков и нитридов металлов для производства вакуумно-плотной промышленного освоения спецстойких нанокерамики, в том числе с приборов нового поколения (2009 заданными оптическими год), в том числе микрочипов, свойствами сверхвысокочастотных аттенюаторов, RLC-матриц, а также особо прочной электронной компонентной базы оптоэлектроники и фотоники 94. Разработка базовой технологии 86 33 53 создание технологии производства производства полимерных и -- -- -- полимерных и композиционных гибридных 58 21 37 материалов с использованием органо-неорганических поверхностной и объемной модификации наноструктурированных защитных полимеров наноструктурированными материалов для электронных наполнителями для создания изделий с компонентов нового поколения высокой механической, термической и прецизионных и радиационной стойкостью при работе в сверхвысокочастотных условиях длительной эксплуатации и резисторов, терминаторов, воздействии комплекса специальных аттенюаторов и внешних факторов (2011 год) резисторно-индукционно-емкост- ных матриц, стойких к воздействию комплекса специальных внешних факторов 95. Исследование и разработка 1395 1395 создание базовой технологии перспективных ---- ---- производства гетероструктур, гетероструктурных и 930 930 структур и псевдоморфных структур на наноструктурированных подложках InP для перспективных материалов с экстремальными полупроводниковых приборов и характеристиками для сверхвысокочастотных монолитных перспективных электронных интегральных схем диапазона 60-90 приборов и радиоэлектронной ГГц (2012 год), создание технологии аппаратуры специального получения алмазных полупроводниковых назначения наноструктур и наноразмерных органических покрытий (2013 год), алмазных полупроводящих пленок для конкурентоспособных высокотемпературных и радиационно стойких устройств и приборов двойного назначения, создание технологии изготовления гетероструктур и эпитаксиальных структур на основе нитридов (2015 год) 96. Исследование и разработка 1395 1395 создание нового класса экологически чистых материалов ---- ---- конструкционных и технологических и методов их использования в 930 930 материалов для уровней технологии производстве электронной 0,065 - 0,032 мкм и обеспечения компонентной базы и высокого процента выхода годных радиоаппаратуры, включая изделий, экологических требований по бессвинцовые композиции для международным стандартам (2012 год, сборки 2015 год) 97. Разработка перспективных 1380 1380 создание перспективных технологий технологий получения ленточных ---- ---- производства компонентов для материалов (полимерные, 920 920 специализированных металлические, плакированные и электронно-лучевых, другие) для радиоэлектронной электронно-оптических и отклоняющих аппаратуры и сборочных систем, стеклооболочек и деталей из операций электронной электровакуумного стекла различных компонентной базы марок (2013 год), создание технологии производства полимерных и композиционных материалов с использованием поверхностной и объемной модификации полимеров наноструктурированными наполнителями (2015 год) Всего по направлению 5 6864 612 702 663 717 4170 ---- --- --- --- --- ---- 4576 408 468 442 478 2780 Направление 6. Группы пассивной электронной компонентной базы 98. Разработка технологии выпуска 33 18 15 разработка расширенного ряда прецизионных -- -- -- резонаторов с повышенной температуростабильных 22 12 10 кратковременной и долговременной высокочастотных до 1,5 - 2 ГГц стабильностью для создания резонаторов на поверхностно контрольной аппаратуры и техники акустических волнах до 1,5 ГГц связи двойного назначения с полосой до 70 процентов и длительностью сжатого сигнала до 2-5 нс 99. Разработка в лицензируемых и 120 21 48 51 создание технологии и конструкции нелицензируемых международных --- -- -- -- акустоэлектронных пассивных и частотных диапазонах 860 МГц и 80 14 32 34 активных меток-транспондеров для 2,45 ГГц ряда радиочастотных применения в логистических пассивных и активных приложениях на транспорте, в акустоэлектронных торговле и промышленности (2010 год, меток-транспондеров, в том 2011 год) числе работающих в реальной помеховой обстановке, для систем радиочастотной идентификации и систем управления доступом 100. Разработка базовой конструкции 32 17 15 создание технологии проектирования и и промышленной технологии -- -- -- базовых конструкций производства пьезокерамических 21 11 10 пьезоэлектрических фильтров в фильтров в корпусах для малогабаритных корпусах для поверхностного монтажа поверхностного монтажа при изготовлении техники связи массового применения (2009 год) 101. Разработка технологии 39 39 создание базовой технологии проектирования, базовой -- -- акустоэлектронных приборов для технологии производства и 26 26 перспективных систем связи, конструирования измерительной и навигационной акустоэлектронных устройств аппаратуры нового поколения - нового поколения и фильтров подвижных, спутниковых, тропосферных промежуточной частоты с и радиорелейных линий связи, высокими характеристиками для цифрового интерактивного современных систем связи, телевидения, радиоизмерительной включая высокоизбирательные аппаратуры, радиолокационных высокочастотные устройства станций, спутниковых навигационных частотной селекции на систем (2008 год) поверхностных и приповерхностных волнах и волнах Гуляева-Блюштейна с предельно низким уровнем вносимого затухания для частотного диапазона до 5 ГГц 102. Разработка технологии 96 33 63 создание технологии производства проектирования и базовой -- -- -- высокоинтегрированной электронной технологии производства 64 22 42 компонентной базы типа "система в функциональных законченных корпусе" для вновь разрабатываемых и устройств стабилизации, модернизируемых сложных селекции частоты и обработки радиоэлектронных систем и комплексов сигналов типа "система в (2010 год) корпусе" 103. Разработка базовой конструкции 69 48 21 создание базовой технологии (2010 и технологии изготовления -- -- -- год) и базовой конструкции высокочастотных резонаторов и 46 32 14 микроминиатюрных высокодобротных фильтров на объемных фильтров для малогабаритной и акустических волнах для носимой аппаратуры навигации и связи телекоммуникационных и навигационных систем 104. Разработка технологии и 30 30 создание нового поколения базовой конструкции -- -- оптоэлектронных приборов для фоточувствительных приборов с 20 20 обеспечения задач предотвращения матричными приемниками аварий и контроля высокого разрешения для видимого и ближнего инфракрасного диапазона для аппаратуры контроля изображений 105. Разработка базовой технологии 37 16 21 создание базовой технологии нового унифицированных -- -- -- поколения приборов контроля тепловых электронно-оптических 24 10 14 полей для задач теплоэнергетики, преобразователей, медицины, поисковой и контрольной микроканальных пластин, аппаратуры на транспорте, пироэлектрических матриц и продуктопроводах и в охранных камер на их основе с системах (2009 год) чувствительностью до 0,1 К и широкого инфракрасного диапазона 106. Разработка базовой технологии 84 45 39 создание базовой технологии (2008 создания интегрированных -- -- -- год) и конструкции новых типов гибридных фотоэлектронных 55 30 25 приборов, сочетающих фотоэлектронные высокочувствительных и и твердотельные технологии, с целью высокоразрешающих приборов и получения экстремально достижимых усилителей для задач характеристик для задач контроля и космического мониторинга и наблюдения в системах двойного специальных систем наблюдения, назначения научной и метрологической аппаратуры 107. Разработка базовых технологий 96 45 51 создание базовой технологии (2008 мощных полупроводниковых -- -- -- год) и конструкций принципиально лазерных диодов (непрерывного 64 30 34 новых мощных диодных лазеров, и импульсного излучения), предназначенных для широкого Информация по документуЧитайте также
Изменен протокол лечения ковида23 февраля 2022 г. МедицинаГермания может полностью остановить «Северный поток – 2»23 февраля 2022 г. ЭкономикаБогатые уже не такие богатые23 февраля 2022 г. ОбществоОтныне иностранцы смогут найти на портале госуслуг полезную для себя информацию23 февраля 2022 г. ОбществоВакцина «Спутник М» прошла регистрацию в Казахстане22 февраля 2022 г. МедицинаМТС попала в переплет в связи с повышением тарифов22 февраля 2022 г. ГосударствоРегулятор откорректировал прогноз по инфляции22 февраля 2022 г. ЭкономикаСтоимость нефти Brent взяла курс на повышение22 февраля 2022 г. ЭкономикаКурсы иностранных валют снова выросли21 февраля 2022 г. Финансовые рынки |
Архив статей
2026 Июнь
|
