Постановление Правительства Российской Федерации от 29.01.2007 № 54

     значительный      мультипликативный      эффект,     поскольку
совершенствование  технологий  и конструкций обеспечивает не только
повышение  функциональных  и  технических характеристик электронной
компонентной  базы  и  создаваемой  на  ее  основе аппаратуры, но и
резко  снижает  затраты  на  проектирование  и  выпуск аппаратуры и
систем.  Это  объясняется  тем,  что  этапы  проектирования систем,
выполняющих  сложные  функции,  переносятся  на этап проектирования
специализированных  больших  интегральных  схем,  а  основной объем
сборочных  операций  при  выпуске аппаратуры заменяется на процессы
интеграции    элементов   при   изготовлении   сложнофункциональной
электронной  компонентной  базы,  которая  выполняет  роль блоков и
узлов  аппаратуры  или  полностью  реализует  функции  аппаратуры в
составе   одной   сверхбольшой   интегральной   схемы  "система  на
кристалле"  (однокристальный  телевизор,  однокристальный телефон).
При  использовании  аппаратуры  и  систем  с  высокими техническими
показателями  достигается  значительный  эффект  в  части повышения
производительности,   точности  и  надежности  выполнения  функций,
энергосбережения, экономии материалов, улучшения условий труда;
     количественно    определенный    результат,    который   будет
определяться  по каждому инвестиционному проекту в виде достигнутых
мощностей    производства,    показателей   технического   качества
выпускаемой  продукции,  социально значимых показателей (количество
дополнительных  рабочих  мест,  улучшение  условий  труда, снижение
экологической    нагрузки),    технико-экономических    показателей
производства   (снижение   энергопотребления,   повышение  процента
выхода  годных  изделий),  расширения объема экспортных поставок, а
также размера поступлений в бюджет в виде налогов;
     увязка  расходов с возможностями бюджета в течение всего срока
реализации   подпрограммы   путем  финансирования  подпрограммы  по
итогам      выполнения     плана     научно-исследовательских     и
опытно-конструкторских   работ   за   предыдущий   год   на  основе
ежегодного   открытого   конкурса   проектов,   который   позволяет
оптимизировать   состав   участников   подпрограммы   и  обеспечить
максимально   возможное   выполнение  программных  мероприятий  при
заданном объеме финансирования;
     преобладание    расходов    на    научно-исследовательские   и
опытно-конструкторские    работы    над    расходами   капитального
характера,   включая   приобретение   оборудования,   в   структуре
финансирования    подпрограммы    (60    процентов    расходов   на
научно-исследовательские   и   опытно-конструкторские   работы,  40
процентов  -  на капитальные вложения), которое позволит достигнуть
максимально   возможного   практического   эффекта   от  реализации
подпрограммы  в  целом.  Каждый  инвестиционный проект подпрограммы
сопровождается      соответствующим      мероприятием     (комплекс
научно-исследовательских    и   опытно-конструкторских   работ   по
разработке   автоматизированных   систем   проектирования,  базовых
технологий  и  базовых  конструкций  электронной компонентной базы,
необходимых материалов);
     невозможность       решения      проблемы      межотраслевого,
межведомственного   характера  другими  способами  и  необходимость
принятия решений на уровне Правительства Российской Федерации.
     Необходимость   участия   Правительства  Российской  Федерации
обусловлена  в первую очередь государственной важностью этой задачи
и    ее   стратегическим   значением   для   подъема   производства
промышленного  комплекса,  а  также  широким  кругом  использования
электронной     компонентной     базы     для     решения     задач
социально-экономического развития страны.
     Иностранные    инвесторы,    пытаясь   сохранить   сложившееся
положение  на  мировом  и российском рынке электронной компонентной
базы,   не   предполагают   участвовать   в   развитии   российских
электронных  предприятий,  а  внутренние  инвесторы  реализуют, как
правило,  краткосрочные  проекты  и не готовы вкладывать средства в
высокотехнологичные длительные проекты.
     Современное  состояние  производства  электронной компонентной
базы   таково,   что  реализация  подпрограммы  является  последней
возможностью    восстановления    электроники    и    от    полноты
государственной  поддержки  зависит  судьба  высоких  технологий  в
России.
     Важным  обстоятельством  является  то,  что в ближайшие годы в
Российской  Федерации  открываются  новые  рыночные  ниши,  еще  не
занятые  иностранным  производителем,  что  формирует потребность и
создает  реальные  условия для быстрого развития производства новых
видов электронной компонентной базы.

            Обеспечение создания и производства средств
                   радиочастотной идентификации

     Одним из   важнейших   направлений  применения  радиочастотной
идентификации  является  электронный   паспорт.   Работы   в   этом
направлении  активно  ведутся  в  настоящее  время  и  в Российской
Федерации.  По экспертным  оценкам,  для  обеспечения  электронными
паспортами   населения   в   количестве   около  150  млн.  человек
потребуется не менее 100 млн.  микросхем, затем ежегодно 30-50 млн.
микросхем  в  связи  с  пополнением  состава  взрослого  населения,
необходимостью   замены   паспортов   по    семейным    и    другим
обстоятельствам, плановым обновлением паспортов один раз в 5 лет, а
также переводом на эту же  технологию  водительских  удостоверений,
смарт-карт платежных систем, карт доступа к мобильной связи.
     С использованием средств  радиочастотной  идентификации  можно
выпускать менее сложные микросхемы, например, электронные метки для
товаров и грузов (потребность в них в 2007  году  может  достигнуть
250-400 млн.  штук).  Большая потребность в микросхемах возникнет и
при  формировании  инфраструктуры  пользователей.   По   экспертным
оценкам,  объем  данного  сегмента  рынка  микроэлектронных изделий
составляет 6-8 млрд. рублей в год.
     Принципиально  важным  является решение об обязательном выборе
российского  разработчика и изготовителя микросхем для электронного
паспорта,  что,  с  одной  стороны,  придаст новый импульс развитию
электронной   промышленности,   с  другой  -  будет  направлено  на
обеспечение  безопасности государства. Проект создания электронного
паспорта  должен находиться под контролем государства и его следует
рассматривать   как   основной   проект-катализатор   для   подъема
электронной промышленности в целом.

            Обеспечение создания и производства средств
                координатно-временного обеспечения

     В  настоящее  время  основными  и  наиболее точными средствами
навигационного    обеспечения   различных   потребителей   являются
глобальные  навигационные  спутниковые системы "ГЛОНАСС" (Россия) и
GPS   (США).   В   Европе   разворачивается  навигационная  система
"Галилео".
     Объем  российского  рынка  навигационной аппаратуры составляет
около  5  процентов  общего мирового рынка, что соответствует около
50   млн.   навигационных   приборов.   Сохранение   за  российским
производителем   не   менее   50   процентов   рынка  навигационной
аппаратуры  соответствует  объему  выпуска электронной компонентной
базы на 1,5 - 1,8 млрд. рублей в год.

          Обеспечение создания и производства техники для
                       цифрового телевидения

     Правительством   Российской   Федерации   принято   решение  о
внедрении  европейской  системы  цифрового  телевизионного вещания,
что  позволяет  рассчитывать  на  широкое использование российского
высокотехнологичного  оборудования и исключить "захват" российского
рынка  телевидения  иностранными  фирмами,  как  это  произошло при
внедрении мобильной радиосвязи.
     По  оценкам,  объем рынка аппаратуры для цифрового телевидения
к  2015  году составит около 600 млрд. рублей, при этом уже сегодня
не  менее  60  процентов аппаратуры может производиться российскими
организациями.
     Следует  учитывать,  что  дополнительную  потребность при этом
создает  производство  приставок к обычным (аналоговым) телевизорам
для  приема  ими цифрового телевизионного сигнала. Учитывая большое
количество  аналоговых  телевизоров,  находящихся  в  пользовании у
населения  (не  менее  80  млн.  аппаратов),  данный  сегмент рынка
представляется весьма существенным.
     Кроме  того,  следует  учитывать систему платного абонентского
телевидения,    в    которой    используются   специальные   схемы,
обеспечивающие  возможность платного просмотра. В целом, совокупный
объем  рынка  электронной  компонентной базы по данному направлению
составит 5-8 млрд. рублей в год.

   Обеспечение создания и производства современного медицинского
             оборудования, в том числе мобильного типа

     В настоящее время совокупный объем рынка медицинской техники в
России составляет  40-45  млрд.  рублей,  из  них  около  30  млрд.
рублей -  импортные  изделия,  причем  значительную  долю импортных
изделий составляют изделия с  применением  современной  электронной
компонентной базы (более 42 процентов).
     Приоритетным  направлением развития следует считать разработку
и   освоение   производства   автономных   миниатюрных  электронных
медицинских   систем,  приборов  и  оборудования,  рассчитанных  на
мобильное использование.
     Средняя  стоимость изделий медицинской техники мобильного типа
с  учетом  покупательной  способности  населения  страны  не должна
превышать  50  долларов  США.  Общий объем рынка оборудования этого
типа   прогнозируется   на   уровне  5  млн.  единиц  в  год.  Доля
электронной  компонентной  базы  в  стоимости  такого  оборудования
составляет  не менее 80 процентов. Таким образом, общий объем рынка
электронной   компонентной   базы   для  медицинского  оборудования
мобильного типа может составить 7,2 млрд. рублей в год.
     С учетом  высокой  стоимости   сложного   диагностического   и
терапевтического  импортного  медицинского  оборудования  одним  из
путей снижения его стоимости должно  стать  производство  в  России
аналогичного    оборудования    на   основе   широкого   применения
отечественной  электронной  компонентной  базы.  Доля   электронной
компонентной   базы   в   общей   стоимости   только  стационарного
оборудования доходит до 20 процентов, поэтому можно рассчитывать на
сбыт  электронной  компонентной  базы в пределах 1,4 млрд.  рублей,
исходя из общего объема рынка такого  оборудования  в  размере  7,2
млрд. рублей в год.
     В перспективе совокупный объем рынка электронной  компонентной
базы для медицинского оборудования может достигнуть 8 млрд.  рублей
в год.

                Современные технологии образования

     В области образования необходимо в первую  очередь  обеспечить
равный доступ всех обучающихся к источникам информации современного
типа на основе использования мультимедийных систем.  В связи с этим
необходимо  обеспечить устойчивый высокоскоростной доступ к сетевым
ресурсам на всей территории страны.
     Беспроводной мультимедийный   доступ   к   ресурсам   обучения
целесообразно  развивать  путем  существенного  снижения  стоимости
персональных    мобильных   компьютеров   с   целью   максимального
приближения  их  цены   к   покупательной   способности   населения
Российской Федерации.
     Решить  эту  задачу  можно  только путем организации массового
производства   комплектующих  для  выпуска  указанных  устройств  и
оборудования  на  территории  Российской Федерации, причем основным
подходом  к  решению  данной  задачи  должно быть резкое сокращение
количества  комплектующих в персональных и мобильных вычислительных
устройствах  за  счет применения "систем на кристалле". Кроме того,
необходимо  организовать на территории России массовое производство
дешевых  жидкокристаллических и других мониторов (например, на базе
дешевой технологии полимерных дисплеев).
     Общий объем   рынка   мультимедийных   устройств  для  системы
образования при условии снижения их  стоимости  до  1  -  1,5  тыс.
рублей  может  достичь 5 млн.  единиц в год,  то есть 3,6 - 7 млрд.
рублей в год.  Стоимость электронной компонентной  базы  в  составе
таких изделий составляет не менее 70 процентов,  поэтому совокупный
объем продаж электронной компонентной базы в  этом  сегменте  рынка
может составить 2,6 - 5,2 млрд. рублей.

                   Электроника и доступное жилье

     В ближайшей  перспективе  планируется  значительное сокращение
расходов  на  эксплуатацию  и  энергообеспечение  жилья   за   счет
внедрения  энергосберегающих технологий.  Большое значение при этом
имеет широкое  внедрение  солнечной  энергетики,  высокоэффективных
твердотельных   источников   света   и   систем   интеллектуального
управления   объектами   в   жилых    помещениях,    оптимизирующих
энергопотребление   и  обеспечивающих  постоянный  мониторинг  всех
объектов управления,  находящихся  в  помещении  ("интеллектуальный
дом").
     Необходимо  также  решить  вопросы,  связанные  с обеспечением
коммунальной    инфраструктуры   строящегося   и   модернизируемого
жилищного  фонда,  повышением  качества  и совершенствованием учета
объема   коммунальных   услуг   (водоснабжение,   электроснабжение,
теплоснабжение).
     Модернизации   с  применением  электронных  технологий  должны
подвергнуться  около  20  млн.  единиц жилищного фонда страны за 10
лет.  При  среднем  уровне затрат на модернизацию не менее 1,5 тыс.
рублей   на   типовое  электронное  устройство  общий  объем  этого
сегмента рынка может составить 30 млрд. рублей в год.

                 Электроника и сельское хозяйство

     В  области  сельского  хозяйства электронные технологии должны
использоваться  для  создания  производственной основы модернизации
сельскохозяйственного    машиностроения    (включая    транспортную
составляющую,  технологическое  оборудование  для  животноводства и
первичной  переработки  продукции, новую инженерно-техническую базу
отрасли),  беспроводных  сенсорных сетей на основе интеллектуальных
датчиков,  контролирующих  состояние  почвы,  растительных культур,
режим питания и перемещение скота в животноводстве.
     Применение   указанных   технологий   в   сельском   хозяйстве
обеспечит  рациональное  использование  удобрений,  снижение падежа
скота   и   птицы,   а   также   своевременное   предупреждение   о
распространении среди животных опасных для человека эпидемий.
     Данный сегмент  рынка  оценивается  в объеме около 12-15 млрд.
рублей в год.
     Другие    сегменты   рынка   электронной   компонентной   базы
(промышленная   электроника,  энергетическое  оборудование,  связь,
космическая    техника,    автомобильная    электроника,    системы
безопасности,  бытовая  техника, торговое оборудование и др.) могут
также существенно увеличить загрузку электронных производств.
     Таким образом,  в России  существует  реальная,  подкрепленная
гарантированным   рынком   государственных   закупок,   возможность
создания современного производства электронной компонентной базы  с
общим объемом сбыта в размере 90-120 млрд. рублей в год.
     Подпрограмма  направлена  на  приоритетное  развитие  основных
базовых    электронных    технологий,   обеспечивающих   укрепление
научно-производственной  базы  российской  электроники,  ускоренное
развитие   автоматизированных   систем  проектирования  электронной
компонентной  базы  и  реализацию  основных  структурных  элементов
интегрированной    многоуровневой    системы   разработки   сложной
радиоэлектронной  аппаратуры  и стратегически важных систем на базе
библиотек   стандартных   элементов,  сложнофункциональных  блоков,
специализированных    больших   интегральных   схем   "система   на
кристалле", прикладного и системного программного обеспечения.
     Срок реализации  подпрограммы  обусловлен  необходимостью   ее
согласования    с   основными   действующими   и   разрабатываемыми
программами   социально-экономического   развития,   а   также    с
реализацией   в   рамках  одной  программы  крупных  инвестиционных
проектов,  определяющих  выполнение  государственных   заданий   по
социально-экономическому     развитию.     Подпрограмма    является
обеспечивающей  по  отношению  к  федеральной   целевой   программе
"Национальная технологическая база" на 2007-2011 годы.
     Подпрограмма  подготовлена  и  будет реализовываться на основе
следующих принципов:
     комплексность     решения    наиболее    актуальных    проблем
научно-технического   и   технологического  развития  разработки  и
производства электронной компонентной базы;
     сосредоточение   основных   усилий   на  развитии  критических
технологий,   разработке   и   организации   выпуска   новых  серий
электронной  компонентной  базы, имеющих межотраслевое значение для
повышения    технологического    уровня   и   конкурентоспособности
российской продукции;
     адресность  инвестиций  в  отношении  проектов,  реализуемых в
рамках  подпрограммы, в сочетании с возможностью маневра бюджетными
средствами  и  их  концентрацией  на  приоритетных направлениях для
обеспечения наибольшей эффективности реализуемых мероприятий;
     обеспечение  эффективного  управления реализацией подпрограммы
и контроля за целевым использованием выделенных средств;
     создание  условий для продуктивного сотрудничества государства
и   частного   бизнеса,   основанных   на  сочетании  экономических
интересов и соблюдении взаимных обязательств.

       II. Основные цель и задачи подпрограммы, срок и этапы
      ее реализации, а также целевые индикаторы и показатели

     Целью    подпрограммы    является    развитие    национального
научно-технологического  и производственного базиса по разработке и
выпуску  конкурентоспособной  наукоемкой  электронной  компонентной
базы   для   решения  приоритетных  задач  социально-экономического
развития   и   обеспечения   национальной  безопасности  Российской
Федерации.
     Задачи подпрограммы:
     разработка базовых   технологий    и    базовых    конструкций
электронных    компонентов    и    приборов   (сверхвысокочастотная
электроника,  радиационно стойкая  электронная  компонентная  база,
микросистемная   техника,  микроэлектроника,  силовая  электроника,
пассивные элементы, электронные материалы);
     опережающее развитие систем автоматизированного проектирования
сложных электронных компонентов и систем  для  достижения  мирового
уровня;
     техническое перевооружение       российской        электронной
промышленности   на   основе   передовых  технологий  и  расширение
производства  электронной   компонентной   базы   для   обеспечения
внутреннего рынка и увеличения экспорта наукоемкой продукции;
     создание научно-технического    задела    по     перспективным
технологиям  и  конструкциям  электронных  компонентов  и процессов
проектирования перспективных видов электронной компонентной базы  и
аппаратуры;
     активизация   процессов   коммерциализации   новых  технологий
электронной компонентной базы;
     обеспечение  российских  разработок радиоэлектронных средств и
стратегически  значимых  систем российской электронной компонентной
базой высокого качества.
     В  результате  реализации подпрограммы предполагается создание
современной   технологической  базы  и  модернизация  промышленного
производства   электронной   компонентной   базы,  необходимых  для
разработки  и производства высокотехнологичной наукоемкой продукции
мирового  уровня в области важнейших технических систем (воздушный,
морской   и   наземный   транспорт,   ракетно-космическая  техника,
машиностроительное  и  энергетическое  оборудование, вычислительная
техника,  системы  управления,  связи  и  информатики), медицинской
техники,  образования,  экологического  контроля  и  обеспечивающих
технологические   аспекты  национальной  безопасности  государства,
решение   задачи   удвоения  к  2010  году  национального  валового
продукта,  расширение возможностей для равноправного международного
сотрудничества в сфере высоких технологий.
     Осуществление    мероприятий    подпрограммы    позволит    на
макроуровне:
     увеличить  объем  продаж  российской  электронной компонентной
базы на внутреннем и внешнем рынках;
     значительно  сократить  технологическое  отставание российской
электронной промышленности от мирового уровня;
     обеспечить  большие  возможности  для  развития  всех отраслей
промышленности;
     создать  условия для более эффективной реализации национальных
проектов;
     создать  ориентированную  на  рынок инфраструктуру электронной
промышленности   (системоориентированные   центры   проектирования,
дизайн-центры,    специализированные    производства   по   заказу,
научно-технологический центр по микросистемотехнике);
     активизировать    инновационную    деятельность   и   ускорить
внедрение  результатов  научно-технической  деятельности в массовое
производство;
     обеспечить   возможность   создания   вооружения,   военной  и
специальной     техники     нового     поколения,    что    повысит
обороноспособность и безопасность государства.
     Реализация подпрограммы позволит на микроуровне:
     обеспечить    обновляемость    основных   фондов   организаций
электронной  промышленности  и  стимулировать создание современного
высокотехнологичного производства;
     создать  крупные  и  эффективные диверсифицированные структуры
(холдинги,    концерны),    способные   конкурировать   с   лучшими
иностранными фирмами, работающими в области электроники;
     организовать производство  массовой интеллектуально насыщенной
и    конкурентоспособной    высокотехнологичной    радиоэлектронной
продукции,  разнообразных  современных  телекоммуникационных услуг,
включая радио и телевидение.
     В социально-экономической сфере:
     повысится качество       жизни       населения       благодаря
интеллектуализации   среды   обитания   и   расширению  возможности
использования электроники и информационных систем;
     увеличится  число рабочих мест в электронной отрасли, снизится
отток  талантливой части научно-технических кадров, повысится спрос
на  квалифицированные  научно-технические  кадры,  будет обеспечено
привлечение  молодых  специалистов  и ученых и улучшится возрастная
структура кадров;
     улучшится экологическая   ситуация    за    счет    разработки
экологически  чистых  технологий  получения и обработки электронных
материалов,  развития новых электронных производств  с  повышенными
требованиями   к  нейтрализации  и  утилизации  вредных  веществ  и
отходов,  создания новых поколений датчиков,  сенсоров  и  приборов
контроля  вредных  и  опасных веществ,  введения автоматизированных
систем контроля и раннего предупреждения  техногенных  катастроф  и
аварий.
     В   бюджетной   сфере   будет   обеспечено   увеличение   базы
налогообложения  за  счет  значительного  повышения  объема  продаж
изделий электронной промышленности.
     Подпрограмму предполагается   выполнить   в   соответствии   с
федеральной целевой программой "Национальная технологическая  база"
на 2007-2011 годы в два этапа:
     I этап - 2007-2009 годы;
     II этап - 2008-2011 годы.

          Индикаторы и показатели реализации подпрограммы

     В качестве    основного    показателя    успешной   реализации
подпрограммы  принимается  увеличение  объемов  продаж  электронной
продукции.
     В  2005  году  общий объем реализованной продукции предприятий
электронной  промышленности  составил  13  млрд. рублей. Ожидается,
что  в  2011  году  аналогичный  показатель составит около 45 млрд.
рублей.  Темпы  роста  объемов  производства  будут  сопоставимы  с
мировыми  показателями и соответствовать задаче новой экономической
доктрины России по увеличению внутреннего валового продукта.
     Индикатором  реализации  подпрограммы является технологический
уровень  освоенных  в  производстве  сверхбольших интегральных схем
(оценка проводится по величине минимального размера элемента).
     Ожидается,   что   в   2009 году   организациями   электронной
промышленности  будет  освоен  технологический  уровень в 0,13 мкм,
что  обеспечит  создание  производственно-технологической  базы для
выпуска  необходимой электронной компонентной базы, соответствующей
потребностям   российских   потребителей.   Значения  индикатора  и
показателей   реализации   мероприятий   подпрограммы  приведены  в
приложении N 1.

              III. Перечень мероприятий подпрограммы

     Мероприятия   подпрограммы   приведены   в  приложении  N 2  и
структурированы   по   следующим  важнейшим  направлениям  развития
электронной компонентной базы:
     сверхвысокочастотная     электроника     (сверхвысокочастотные
транзисторы и твердотельные микросхемы);
     радиационно стойкая электронная компонентная база;
     микросистемная техника;
     микроэлектроника;
     электронные материалы и структуры;
     группы     пассивной     электронной     компонентной     базы
(радиоэлектронные  компоненты  и  приборы  опто- и фотоэлектроники,
пьезо-   и   магнитоэлектроники,  квантовой  электроники,  а  также
установочные изделия);
     обеспечивающие  работы  (комплекс  научно-исследовательских  и
опытно-конструкторских  работ  по управлению подпрограммой, анализу
выполненных   работ,   оптимизации   состава   выполняемых   работ,
проведению  конкурсного  отбора, а также по разработке и реализации
информационно-аналитической           системы           обеспечения
программно-целевого  подхода  к  развитию  электронной  техники, по
созданию  и  внедрению  комплекса  стандартов надежности и качества
электронной компонентной базы, экологической безопасности).
     В  рамках  направления  1  "Сверхвысокочастотная  электроника"
предусмотрено   выполнение  комплекса  мероприятий  подпрограммы  в
следующих целях:
     разработка  базовых  технологий производства мощных кремниевых
сверхвысокочастотных  транзисторов  L  и S частотных диапазонов для
систем   радиолокации   с   использованием   активных  фазированных
антенных решеток и систем связи;
     развитие   технологий   сверхвысокочастотных   транзисторов  и
монолитных  сверхвысокочастотных  микросхем  на  гетероструктурах и
широкозонных    полупроводниках    и    организация   их   опытного
производства;
     организация   опытно-технологической   производственной  линии
изготовления     сверхвысокочастотных    транзисторов    частотного
диапазона до 150 ГГц для перспективных систем связи и локации;
     разработка   базовой   технологии,   базовых   конструкций   и
организация     выпуска     новых     типов    магнитоэлектрических
сверхвысокочастотных приборов;
     разработка     систем    автоматизированного    проектирования
сверхвысокочастотных   приборов,   монолитных  сверхвысокочастотных
микросхем,       сверхширокополосных      твердотельных      мощных
сверхвысокочастотных  модулей,  приемо-передающих модулей на основе
унифицированного  конструктивно-технологического базиса и библиотек
стандартных элементов.
     Указанное   направление   определяет   весь   комплекс  работ,
выполнение   которых   обеспечит   создание  к  2012 году  серийных
образцов  активных антенных фазированных решеток для радиолокаторов
наземного,  корабельного, воздушного и космического базирования для
перспективных   средств   противоздушной   обороны,   воздушной   и
космической   разведки,   управления  и  связи,  а  также  создание
производственных  мощностей  для серийного производства специальной
сверхвысокочастотной     электронной     компонентной     базы    и
приемо-передающих модулей.
     Сверхвысокочастотная     электронная     компонентная     база
востребована   в   аппаратуре  сотовых  (спутниковых,  воздушных  и
наземных  носителей) интерактивных телекоммуникаций в сантиметровом
и  миллиметровом  диапазонах длин волн, на основе которых создаются
принципиально  новые  стратегические  системы передачи информации и
управления.   Роль   этих   систем   будет  настолько  велика,  что
блокирование   их   деятельности   или  несанкционированный  доступ
приведет  к ущербу в государственном масштабе, который сегодня вряд
ли   можно   оценить.   Поэтому  аппаратура  сотовых  интерактивных
телекоммуникаций    должна    и   может   создаваться   только   на
отечественной    твердотельной   сверхвысокочастотной   электронной
компонентной базе.
     Массовое     применение    сверхвысокочастотной    электронной
компонентной  базы  возможно  и  в  гражданской  сфере:  в цифровом
телевидении,    в    домашней    и    учрежденческой   беспроводной
информационно-управляющей   сети,   в   автомобильных  радарах  для
автоматической     парковки,    предупреждения    столкновений    и
автопилотирования.
     Подпрограмма предусматривает мероприятия по разработке:
     технологии   производства  мощных  транзисторов  и  монолитных
сверхвысокочастотных  микросхем на основе гетероструктур материалов
группы   А В ,   объемных   приемо-передающих  сверхвысокочастотных
          3 5
субмодулей X диапазона;
     базовой   технологии   производства  мощных  полупроводниковых
приборов  и  монолитных  интегральных  систем сверхвысокочастотного
диапазона на основе нитридных гетероэпитаксиальных структур;
     базовой     технологии    производства    сверхвысокочастотных
интегральных    схем   высокой   степени   интеграции   на   основе
гетероструктур "кремний-германий";
     базовой     технологии    изготовления    сверхвысокочастотных
транзисторов и интегральных схем на широкозонных материалах;
     базовых  конструкций и технологии производства корпусов мощных
сверхвысокочастотных  транзисторов  X,  C,  S,  L и P диапазонов из
малотоксичных материалов с высокой теплопроводностью;
     базовых   технологий   производства   и  конструктивного  ряда
суперлинейных  кремниевых  сверхвысокочастотных  транзисторов S и L
диапазонов;
     технологии   измерений   и   базовых   конструкций   установок
автоматизированного   измерения   параметров   нелинейных   моделей
сверхвысокочастотных     полупроводниковых     структур,     мощных
транзисторов  и  монолитных  интегральных  систем  X,  C,  S, L и P
диапазонов для их массового производства;
     базовых   технологий  для  создания  нового  поколения  мощных
вакуумно-твердотельных   малогабаритных   модулей   с   улучшенными
массогабаритными     и     спектральными    характеристиками    для
перспективных радиоэлектронных систем двойного применения;
     технологии    изготовления   сверхбыстродействующих   приборов
(до 150 ГГц) на наногетероструктурах с квантовыми дефектами;
     базовой  технологии портативных фазированных блоков аппаратуры
миллиметрового  диапазона  длин  волн на основе магнитоэлектронных,
твердотельных   (GaAs)   и  высокоскоростных  цифровых  приборов  и
устройств с функциями адаптации и цифрового диаграммообразования.
     Дальнейшее расширение сверхвысокочастотного диапазона  связано
с  созданием  в  стране  электронной  компонентной  базы с рабочими
частотами 40 ГГц и  более.  Перспективными  материалами  для  таких
электронных  компонентных  баз являются широкозонные полупроводники
(нитрид галлия и карбид кремния)  для  мощных  сверхвысокочастотных
полупроводниковых   приборов   и  кремний-германий  для  монолитных
интегральных схем.  Работы с этими материалами за  рубежом  активно
развиваются   последние   3-5   лет.   В  России  их  использование
сдерживается   недостаточным   объемом   работ   по   созданию    и
совершенствованию технологии производства как самих материалов, так
и электронной компонентной базы на их основе.
     В   рамках  направления  2  "Радиационно  стойкая  электронная
компонентная    база"    предусмотрено    выполнение    комплексных
мероприятий подпрограммы в целях создания:
     базовых технологий    изготовления     радиационно     стойких
специализированных больших интегральных схем уровней 0,5 - 0,35 мкм
на структурах "кремний на сапфире";
     технологии  проектирования  и  изготовления серий логических и
аналоговых  радиационно стойких приборов на базе структуры "кремний
на изоляторе" с проектными нормами до 0,25 - 0,18 мкм;
     базовых   технологий  радиационно  стойких  специализированных
больших интегральных схем энергонезависимой памяти;
     технологии     структуры     "кремний    на    сапфире"    для
лицензионно-независимых  специализированных  цифровых  сверхбольших
интегральных схем, микроконтроллеров и схем интерфейса;
     технологии радиационно стойких силовых приборов.
     Предполагается  разработать  принципиально  новую технологию с
применением   элементов   памяти   на  основе  фазовых  структурных
переходов  вещества,  нечувствительных  к  воздействию  практически
любых  видов радиации и обеспечивающих создание универсального типа
памяти   для  всех  встроенных  применений  в  микроконтроллерах  и
микропроцессорах.    При   этом   резко   сократится   номенклатура
применяемых  элементов.  Кроме  того, будут разработаны качественно
новые  приборы  на  структурах  ультратонкого кремния (32-разрядные
микропроцессоры,  микроконтроллеры,  умножители,  базовые матричные
кристаллы   до   200 тыс.   вентилей,   программируемые  логические
интегральные   схемы,   функционально  ориентированные  процессоры,
аналоговые,  аналого-цифровые и цифроаналоговые  специализированные
сверхбольшие интегральные схемы).
     Необходимость выполнения  работ обусловлена задачей сохранения
паритета с другими  ядерными  державами  в  области  стратегических
ядерных  сил.  Аналогичные  работы были выполнены в США в 2001-2005
годах  в  рамках  Программы   ускоренного   развития   субмикронной
радиационно   стойкой  электронной  компонентной  базы  для  нового
поколения стратегических ядерных сил.  Нужно учитывать, что закупки
лицензий  на  эти  технологии  на  мировом  рынке  невозможны из-за
ограничений,   накладываемых    международными    соглашениями    о
нераспространении ядерных технологий.
     В  рамках направления 3 "Микросистемная техника" предусмотрено
выполнение комплекса мероприятий в целях разработки:
     базовой технологии         прецизионного          формирования
микроэлектромеханических трехмерных структур;
     системы автоматизированного                     проектирования
микроэлектромеханических     интегрированных    систем,    сенсоров
механических  и  электрических  величин,  гироскопов,  прецизионных
акселерометров,   включая   создание   специализированного   центра
проектирования микроэлектромеханических систем  на  базе  библиотек
стандартных элементов;
     библиотеки   стандартных   элементов  микроэлектромеханических
устройств  с использованием пьезоэлектрических материалов и системы
автоматизированного     проектирования    фильтров,    резонаторов,
пьезоактюаторов,   пьезогироскопов,   гидроакустических   антенн  и
других приборов.
     Развертывание  работ  по  указанному  направлению  обусловлено
необходимостью    удовлетворения   резко   возросшего   спроса   на
микроэлектромеханические  системы  на  внутреннем и мировом рынках.
Так,    объемы    мирового    рынка    в    2005   году   составили
7,1 млрд. долларов  США.  По  прогнозу, рыночная потребность в 2010
году  простейших систем, разработка и производство которых под силу
большинству   российских   микроэлектронных  производств,  составит
более  850  млн.  штук  (более  30 млрд.  рублей  в  год), что дает
возможность выхода российских производителей на мировой рынок.
     Отставание  России от передовых стран в области микросистемной
техники   не   так  значительно  в  связи  с  тем,  что  конкретные
прикладные  результаты  в  мировом  масштабе были получены только в
90-е    годы    и    технологические    нормы    для   производства
микроэлектромеханических  систем  доступны  большинству предприятий
отрасли.
     В   2007   году   планируется   начать   выполнение  комплекса
научно-исследовательских    и   опытно-конструкторских   работ   по
разработке     базовых    технологий    и    базовых    конструкций
микроакустоэлектромеханических,                 микроаналитических,
микрооптоэлектромеханических,                        радиочастотных
микроэлектромеханических  систем  и  микросистем  анализа магнитных
полей.  В  результате будут разработаны датчики физических величин,
в  частности  давления, температуры, деформации, крутящего момента,
микроперемещений,  резонаторов  и  других,  а также освоены базовые
технологии    изготовления    микросистем   на   основе   процессов
формирования   специальных   слоистых  структур,  чувствительных  к
газовым,  химическим  и  биологическим  компонентам внешней среды и
способных  обнаруживать  опасные,  токсичные,  горючие и взрывчатые
вещества.
     Учитывая   мультипликативный  эффект  развития  микросистемной
техники   для  других  отраслей  промышленности,  реализация  этого
направления  расширяет  возможности  автомобильного, авиационного и
ракетно-космического  машиностроения,  навигации,  здравоохранения,
информационных,  телекоммуникационных  и  военных  технологий,  что
позволит    обеспечить    реализацию    национальных    приоритетов
технологического  развития и повысить экспортный потенциал России в
области высоких технологий.
     В   рамках   направления  4  "Микроэлектроника"  предусмотрено
выполнение комплекса мероприятий подпрограммы в целях:
     разработки   базовых   технологий  специализированных  больших
интегральных  схем,  в том числе технологии комплементарных полевых
транзисторных   структур  уровня  0,25 - 0,13  мкм   на   пластинах
диаметром 200 мм с созданием опытного производства;
     разработки  технологии изготовления шаблонов с фазовым сдвигом
и   коррекцией   оптического   эффекта  близости  для  производства
специализированных  сверхбольших  интегральных  схем  и организации
межотраслевого  центра проектирования, изготовления и каталогизации
шаблонов технологического уровня до 0,13 мкм;
     ускоренного    развития    систем    проектирования    сложных
специализированных  сверхбольших  интегральных  схем (включая схемы
"система    на    кристалле"),    ориентированных   на   разработку
конкурентоспособных       электронных      систем      мультимедиа,
телекоммуникаций,  систем  радиолокации,  космического мониторинга,
цифровых   систем   обработки   и  передачи  информации,  цифрового
телевидения  и  радиовещания,  систем  управления  технологическими
процессами  и  транспортом,  систем  безналичного расчета, научного
приборостроения   и   обучения,   систем  идентификации,  сжатия  и
кодирования   информации,   медицинской  техники  и  экологического
контроля;
     разработки  новых  поколений  электронной компонентной базы, в
том  числе  функционально полной номенклатуры аналоговых и цифровых
больших   интегральных   схем   для   комплектации  и  модернизации
действующих  радиоэлектронных  систем  и аппаратуры, включая задачи
импортозамещения;
     разработки  сложнофункциональных  блоков для обработки, сжатия
и  передачи  информации,  сигнальных  и цифровых процессоров (в том
числе   программируемых),   микроконтроллеров,   цифроаналоговых  и
аналого-цифровых  преобразователей,  шин  и интерфейсов (драйверов,
приемопередатчиков),   а   также   специализированных   блоков  для
телекоммуникации и связи;
     разработки комплектов      специализированных     сверхбольших
интегральных схем "система на кристалле",  имеющих  до  10-50  млн.
транзисторов,  для  систем  цифровой  обработки  сигналов (цифровое
телевидение,  радиовещание,  сотовая   и   радиотелефонная   связь,
космический мониторинг, системы управления и контроля);
     разработки   приборов  силовой  электроники,  включая  базовую
технологию   и   конструкцию   производства   тиристоров  и  мощных
транзисторов,  силовых  ключей  на  токи  до 1500 А и напряжение до
6500  В,  а  также  базовую  технологию  производства и конструкцию
силовых  микросхем,  гибридных  силовых приборов тиристорного типа,
высоковольтных  драйверов  управления  и  интеллектуальных  силовых
модулей;
     создания   центров  проектирования  перспективной  электронной
компонентной  базы, в том числе промышленно ориентированных центров
проектирования  и испытания электронной компонентной базы в составе
отраслевой    многоуровневой    системы    проектирования   сложной
электронной  компонентной  базы  и  аппаратуры  (топологического  и
схемотехнического  уровней), системоориентированных базовых центров
сквозного  проектирования  радиоэлектронной  аппаратуры  на  основе
функционально    сложной    электронной    компонентной    базы   и
специализированных   сверхбольших  интегральных  схем  "система  на
кристалле",   а   также  развития  системы  проектирования  сложной
радиоэлектронной   аппаратуры   и  стратегически  значимых  систем,
учебных  центров  проектирования  электронной компонентной базы для
решения   задачи   обучения  и  подготовки  высококвалифицированных
специалистов.
     Создаваемые   центры   проектирования  должны  освоить  методы
проектирования  специализированных сверхбольших интегральных схем с
технологическим   уровнем   до   0,09  мкм  и  систему  заказов  на
зарубежных  специализированных производствах, действующих в мировой
системе разделения труда.
     В  рамках  направления  5  "Электронные материалы и структуры"
мероприятия   подпрограммы   ориентированы   в  первую  очередь  на
создание  технологий  для  освоения  принципиально новых материалов
для  современной  электронной компонентной базы (структуры "кремний
на   изоляторе",   широкозонные   полупроводниковые   структуры   и
гетероструктуры,  структуры  с  квантовыми  эффектами, композитные,
керамические   и   ленточные  материалы,  специальные  органические
материалы).   Среди   новых   разрабатываемых  материалов  наиболее
перспективными    являются    нитрид    галлия,   карбид   кремния,
алмазоподобные пленки и другие.
     Полупроводниковые  материалы пользуются повышенным спросом как
на  внутреннем,  так  и  на  внешнем  рынках,  что  создает хорошие
перспективы для увеличения экспорта.
     Предусмотрено  выполнение комплекса мероприятий подпрограммы в
следующих целях:
     разработка базовых  технологий  и организация производства,  в
том числе кремниевых  пластин  диаметром  200  мм  технологического
уровня 0,18 - 0,13 мкм,  структур "кремний на изоляторе",  "кремний
на сапфире" диаметром 150 мм и технологического уровня 0,5  -  0,35
мкм,  пластин  радиационно облученного кремния диаметром 150 мм для
приборов силовой электроники, гетероструктур диаметром 100-150 мм с
квантовыми   эффектами   для   сверхвысокочастотной   твердотельной
электроники,  высокоинтенсивных приборов  светотехники,  лазеров  и
специальных  матричных приемников,  керамических материалов и плат,
материалов для пленочных технологий, композитов, клеев и герметиков
для  выпуска новых классов радиоэлектронных компонентов и приборов,
корпусов  и  носителей,  "бессвинцовых"  сложных   композиций   для
экологически  чистой сборки электронной компонентной базы и монтажа
в составе радиоэлектронной аппаратуры;
     разработка    экологически    чистой    технологии   нанесения
гальванопокрытий  с  замкнутым  циклом  нейтрализации и утилизации,
высокоэффективных   процессов   формирования  полимерных  покрытий,
алмазоподобных    пленок    и   наноструктурированных   материалов,
процессов   самоформирования   пространственных   структур,   новых
классов  сложных  полупроводниковых  материалов  с  большой шириной
запрещенной   зоны   для   высоковольтной   и   высокотемпературной
электроники  (карбид  кремния,  алмазоподобные  материалы,  сложные
нитридные   соединения),   новых   классов   полимерных   пленочных
материалов,  включая  многослойные и металлизированные, а также для
задач  политроники  и  сборочных  процессов  массового производства
электронной компонентной базы широкого потребления.
     В   рамках   направления   6   "Группы  пассивной  электронной
компонентной  базы"  предусмотрено выполнение комплекса мероприятий
в следующих целях:
     разработка  технологий  и  базовых  конструкций  типового ряда
радиоэлектронных компонентов требуемой номенклатуры, в том числе:
     магнитоуправляемых    контактов,    тиратронов    и   искровых
разрядников;
     коммутационных и установочных изделий;
     разработка  технологий  и базовых конструкций новых поколений,
в том числе:
     новых   классов   и   групп   резисторов   и  конденсаторов  с
повышенными   техническими  и  эксплуатационными  характеристиками,
включая развитие производственных мощностей по их выпуску;
     сверхъярких  высокоэкономичных  светодиодов  красного свечения
для "стоп-сигналов" транспортной техники;
     высокоэффективных       широкоспектральных       твердотельных
осветительных приборов для бытовых и промышленных целей;
     гибких  экранов,  информационных  табло и сигнальных устройств
на полимерной основе, включая варианты "прозрачных" экранов;
     светочувствительных  твердотельных  матричных  приемников  для
наблюдения   в   широком   спектральном   диапазоне   с  вариациями
освещенности;
     рентгеночувствительных  матричных  приемников  для медицинской
техники нового поколения;
     приборов   пьезотехники   и   акустоэлектроники  для  научной,
медицинской и связной аппаратуры;
     приборов  магнитоэлектроники  для радиоэлектронной аппаратуры,
сверхвысокочастотной    техники,    диагностической    и    научной
аппаратуры;
     фотоэлектронных умножителей широкого спектрального диапазона;
     магнитоэлектрических приборов расширенного диапазона частот;
     мощных технологических лазеров с полупроводниковой накачкой;
     эксимерных лазеров для электронных технологий и медицины;
     базовых модулей лазерных локаторов и лазерных комплексов.
     Рыночная    потребность    в   указанных   видах   электронной
компонентной  базы  достаточно  высока,  более  того, большая часть
вновь   разрабатываемых   видов  электронной  компонентной  базы  и
изделий    электронной   техники   (высокояркостные   твердотельные
источники  света  и  экраны,  солнечные элементы и батареи, приборы
акустоэлектроники,  магнито-,  пьезоэлектроники) не только обладают
высокими   потребительскими  свойствами,  но  и  дают  значительный
экономический   эффект   за   счет  энергосбережения  и  интеграции
функций.
     Для    создания    нового   технического   уровня   резисторов
планируются   работы  по  разработке  технологии  сверхпрецизионных
резисторов,   используемых   для  аппаратуры  двойного  назначения,
технологии  особо  стабильных  и  особо  точных резисторов широкого
диапазона,   технологии   интегрированных  резистивных  структур  с
повышенными  технико-эксплуатационными  характеристиками  на основе
микроструктурированных   материалов  и  методов  групповой  сборки,
технологии    нелинейных    резисторов   (варисторов,   позисторов,
термисторов)   в   чип-исполнении,  технологии  автоматизированного
производства толстопленочных чип- и микрочип-резисторов.
     Для  создания  новых  классов  конденсаторов  будут  проведены
работы   по  изготовлению  танталовых  оксидно-полупроводниковых  и
оксидно-электролитических   конденсаторов,   разработке  технологии
производства    конденсаторов   с   органическим   диэлектриком   и
повышенными  удельными  характеристиками и организации производства
таких конденсаторов.
     Для  совершенствования  качества  и  технических характеристик
коммутаторов   и  переключателей  планируются  работы  по  созданию
технологии  базовых  конструкций высоковольтных (быстродействующих,
мощных)   вакуумных   выключателей   нового  поколения,  технологии
газонаполненных    высоковольтных   высокочастотных   коммутирующих
устройств  для  токовой коммутации цепей с повышенными техническими
характеристиками,     технологии     изготовления    малогабаритных
переключателей  с повышенными сроками службы для печатного монтажа,
а   также  технологии  серий  герметизированных  магнитоуправляемых
контактов и переключателей широкого частотного диапазона.
     Для   создания  новых  классов  приборов  акустоэлектроники  и
пьезотехники    планируется    провести   разработку   прецизионных
температуростабильных  высокочастотных  (до  2 ГГц)  резонаторов на
поверхностных  акустических  волнах, разработку ряда радиочастотных
пассивных   и   активных   акустоэлектронных   меток-транспондеров,
работающих    в   реальной   помеховой   обстановке,   для   систем
радиочастотной   идентификации   и   систем   управления  доступом,
разработку    базовой   конструкции   и   промышленной   технологии
производства    пьезокерамических    фильтров    в   корпусах   для
поверхностного    монтажа,   разработку   промышленной   технологии
акустоэлектронной   компонентной   базы   для   задач  мониторинга,
робототехники  и  контроля  функционирования  различных механизмов,
средств   и  систем,  разработку  базовой  технологии  производства
функциональных   законченных   устройств   стабилизации,   селекции
частоты   и  обработки  сигналов,  а  также  разработку  технологии
изготовления  высокочастотных  резонаторов  и  фильтров на объемных
акустических   волнах   для  телекоммуникационных  и  навигационных
систем.
     Работы по приборам инфракрасной техники будут сконцентрированы
в области разработки:
     технологии    фоточувствительных    приборов    с   матричными
приемниками    высокого    разрешения   для   аппаратуры   контроля
изображений;
     технологии        унифицированных        электронно-оптических
преобразователей,  микроканальных пластин, пироэлектрических матриц
и  камер  на  их  основе  с  чувствительностью  до 0,1 К и широкого
инфракрасного диапазона;
     технологии  создания интегрированных гибридных фотоэлектронных
высокочувствительных   и   высокоразрешающих   приборов  для  задач
космического мониторинга и специальных систем наблюдения.
     Для  приборов квантовой электроники приоритетными будут работы
по созданию технологий:
     мощных   полупроводниковых  лазерных  диодов  (непрерывного  и
импульсного  излучения) при снижении расходимости излучения в 5 раз
для создания аппаратуры и систем нового поколения;
     специализированных   лазерных   полупроводниковых   диодов   и
лазерных волоконно-оптических модулей;
     для  лазерных  навигационных  приборов,  включая  интегральный
оптический  модуль  лазерного гироскопа на базе сверхмалогабаритных
кольцевых   полупроводниковых   лазеров   инфракрасного  диапазона,
оптоэлектронные   компоненты   для   широкого  класса  инерциальных
лазерных  систем  управления  движением  гражданских  и специальных
средств транспорта;
     полного    комплекта   электронной   компонентной   базы   для
производства  лазерного  устройства  определения  наличия  опасных,
взрывчатых,  отравляющих  и  наркотических веществ в контролируемом
пространстве.
     Приборы    светотехники   и   отображения   информации   будут
совершенствоваться на основе разработки:
     технологий   интегрированных   катодолюминесцентных   дисплеев
двойного назначения со встроенным микроэлектронным управлением;
     технологии  высокояркостных светодиодов и индикаторов основных
цветов свечения для систем подсветки в приборах нового поколения;
     базовой  технологии  и  конструкции  оптоэлектронных  приборов
(оптроны,   оптореле,   светодиоды)   в  миниатюрных  корпусах  для
поверхностного монтажа;
     базовой  технологии  изготовления  высокоэффективных солнечных
элементов   на   базе   использования   кремния,   полученного   по
"бесхлоридной"    технологии    и   технологии   "литого"   кремния
прямоугольного сечения;
     технологий  получения  новых классов органических (полимерных)
люминофоров,   пленочных   транзисторов   на   основе  "прозрачных"
материалов,  полимерной  пленочной основы и технологий изготовления
крупноформатных   гибких   и   особо   плоских   экранов   на  базе
высокоразрешающих   процессов   струйной   печати   и  непрерывного
процесса изготовления "с катушки на катушку";
     базовых  конструкций  и технологии активных матриц и драйверов
плоских    экранов   на   основе   аморфных,   поликристаллических,
кристаллических   кремниевых  интегральных  структур  на  различных
подложках  и  созданных  на  их  основе перспективных видеомодулей,
включая  органические электролюминесцентные, жидкокристаллические и
катодолюминесцентные;
     базовой  конструкции и технологии крупноформатных полноцветных
газоразрядных видеомодулей.
     В  рамках  направления 7 "Обеспечивающие работы" предусмотрено
выполнение комплекса мероприятий, включающих:
     разработку  межведомственной  информационно-справочной системы
и   баз  данных  по  библиотекам  стандартных  элементов,  правилам
проектирования,   системе  заказа  шаблонов,  изготовлению  опытных
образцов  и  аттестации  проектов  сложной электронной компонентной
базы;
     разработку  научно  обоснованных  рекомендаций  по дальнейшему
развитию  электронной  компонентной  базы  и  подготовку комплектов
документов   программно-целевого  развития  электронной  техники  в
интересах     обеспечения    технологической    и    информационной
безопасности России;
     систематический   контроль  и  анализ  выполнения  мероприятий
подпрограммы,  формирование  годовых планов, проведение конкурсного
отбора  научно-исследовательских  и  опытно-конструкторских работ и
анализ выполнения подпрограммы;
     создание     и     внедрение    комплекса    методической    и
научно-технической    документации    по   проектированию   сложной
электронной   компонентной   базы,   по  обеспечению  надежности  и
качества,  экологической  безопасности  и  защите  интеллектуальной
собственности  с  учетом  обеспечения требований Всемирной торговой
организации.

        IV. Обоснование ресурсного обеспечения подпрограммы

     Расходы  на  реализацию  мероприятий  подпрограммы  составляют
38460 млн. рублей, в том числе:
     а) за  счет  средств федерального бюджета - 23200 млн. рублей,
из них:
     на  научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы -
15880 млн. рублей;
     на капитальные вложения - 7320 млн. рублей;
     б) за  счет  средств  внебюджетных  источников  -  15260  млн.
рублей.
     Ресурсное     обеспечение     подпрограммы     предусматривает
привлечение средств федерального бюджета и внебюджетных средств.
     Средства  федерального  бюджета  направляются в первую очередь
на   финансирование  следующих  приоритетных  направлений  развития
электронной компонентной базы:
     сверхвысокочастотная            электроника,           включая
сверхвысокочастотные материалы;
     радиационно стойкая  электронная  компонентная  база,  включая
радиационно    стойкие    материалы    и    радиационно     стойкую
микроэлектронику;
     микросистемная   техника   на   базе  микроэлектромеханических
систем,   интеллектуальных  сенсоров  и  интегрированных  структур,
включая материалы для микросистемной техники;
     базовые   центры   системного   проектирования,  в  том  числе
межотраслевой  центр  проектирования,  каталогизации и изготовления
фотошаблонов.
     Приоритетность направлений        обусловлена        имеющимся
научно-техническим  заделом,  прогрессивностью новых исследований и
результатов,  удельным весом данного  направления  в  общем  объеме
работ  по  развитию  электроники  и  темпами развития специальной и
гражданской техники.
     Объемы финансирования    приоритетных   направлений   развития
электронной компонентной базы в 2007-2011  годах  за  счет  средств
федерального бюджета приведены в приложении N 3.
     Наибольшие суммы средств на научные исследования выделяются на
проведение   научно-исследовательских   работ  в  области  развития
сверхвысокочастотной  техники,  радиационно   стойкой   электронной
компонентной базы и микросистемной техники (около 58 процентов). За
пятилетний  период  планируется  в   первую   очередь   осуществить
техническое   перевооружение   предприятий,  работающих  в  области
сверхвысокочастотной  техники,  радиационно   стойкой   электронной
компонентной  базы  и микросистемной техники,  для чего планируется
выделить 54 процента всех капитальных вложений. При этом наибольшая
сумма  капитальных вложений (41 процент) будет выделена на создание
и техническое оснащение базовых центров системного проектирования и
межотраслевого   центра  фотошаблонов.  Таким  образом,  на  четыре
приоритетных направления развития электронной компонентной  базы  в
2007-2011  годах  планируется выделить 70 процентов всех финансовых
средств, выделяемых на реализацию подпрограммы.
     Объем финансирования         научно-исследовательских        и
опытно-конструкторских работ по всем направлениям  подпрограммы  за
счет внебюджетных средств будет не менее 7940 млн. рублей.
     Источниками внебюджетных средств станут средства организаций -
исполнителей работ и привлеченные средства (кредиты банков, заемные
средства,  средства потенциальных потребителей технологий и средств
от эмиссии акций).
     Капитальные вложения  направляются  на  создание  и   освоение
перспективных  технологических  процессов  изготовления электронной
компонентной базы,  развитие  производств  нового  технологического
уровня,  обеспечивающих ускоренное наращивание объемов производства
конкурентоспособной   продукции.   Для   реализации   проектов   по
техническому перевооружению предприятиями привлекаются внебюджетные
средства в объеме государственных капитальных  вложений.  Замещение
внебюджетных   средств,  привлекаемых  для  выполнения  мероприятий
научно-исследовательских     и     опытно-конструкторских     работ
реконструкции и технического перевооружения организаций, средствами
федерального бюджета не допускается.
     Объемы  и  источники финансирования научно-исследовательских и
опытно-конструкторских  работ  и  капитальных вложений подпрограммы
по годам приведены в приложении N 4.
     Объемы финансирования    подпрограммы    за    счет    средств
федерального   бюджета   и   внебюджетных  источников  приведены  в
приложении N 5.
     Распределение  объемов  финансирования  подпрограммы  за  счет
средств   федерального   бюджета   по   государственным  заказчикам
подпрограммы приведено в приложении N 6.

                V. Механизм реализации подпрограммы

     Учитывая сложившуюся     структуру     федеральных     органов
исполнительной  власти  и  общепромышленное   значение   выполнения
подпрограммы,    государственным    заказчиком    -   координатором
подпрограммы  является  Министерство  промышленности  и  энергетики
Российской Федерации,  а государственными заказчиками - Федеральное
агентство  по  промышленности,  Федеральное  агентство  по  атомной
энергии,  Федеральное космическое агентство,  Федеральное агентство
по науке и инновациям и Федеральное агентство по образованию.
     Управление реализацией  подпрограммы,  а  также контроль за ее
выполнением   будет   осуществлять   государственный   заказчик   -
координатор    федеральной    целевой    программы    "Национальная
технологическая база" на 2007-2011 годы.
     Подпрограмма   имеет   межотраслевой   характер   и   отвечает
интересам    развития    большинства    отраслей    промышленности,
производящих    и   потребляющих   высокотехнологичную   наукоемкую
продукцию.    Исполнителями    подпрограммы    будут    научные   и
научно-производственные организации.
     Управление  реализацией  подпрограммы  будет  осуществляться в
соответствии   с   Порядком  разработки  и  реализации  федеральных
целевых   программ   и   межгосударственных   целевых  программ,  в
осуществлении  которых участвует Российская Федерация, утвержденным
постановлением   Правительства   Российской  Федерации  от  26 июня
1995 г.  N 594,  и  положением  о  порядке  управления  реализацией
программ,  утверждаемым  Министерством  промышленности и энергетики
Российской Федерации.
     Для   осуществления   планирования   работ   и   контроля   за
научно-техническим     уровнем    выполняемых    работ    создается
научно-технический   координационный   совет,   в  состав  которого
включаются   ведущие   ученые   и   специалисты  страны  в  области
электронной   компонентной   базы,   представители  государственных
заказчиков   подпрограммы,   а  также  организаций  промышленности,
использующих   разрабатываемые   в   рамках   подпрограммы  изделия
электронной  техники  и  технологии  для  создания  и  производства
радиоэлектронных и радиотехнических систем.
     Координационный   совет  будет  вырабатывать  рекомендации  по
планируемым   научно-исследовательским   и   опытно-конструкторским
работам  технологического  развития,  а  также проводить экспертную
оценку инвестиционных проектов.
     Для  осуществления  текущего  контроля и анализа хода работ по
подпрограмме,  подготовки  материалов  и рекомендаций по управлению
реализацией     подпрограммы     организуется    автоматизированная
информационно-аналитическая система.
     Головные  исполнители  (исполнители)  мероприятий подпрограммы
определяются   в   соответствии   с   законодательством  Российской
Федерации.
     Головные   исполнители   в   соответствии   с  государственным
контрактом   обеспечивают   выполнение  проектов,  необходимых  для
реализации   мероприятий   подпрограммы,  и  организуют  кооперацию
соисполнителей.
     Федеральное    агентство    по   промышленности,   Федеральное
космическое  агентство,  Федеральное  агентство по атомной энергии,
Федеральное   агентство   по   науке  и  инновациям  и  Федеральное
агентство    по    образованию    представляют    в    Министерство
промышленности  и  энергетики  Российской  Федерации  отчетность  о
результатах  выполнения работ за отчетный год и дают предложения по
формированию плана работ на следующий год.
     Министерство  промышленности и энергетики Российской Федерации
в  установленном порядке представляет в Министерство экономического
развития  и  торговли  Российской Федерации и Министерство финансов
Российской  Федерации  отчетность  о  выполнении годовых  планов  и
подпрограммы  в  целом,  подготавливает и согласовывает предложения
по финансированию подпрограммы в предстоящем году.

        VI. Оценка социально-экономической и экологической
                    эффективности подпрограммы

     Эффективность  подпрограммы  оценивается  в течение расчетного
периода,   продолжительность   которого   определяется  началом  ее
осуществления  вплоть  до  максимального  уровня освоения введенных
новых мощностей.
     За  начальный  год  расчетного  периода  принимается  1-й  год
осуществления   инвестиций  или  1-й  год  разработки  приоритетных
образцов продукции, то есть 2007 год.
     Конечный  год  расчетного  периода  определяется годом полного
освоения  в серийном производстве разработанной в период реализации
подпрограммы  продукции  на  созданных  в  этот период мощностях, а
также 3 годами серийного производства.
     Учитывая,    что    обновление    производственных   мощностей
осуществляется  в  течение  всего  периода  действия подпрограммы и
завершается  в  2011 году,  а  нормативный  срок освоения введенных
мощностей  1,5 - 2  года,  то конечным  годом  расчетного периода с
учетом 3 лет серийного производства принят 2016 год.
     Экономическая  эффективность реализации подпрограммы в отрасли
характеризуется следующими показателями:
     налоги,   поступающие   в   бюджет  и  внебюджетные  фонды,  -
65343,9 млн. рублей;
     чистый дисконтированный доход - 24615,6 млн. рублей;
     бюджетный эффект - 46343,1 млн. рублей;
     индекс  доходности  (рентабельность) бюджетных ассигнований по
налоговым поступлениям - 3,4;
     индекс   доходности  (рентабельность)  инвестиций  по  чистому
доходу предприятий - 1,78;
     удельный  вес  средств  федерального  бюджета  в  общем объеме
финансирования (степень участия государства) - 0,6;
     срок   окупаемости     инвестиций     из    всех    источников
финансирования - 7,3 года,  в том числе 2,3  года  после  окончания
реализации подпрограммы;
     срок окупаемости средств федерального бюджета - 1 год;
     уровень   безубыточности   равен   0,67  при  норме  0,7,  что
свидетельствует  об  эффективности  и  устойчивости  подпрограммы к
возможным изменениям условий ее реализации.
     Результаты    расчета    показателей   социально-экономической
эффективности подпрограммы приведены в приложении N 7.
     Социальная эффективность подпрограммы обусловлена  количеством
создаваемых  рабочих  мест  (3550-3800  мест  на  момент завершения
подпрограммы),  а также  существенным  повышением  технологического
уровня  новой  электронной  компонентной  базы,  который  обеспечит
снижение трудовых затрат на создание новых классов радиоэлектронной
аппаратуры  и  систем  и улучшение условий труда.  Разработка новых
классов электронной компонентной базы  обеспечит  создание  широкой
номенклатуры   приборов  и  техники  для  технического  обеспечения
решения государственных социальных программ.
     Экологическая эффективность подпрограммы определяется:
     разработкой и   освоением   экологически   чистых   технологий
производства   электронной   компонентной   базы   в   процессе  их
производства;
     новыми  уровнями химической обработки на базе плазмохимических
процессов,    позволяющими   исключить   использование   кислот   и
органических    растворителей,   а   также   экологически   чистыми
технологиями  нанесения  электролитических  покрытий  по замкнутому
циклу, утилизацией и нейтрализацией отходов;
     технологией  "бессвинцовой"  сборки и монтажа радиоэлектронной
аппаратуры,   полупроводниковых   приборов   и   специализированных
больших интегрированных схем;
     высокоэффективными   методами   подготовки   чистых   сред   и
сверхчистых   реактивов   в  замкнутых  циклах,  внедрением  систем
экологического  мониторинга  производства  электронной компонентной
базы   и   окружающей   территории,   кластерными  технологическими
системами  обработки  структур и приборов в технологических объемах
малой     величины    с    непосредственной    подачей    реагентов
контролируемого минимального количества;
     разработкой  технологий  утилизации  электронной  компонентной
базы в рамках развиваемых технологий поддержания жизненного цикла.
     Вновь   создаваемые   виды   электронной   компонентной   базы
(высокочувствительные  датчики-сенсоры)  и  аппаратура на их основе
будут    использованы   в   создании   более   эффективных   систем
экологического контроля и мониторинга.
     Электронная  промышленность  по  технологической сути является
самой  экологически  чистой  отраслью  экономики,  и  достижения по
улучшению    экологической    обстановки,   полученные   в   рамках
совершенствования  новых производств электронной компонентной базы,
могут  использоваться  в  других отраслях (методы ультрафильтрации,
технологии  улавливания  и нейтрализации вредных веществ, обработки
по  замкнутым  циклам,  получение  сверхчистой  воды  и сверхчистых
реактивов).


                           ____________



     ПРИЛОЖЕНИЕ N 1
     к подпрограмме "Развитие электронной
     компонентной базы" на 2007-2011 годы
     федеральной целевой программы
     "Национальная технологическая база"
     на 2007-2011 годы


                    Индикатор и показатели реализации мероприятий подпрограммы
                    "Развитие электронной компонентной базы" на 2007-2011 годы

--------------------------------------------------------------------------------------------------
                                       |         |                 Значение
                                       | Единица +------------------------------------------------
                                       |измерения|2007 |2008 год | 2009 год | 2010 год | 2011 год
                                       |         |год  |         |          |          |
--------------------------------------------------------------------------------------------------
                                            Индикатор

Достигаемый технологический             мкм       0,18  0,18      0,13       0,13       0,1 - 0,09
уровень электроники

                                            Показатели

Увеличение объемов продаж               млрд.     19    25        31         38         45
изделий электронной техники             рублей

Количество разработанных базовых        -         3-5   9-11      16-18      24-27      36-40
технологий в области электронной
компонентной базы (нарастающим итогом)

Количество завершенных разрабатываемых  -         3     9         10         17         29
проектов базовых центров
проектирования функционально сложной
электронной компонентной базы, в том
числе сверхбольших интегральных схем
типа "система на кристалле"
(нарастающим итогом)

Количество объектов технологического    -         1     1         5          8          18
перевооружения электронных производств
на основе передовых технологий
(нарастающим итогом)

Количество завершенных поисковых        -         1     3         7          10-12      13-16
технологических
научно-исследовательских работ
(нарастающим итогом)

Количество реализованных мероприятий    -         4     11-12     14-16      19-22      32-36
по созданию электронной компонентной
базы, соответствующей мировому уровню
(типов, классов новой электронной
компонентной базы)
(нарастающим итогом)

Количество создаваемых рабочих мест     -         450   950-1020  1700-1800  2360-2500  3550-3800
(нарастающим итогом)


                                           ____________



     ПРИЛОЖЕНИЕ N 2
     к подпрограмме "Развитие электронной
     компонентной базы" на 2007-2011 годы
     федеральной целевой программы
     "Национальная технологическая база"
     на 2007-2011 годы


                                                 П Е Р Е Ч Е Н Ь
               мероприятий подпрограммы "Развитие электронной компонентной базы" на 2007-2011 годы

                                                                        (млн. рублей, в ценах соответствующих лет)
------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
                                    | 2007- |             В том числе             |
              Мероприятия           | 2011  +-------------------------------------|     Ожидаемые результаты
                                    |годы - | 2007 | 2008 | 2009  | 2010  | 2011  |
                                    | всего | год  | год  |  год  |  год  |  год  |
------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
                           I. Научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы

                                 Направление 1 "Сверхвысокочастотная электроника"

1.   Разработка технологии           312     105    147    60      -       -       создание базовой технологии
     производства мощных             ----    ---    ---    --                      производства мощных
     сверхвысокочастотных            208*    70     98     40                      сверхвысокочастотных
     транзисторов на основе                                                        транзисторов на основе
     гетероструктур материалов                                                     гетероструктур материалов
     группы А В                                                                    группы А В  для бортовой и
             3 5                                                                           3 5
                                                                                   наземной аппаратуры,
                                                                                   разработка комплектов
                                                                                   документации в стандартах
                                                                                   единой системы конструкторской,
                                                                                   технологической и
                                                                                   производственной документации,
                                                                                   ввод в эксплуатацию
                                                                                   производственной линии

2.   Разработка базовой технологии   265     -      -      60      120     85      создание базовой технологии
     производства монолитных         ---                   --      ---     --      производства монолитных
     сверхвысокочастотных            175                   40      79      56      сверхвысокочастотных
     микросхем и объемных                                                          микросхем и объемных
     приемо-передающих                                                             приемо-передающих
     сверхвысокочастотных                                                          сверхвысокочастотных
     субмодулей X-диапазона                                                        субмодулей X-диапазона на
                                                                                   основе гетероструктур
                                                                                   материалов группы А В  для
                                                                                                      3 5
                                                                                   бортовой и наземной аппаратуры
                                                                                   радиолокации, средств связи,
                                                                                   разработка комплектов
                                                                                   документации в стандартах
                                                                                   единой системы конструкторской,
                                                                                   производственной документации,
                                                                                   ввод в эксплуатацию
                                                                                   производственной линии

3.   Разработка базовой технологии   467     153    214    100     -       -       создание технологии
     производства мощных             ---     ---    ---    ---                     производства мощных
     сверхвысокочастотных            312     102    143    67                      транзисторов
     полупроводниковых приборов на                                                 сверхвысокочастотного
     основе нитридных                                                              диапазона на основе нитридных
     гетероэпитаксиальных структур                                                 гетероэпитаксиальных структур
                                                                                   для техники связи, радиолокации

4.   Разработка базовой технологии   770     -      -      136     337     297     создание технологии
     и библиотеки элементов для      ---                   ---     ---     ---     производства на основе
     проектирования и производства   512                   90      225     197     нитридных гетероэпитаксиальных
     монолитных интегральных схем                                                  структур мощных
     сверхвысокочастотного                                                         сверхвысокочастотных
     диапазона на основе нитридных                                                 монолитных интегральных схем с
     гетероэпитаксиальных структур                                                 рабочими частотами до 20 ГГц
                                                                                   для связной техники,
                                                                                   радиолокации, разработка
                                                                                   комплектов документации в
                                                                                   стандартах единой системы
                                                                                   конструкторской,
                                                                                   технологической и
                                                                                   производственной документации,
                                                                                   ввод в эксплуатацию
                                                                                   производственной линии

5.   Разработка базовой технологии   357     120    166    71      -       -       создание базовой технологии
     производства                    ---     ---    ---    --                      производства компонентов для
     сверхвысокочастотных            231     80     111    40                      сверхвысокочастотных
     компонентов и                                                                 интегральных схем диапазона
     сложнофункциональных блоков                                                   2-12 ГГц с высокой степенью
     для сверхвысокочастотных                                                      интеграции для аппаратуры
     интегральных схем высокой                                                     радиолокации и связи бортового
     степени интеграции на основе                                                  и наземного применения, а
     гетероструктур "кремний -                                                     также бытовой и автомобильной
     германий"                                                                     электроники, разработка
                                                                                   комплектов документации в
                                                                                   стандартах единой системы
                                                                                   конструкторской,
                                                                                   технологической и
                                                                                   производственной документации,
                                                                                   ввод в эксплуатацию
                                                                                   производственной линии

6.   Разработка базовой технологии   532     -      -      100     246     186     создание базовой технологии
     производства                    ---                   ---     ---     ---     производства
     сверхвысокочастотных            352                   64      164     124     сверхвысокочастотных
     интегральных схем высокой                                                     интегральных схем диапазона
     степени интеграции на основе                                                  2-12 ГГц с высокой степенью
     гетероструктур "кремний -                                                     интеграции для аппаратуры
     германий"                                                                     радиолокации и связи бортового
                                                                                   и наземного применения, а
                                                                                   также бытовой и автомобильной
                                                                                   электроники, разработка
                                                                                   комплектов документации в
                                                                                   стандартах единой системы
                                                                                   конструкторской,
                                                                                   технологической и
                                                                                   производственной документации,
                                                                                   ввод в эксплуатацию
                                                                                   производственной линии

7.   Разработка аттестованных        171     60     76     35      -       -       разработка
     библиотек                       ---     --     --     --                      аттестованных библиотек
     сложнофункциональных            121     40     51     30                      сложнофункциональных
     блоков для проектирования                                                     блоков для проектирования
     сверхвысокочастотных и                                                        широкого спектра
     радиочастотных интегральных                                                   сверхвысокочастотных
     схем на основе гетеростуктур                                                  интегральных схем на SiGe
     "кремний - германий"                                                          с рабочими частотами до
                                                                                   150 ГГц, разработка комплектов
                                                                                   документации в стандартах
                                                                                   единой системы
                                                                                   конструкторской,
                                                                                   технологической и
                                                                                   производственной документации,
                                                                                   ввод в эксплуатацию
                                                                                   производственной линии

8.   Разработка базовых технологий   207     -      -      40      100     67      создание базовых технологий
     проектирования кремний -        ---                   --      ---     --      проектирования на основе
     германиевых                     142                   30      67      45      библиотеки
     сверхвысокочастотных и                                                        сложнофункциональных блоков
     радиочастотных интегральных                                                   широкого спектра
     схем на основе аттестованной                                                  сверхвысокочастотных
     библиотеки                                                                    интегральных схем на SiGe с
     сложнофункциональных блоков                                                   рабочими частотами до
                                                                                   150 ГГц, разработка комплектов
                                                                                   документации в стандартах
                                                                                   единой системы конструкторской,
                                                                                   технологической и
                                                                                   производственной документации,
                                                                                   ввод в эксплуатацию
                                                                                   производственной линии

9.   Разработка базовых технологий   163,5   43,5   60     60      -       -       создание базовых технологий
     производства элементной базы    -----   ----   --     --                      производства и конструкций
     для ряда силовых герметичных     110     30    40     40                      элементной базы для
     модулей высокоплотных                                                         высокоплотных источников
     источников вторичного                                                         вторичного электропитания
     электропитания вакуумных и                                                    сверхвысокочастотных приборов
     твердотельных                                                                 и узлов аппаратуры, разработка
     сверхвысокочастотных приборов                                                 комплектов документации в
     и узлов аппаратуры                                                            стандартах единой системы
                                                                                   конструкторской,
                                                                                   технологической и
                                                                                   производственной документации,
                                                                                   ввод в эксплуатацию
                                                                                   производственной линии

10.  Разработка базовых технологий   153     -      -      -       89      64      создание базовых конструкций и
     производства ряда силовых       ---                           --      --      технологии производства
     герметичных модулей             102                           60      42      высокоэффективных,
     высокоплотных источников                                                      высокоплотных источников
     вторичного электропитания                                                     вторичного электропитания
     вакуумных и твердотельных                                                     сверхвысокочастотных приборов
     сверхвысокочастотных приборов                                                 и узлов аппаратуры на основе
     и узлов аппаратуры                                                            гибридно-пленочной технологии
                                                                                   с применением бескорпусной
                                                                                   элементной базы, разработка
                                                                                   комплектов документации в
                                                                                   стандартах единой системы
                                                                                   конструкторской,
                                                                                   технологической и
                                                                                   производственной документации,
                                                                                   ввод в эксплуатацию
                                                                                   производственной линии

11.  Разработка базовых конструкций  162,5   38,5   74     50      -       -       создание технологии массового
     и технологии производства       -----   ----   --     --                      производства ряда корпусов
     корпусов мощных                  110     25    52     33                      мощных сверхвысокочастотных
     сверхвысокочастотных                                                          приборов для "бессвинцовой"
     транзисторов X, C, S, L и P -                                                 сборки, разработка комплектов
     диапазонов из малотоксичных                                                   документации в стандартах
     материалов с высокой                                                          единой системы конструкторской,
     теплопроводностью                                                             технологической и
                                                                                   производственной документации,
                                                                                   ввод в эксплуатацию
                                                                                   производственной линии

12.  Разработка базовых конструкций  150     -      -      45      60      45      создание базовых
     теплоотводящих элементов        ---                   --      --      --      конструктивных рядов элементов
     систем охлаждения               97                    30      40      27      систем охлаждения аппаратуры Х
     сверхвысокочастотных приборов                                                 и С - диапазонов наземных,
     Х и С - диапазонов на основе                                                  корабельных и воздушно-
     новых материалов                                                              космических комплексов

13.  Разработка базовой технологии   93      -      -      -       60      33      создание технологии массового
     производства теплоотводящих     --                            --      --      производства конструктивного
     элементов систем охлаждения     62                            32      30      ряда элементов систем
     сверхвысокочастотных приборов                                                 охлаждения аппаратуры Х и С -
     Х и С - диапазонов на основе                                                  диапазонов наземных,
     новых материалов                                                              корабельных и воздушно-
                                                                                   космических комплексов,
                                                                                   разработка комплектов
                                                                                   документации в стандартах
                                                                                   единой системы конструкторской,
                                                                                   технологической и
                                                                                   производственной документации,
                                                                                   ввод в эксплуатацию
                                                                                   производственной линии

14.  Разработка базовых технологий   141,5   45,5   53     43      -       -       создание технологии массового
     производства суперлинейных      -----   ----   --     --                      производства конструктивного
     кремниевых                       92      30    35     27                      ряда сверхвысокочастотных
     сверхвысокочастотных                                                          транзисторов S и L диапазонов
     транзисторов S и L диапазонов                                                 для связной аппаратуры,
                                                                                   локации и контрольной
                                                                                   аппаратуры, разработка
                                                                                   комплектов документации в
                                                                                   стандартах единой системы
                                                                                   конструкторской,
                                                                                   технологической и
                                                                                   производственной документации,
                                                                                   ввод в эксплуатацию
                                                                                   производственной линии

15.  Разработка конструктивно-       170     -      -      -       95      75      создание конструктивно-
     параметрического ряда           ---                           --      --      параметрического ряда
     суперлинейных кремниевых        116                           70      46      сверхвысокочастотных
     сверхвысокочастотных                                                          транзисторов S и L диапазонов
     транзисторов S и L диапазонов                                                 для связной аппаратуры,
                                                                                   локации и контрольной
                                                                                   аппаратуры, разработка
                                                                                   комплектов документации в
                                                                                   стандартах единой системы
                                                                                   конструкторской,
                                                                                   технологической и
                                                                                   производственной документации,
                                                                                   ввод в эксплуатацию
                                                                                   производственной линии

16.  Разработка технологии           147     60     45     42      -       -       разработка метрологической
     измерений и базовых             ---     --     --     --                      аппаратуры нового поколения
     конструкций установок           97      40     27     30                      для исследования и контроля
     автоматизированного измерения                                                 параметров полупроводниковых
     параметров нелинейных моделей                                                 структур, активных элементов и
     сверхвысокочастотных                                                          сверхвысокочастотных монолитных
     полупроводниковых структур,                                                   интегральных схем в
     мощных транзисторов и                                                         производстве и при их
     сверхвысокочастотных                                                          использовании
     монолитных интегральных схем
     X, C, S, L и P - диапазонов
     для их массового производства

17.  Исследование и разработка       161     57     54     50      -       -       создание технологии
     базовых технологий для          ---     --     --     --                      унифицированных
     создания нового поколения       107     38     36     33                      сверхширокополосных приборов
     мощных вакуумно-твердотельных                                                 среднего и большого уровня
     сверхвысокочастотных приборов                                                 мощности сантиметрового
     и гибридных малогабаритных                                                    диапазона длин волн и
     сверхвысокочастотных модулей с                                                сверхвысокочастотных
     улучшенными массогабаритными                                                  магнитоэлектрических приборов
     характеристиками,                                                             для перспективных
     магнитоэлектрических                                                          радиоэлектронных систем и
     приборов сверхвысокочастотного                                                аппаратуры связи космического
     диапазона, в том числе:                                                       базирования, разработка
     циркуляторов и фазовращателей,                                                комплектов документации в
     вентилей, высокодобротных                                                     стандартах единой системы
     резонаторов, перестраиваемых                                                  конструкторской,
     фильтров, микроволновых                                                       технологической и
     приборов со спиновым                                                          производственной документации,
     управлением для перспективных                                                 ввод в эксплуатацию
     радиоэлектронных систем                                                       производственной линии
     двойного применения

18.  Разработка базовых конструкций  141     -      -      -       89      52      разработка конструктивных
     и технологии производства       ---                           --      --      рядов и базовых технологий
     нового поколения мощных         95                            60      35      производства
     вакуумно-твердотельных                                                        сверхширокополосных приборов
     сверхвысокочастотных приборов                                                 среднего и большого уровня
     и гибридных малогабаритных                                                    мощности сантиметрового
     сверхвысокочастотных модулей с                                                диапазона длин волн и
     улучшенными массогабаритными                                                  сверхвысокочастотных
     характеристиками,                                                             магнитоэлектрических приборов
     магнитоэлектрических приборов                                                 для перспективных
     сверхвысокочастотного                                                         радиоэлектронных систем и
     диапазона, в том числе:                                                       аппаратуры связи космического
     циркуляторов и фазовращателей,                                                базирования, разработка
     вентилей, высокодобротных                                                     комплектов документации в
     резонаторов, перестраиваемых                                                  стандартах единой системы
     фильтров, микроволновых                                                       конструкторской,
     приборов со спиновым                                                          технологической и
     управлением для перспективных                                                 производственной
     радиоэлектронных систем                                                       документации, ввод в
     двойного применения                                                           эксплуатацию производственной
                                                                                   линии

19.  Исследование и разработка       130     45     45     40      -       -       создание технологических
     процессов и базовых технологий  ---     --     --     --                      процессов производства
     нанопленочных малогабаритных    87      30     30     27                      нанопленочных малогабаритных
     сверхвысокочастотных                                                          сверхвысокочастотных
     резисторно-                                                                   резисторно-
     индуктивно-емкостных матриц                                                   индуктивно-емкостных матриц
     многофункционального                                                          многофункционального
     назначения для печатного                                                      назначения для печатного
     монтажа и                                                                     монтажа, создание базовой
     сверхбыстродействующих                                                        технологии получения
     (до 150 ГГц) приборов на                                                      сверхбыстродействующих
     наногетероструктурах с                                                        (до 150 ГГц) приборов на
     квантовыми дефектами                                                          наногетероструктурах с
                                                                                   квантовыми дефектами,
                                                                                   разработка комплектов
                                                                                   документации в стандартах
                                                                                   единой системы конструкторской,
                                                                                   технологической и
                                                                                   производственной документации,
                                                                                   ввод в эксплуатацию
                                                                                   производственной линии

20.  Разработка базовых конструкций  85      -      -      -       45      40      создание конструктивных рядов
     и технологии производства       --                            --      --      и базовых технологий
     нанопленочных малогабаритных    57                            30      27      производства нанопленочных
     сверхвысокочастотных                                                          малогабаритных
     резисторно-                                                                   сверхвысокочастотных
     индуктивно-емкостных матриц                                                   резисторно-индуктивно-емкостных
     многофункционального                                                          матриц многофункционального
     назначения для печатного                                                      назначения для печатного
     монтажа                                                                       монтажа, разработка комплектов
                                                                                   документации в стандартах
                                                                                   единой системы конструкторской,
                                                                                   технологической и
                                                                                   производственной документации,
                                                                                   ввод в эксплуатацию
                                                                                   производственной линии

21.  Разработка базовой технологии   246     90     86     70      -       -       создание базовой технологии
     сверхвысокочастотных p-i-n      ---     --     --     --                      производства элементов и
     диодов, матриц, узлов           164     60     57     47                      специальных элементов и блоков
     управления и портативных                                                      портативной аппаратуры
     фазированных блоков аппаратуры                                                миллиметрового диапазона длин
     миллиметрового диапазона длин                                                 волн для нового поколения
     волн на основе                                                                средств связи, радиолокационных
     магнитоэлектронных                                                            станций, радионавигации,
     твердотельных и                                                               измерительной техники,
     высокоскоростных цифровых                                                     автомобильных радаров, охранных
     приборов и устройств с                                                        и сигнальных устройств,
     функциями адаптации и                                                         разработка комплектов
     цифрового диаграммообразования                                                документации в стандартах
                                                                                   единой системы конструкторской,
                                                                                   технологической и
                                                                                   производственной документации,
                                                                                   ввод в эксплуатацию
                                                                                   производственной линии

     Всего по направлению 1          5024,5  817,5  1020   1002    1241    944
                                     ------  -----  ----   ----    ----    ---
                                      3349    545   680    668     827     629

                        Направление 2 "Радиационно стойкая электронная компонентная база"

22.  Разработка базовой технологии    202    51      71     80     -       -       создание технологии
     радиационно стойких             -----   --     ----   ----                    изготовления микросхем с
     сверхбольших интегральных схем  134,8   34     47,4   53,4                    размерами элементов 0,5 мкм на
     уровня 0,5 мкм на структурах                                                  структурах "кремний на
     "кремний на сапфире" диаметром                                                сапфире" диаметром 150 мм,
     150 мм                                                                        разработка правил
                                                                                   проектирования базовых
                                                                                   библиотек элементов и блоков
                                                                                   цифровых и аналоговых
                                                                                   сверхбольших интегральных схем
                                                                                   расширенной номенклатуры для
                                                                                   организации производства
                                                                                   радиационно стойкой элементной
                                                                                   базы, обеспечивающей выпуск
                                                                                   специальной аппаратуры и
                                                                                   систем, работающих в
                                                                                   экстремальных условиях
                                                                                   (атомная энергетика, космос,
                                                                                   военная техника)

23.  Разработка базовой технологии   315,4   -      -      -       59,4     256    создание технологии
     радиационно стойких             -----                         ----    -----   изготовления микросхем с
     сверхбольших интегральных схем  210,3                         39,6    170,7   размерами элементов 0,35 мкм
     уровня 0,35 мкм на структурах                                                 на структурах "кремний на
     "кремний на сапфире" диаметром                                                сапфире" диаметром 150 мм,
     150 мм                                                                        разработка правил
                                                                                   проектирования базовых
                                                                                   библиотек элементов и блоков
                                                                                   цифровых и аналоговых
                                                                                   сверхбольших интегральных
                                                                                   схем, обеспечивающих создание
                                                                                   расширенной номенклатуры
                                                                                   быстродействующей и высоко
                                                                                   интегрированной радиационно
                                                                                   стойкой элементной базы

24.  Разработка технологии           237,5   82,5    71    84      -       -       создание технологического
     проектирования и                -----   ----   ----   --                      базиса (технология
     конструктивно-                  158,4    55    47,4   56                      проектирования, базовые
     технологических решений                                                       технологии), позволяющего
     библиотеки логических и                                                       разрабатывать радиационно
     аналоговых элементов,                                                         стойкие сверхбольшие
     оперативных запоминающих                                                      интегральные схемы на
     устройств, постоянных                                                         структурах "кремний на
     запоминающих устройств,                                                       изоляторе" с проектной нормой
     сложнофункциональных                                                          до 0,25 мкм
     радиационно стойких блоков
     контроллеров по технологии
     "кремний на изоляторе" с
     проектными нормами до 0,25 мкм

25.  Разработка технологии           360,1   -      -      -       81,5    278,6   создание технологического
     проектирования и                -----                         ----    -----   базиса (технология
     конструктивно -                  240                          54,3    185,7   проектирования, базовые
     технологических решений                                                       технологии), позволяющего
     библиотеки логических и                                                       разрабатывать радиационно
     аналоговых элементов,                                                         стойкие сверхбольшие
     оперативных запоминающих                                                      интегральные схемы на
     устройств, постоянных                                                         структурах "кремний на
     запоминающих устройств,                                                       изоляторе" с проектной нормой
     сложнофункциональных                                                          до 0,18 мкм
     радиационно стойких блоков
     контроллеров по технологии
     "кремний на изоляторе" с
     проектными нормами до 0,18 мкм

26.  Разработка базовых              246     72      98     76     -       -       создание технологического
     технологических процессов       ---     --     ----   ----                    процесса изготовления
     изготовления радиационно        164     48     65,3   50,7                    сверхбольших интегральных схем
     стойкой элементной базы для                                                   энергонезависимой, радиационно
     сверхбольших интегральных схем                                                стойкой сегнетоэлектрической
     энергозависимой                                                               памяти уровня 0,35 мкм и
     пьезоэлектрической и                                                          базовой технологии создания,
     магниторезистивной памяти с                                                   изготовления и аттестации
     проектными нормами 0,35 мкм и                                                 радиационно стойкой пассивной
     пассивной радиационно стойкой                                                 электронной компонентной базы
     элементной базы

27.  Разработка базовых              261     -      -      -        56      205    создание технологического
     технологических процессов       -----                         ----    -----   процесса изготовления
     изготовления радиационно        174,2                         37,3    136,9   сверхбольших интегральных схем
     стойкой элементной базы для                                                   энергонезависимой, радиационно
     сверхбольших интегральных схем                                                стойкой сегнетоэлектрической
     энергозависимой                                                               памяти уровня 0,18 мкм и
     пьезоэлектрической и                                                          создания, изготовления и
     магниторезистивной памяти с                                                   аттестации радиационно стойкой
     проектными нормами 0,18 мкм и                                                 пассивной электронной
     пассивной радиационно стойкой                                                 компонентной базы
     элементной базы

28.  Разработка технологии "кремний  218,8   78     83,2   57,6    -       -       разработка расширенного ряда
     на сапфире" изготовления ряда   -----   --     ----   ----                    цифровых процессоров,
     лицензионно-независимых         145,9   52     55,4   38,5                    микроконтроллеров, оперативных
     радиационно стойких                                                           запоминающих программируемых и
     комплементарных металл-окисел                                                 перепрограммируемых устройств,
     полупроводниковых сверхбольших                                                аналого-цифровых
     интегральных схем цифровых                                                    преобразователей в радиационно
     процессоров обработки                                                         стойком исполнении для
     сигналов, микроконтроллеров и                                                 создания специальной
     схем интерфейса                                                               аппаратуры нового поколения

29.  Разработка технологии структур   374    -      -      -       74,5    299,5   создание технологии
     с ультратонким слоем кремния    -----                         ----    -----   проектирования и изготовления
     на сапфире                      249,5                         49,8    199,7   микросхем и
                                                                                   сложнофункциональных блоков на
                                                                                   основе ультратонких слоев на
                                                                                   структуре "кремний на
                                                                                   сапфире", позволяющей
                                                                                   разрабатывать радиационно
                                                                                   стойкие сверхбольшие
                                                                                   интегральные схемы с высоким
                                                                                   уровнем радиационной стойкости

30.  Разработка базовой технологии   213,1   60,5   80,6   72      -       -       разработка конструкции и модели
     и приборно-технологического     -----   ----   ----   --                      интегральных элементов и
     базиса производства             135,4    37    50,4   48                      технологического маршрута
     радиационно стойких                                                           изготовления радиационно
     сверхбольших интегральных схем                                                стойких сверхбольших
     "система на кристалле",                                                       интегральных схем типа
     радиационно стойкой силовой                                                   "система на кристалле" с
     электроники для аппаратуры                                                    расширенным температурным
     питания и управления                                                          диапазоном, силовых
                                                                                   транзисторов и модулей для
                                                                                   бортовых и промышленных систем
                                                                                   управления с пробивными